1년, 350일, 14시간, 52분 - Togotech

"IPhone 5S"의 두 판 사이의 차이

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Apple, iPhone 5S
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iPhone 5S
 
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<li> [[핸드폰]]
 
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<li> Apple [[iPhone 5S]] - 이 페이지
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<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰 - 이 페이지
 
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<li>위키페이아 https://en.wikipedia.org/wiki/IPhone_5S
 
<li>위키페이아 https://en.wikipedia.org/wiki/IPhone_5S
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<li>2013년
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<li>2013.10 한국출시
 
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<li>분해제품 모델: A1530, Asia Pacific 용
 
<li>분해제품 모델: A1530, Asia Pacific 용
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<li>외관
 
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image:iphone5s01_002.jpg | 모델 A1530, 각 대륙,나라별로 통신주파수가 다르기 때문에 여러 모델이 필요하다.
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<li>위 아래에 위치한 [[셀룰라 안테나]]를 위해 금속 몸통을 분리했다.
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image:iphone5s01_004.jpg | 검정색은 전파를 통과시키는 유리판
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image:iphone5s01_005.jpg | 전기적으로 분리된 곳
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<li>디스플레이가 부착된 앞판을 뜯으면
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<li>앞판을 들어올리면
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image:iphone5s01_006.jpg | [[셀룰라 안테나]] 특성을 위해 앞판도 본체접지로 확실히 연결되기 위한 금속판 클립이 보인다.
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image:iphone5s01_007.jpg | 적외선 [[방열]]을 위한 검정색 테이핑
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<li>측면 - [[접지]] 연결을 위한 금속 클립
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image:iphone5s01_011.jpg | 판 스프링을 측면에 붙였다.
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image:iphone5s01_012.jpg | press-fit으로 [[너트 고정]]을 한 것으로 보아, 프레임은 강도가 약한 6061 [[알루미늄]]일 것이다.
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image:iphone5s01_013.jpg | 누름버튼 스위치 고정방법
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<li>상부, 후면 메인 카메라 부근
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<li>메인 보드 윗쪽 [[실드 깡통]]에서
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image:iphone5s01_017.jpg | AP가 있는 [[실드 깡통]]에 1/2면적에 붙인 [[보안 테이프]]
 
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image:iphone5s01_019.jpg | [[그라파이트 시트]]
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<li>메인 카메라 부근 여러 커넥터 및 [[히트 스프레더]] 및 절연용 필름
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<li>아랫쪽
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<li>아랫쪽, [[마이크로 스피커]] 부근
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image:iphone5s01_022.jpg
 
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<li>이어폰, 통화용 [[MEMS마이크]] 부근
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image:iphone5s01_023.jpg
 
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<li> [[파우치 2차-리튬]] 배터리
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<li>배터리 분리
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image:iphone5s01_008.jpg | (매우 잘 늘어나는) [[방열]]용 열전도를 위해 넓게 붙인 흰색 [[양면 접착테이프]]
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image:iphone5s01_009.jpg | 배터리 및 RF 커넥터를 누르는 금속판(형상을 위해 얇은 철판을 사용하고, 강도를 위해 두 장을 [[레이저 용접]]하여 붙였다.)은 양쪽 나사로 고정한다.
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image:iphone5s01_010.jpg | 큰 전류가 흐르도록 (접촉저항을 낮추기 위해) 점접촉을 피하고 여러 곳에서 선접촉을 하는 [[소형 전류 커넥터]]
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<li>배터리 보호회로 분해
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image:iphone5s01_008_001.jpg | 제조회사 중국 Huizhou Desay, 모델 18S2001-AL, 정격 3.8V 1560mAh
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image:iphone5s01_008_002.jpg | 비닐주머니 실링 폭이 넓다. 180도+90도 두 번 접는다.
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image:iphone5s01_008_003.jpg
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<li>대전류 외부 단자를 (접촉저항을 낮추기 위한) PCB에 연결하는 방법
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image:iphone5s01_008_004.jpg | 납땜으로 용접용 단자 붙이고,
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image:iphone5s01_008_005.jpg | 팩에서 나오는 전극은 [[레이저 용접]]?으로 연결
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<li> [[SMD타입 전류검출용R]], PCB에 Metal strip을 붙여서 만들었다.
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<ol>
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<li>외관 (아마 대만 Cyntec 회사 제품으로 추정)
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image:iphone5s01_008_006.jpg
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image:iphone5s01_008_007.jpg
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<li> [[저항온도계수]] TCR 측정 엑셀 데이터
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image:iphone5s01_008_008.jpg | 끼워 연결했다. ~0.025오옴 저항
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image:iphone5s01_008_013.png | 온도프로파일. 70도 도달한 후 오븐을 OFF해서 자연냉각을 함
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image:iphone5s01_008_014.png | 측정 저항
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image:iphone5s01_008_015.png | 온도계수 + 0.00123 인 금속(참고 98Cu2Ni 0.0014, 니크롬80 0.00011, 구리 0.00393, 은 0.0038)
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<li>구조 - PCB에 금속판을 붙였다. 위쪽 더미 금속은 열팽창 때문에 휘는 것을 막기 위해(?)
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image:iphone5s01_008_009.jpg
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<li> [[레이저 트리밍]]
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image:iphone5s01_008_010.jpg
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image:iphone5s01_008_011.jpg
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image:iphone5s01_008_012.jpg
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</ol>
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</ol>
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<li>아랫쪽에 있는 (스피커, 마이크, 충전단자, 이어폰단자, 안테나 등) 영역에서
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<ol>
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<li> [[셀룰라 안테나]]. [[WiFi 안테나]]도 포함되어 있는데 구분하지 않고 설명한다.
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<ol>
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<li>[[마이크로 스피커]]  위로 지나가는 [[안테나]]
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image:iphone5s01_026.jpg | 전면 구멍 위(금속이 없는 부위다.)로 [[안테나]] 가 지나간다.
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image:iphone5s01_032.jpg
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<li>아래쪽 메인 [[안테나]] 와 연결되는 동축 케이블
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image:iphone5s01_036.jpg
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<li>F-PCB와 함께 수직으로 떨어져 공간을 구성하는 기구물 [[안테나]]
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image:iphone5s01_035.jpg
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</gallery>
 +
<li>안테나 기능을 수행하면서 부품을 연결하는 F-PCB
 +
<ol>
 +
<li>뜯어내면
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image:iphone5s01_034.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>특히 이어폰 전선은 [[FM 안테나]] 역할을 한다.
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image:iphone5s01_034_001.jpg
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image:iphone5s01_034_002.jpg
 +
image:iphone5s01_034_003.jpg | RFMD 1113 [[튜너블C]]
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</gallery>
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<li>A면
 +
<gallery>
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image:iphone5s01_034_004.jpg
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image:iphone5s01_034_005.jpg | 중앙 두 지점이 동축케이블 납땜
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image:iphone5s01_034_006.jpg
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image:iphone5s01_034_007.jpg
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image:iphone5s01_034_008.jpg
 +
image:iphone5s01_034_009.jpg | RFMD 1113 [[튜너블C]]
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</gallery>
 +
<li>B면
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image:iphone5s01_034_010.jpg
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image:iphone5s01_034_011.jpg | 이어폰 단자를 위한 [[bias tee]]로 추정
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image:iphone5s01_034_012.jpg | 어떤 안테나와 매칭
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</ol>
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</ol>
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<li>이어폰단자, 통화용 [[MEMS마이크]] , 충전단자, [[마이크로 스피커]]
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image:iphone5s01_024.jpg
 
image:iphone5s01_024.jpg
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image:iphone5s01_025.jpg
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image:iphone5s01_037.jpg | 이어폰단자, 통화용 [[MEMS마이크]] , 충전단자용 구멍
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image:iphone5s01_026.jpg
+
image:iphone5s01_033.jpg | 이어폰단자, 통화용 [[MEMS마이크]] , 충전단자 등을 연결하는 F-PCB
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image:iphone5s01_027.jpg
+
</gallery>
−
image:iphone5s01_028.jpg
+
<li>애플 Lightning [[USB 케이블]]이 꼽히는 충전단자 - 먼지가 계속 눌려 쌓인다.
−
image:iphone5s01_029.jpg
+
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 +
image:iphone5s01_037_001.jpg | SMT 되는 밑면
 +
image:iphone5s01_037_002.jpg | 딱딱하지 않는 수지, 흔들리지 않는 받침점, 그리고 튼튼한 걸쇠
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</gallery>
 +
<li> [[3.5mm 이어폰 커넥터]]
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image:iphone5s01_043.jpg | F-PCB와 연결된다.
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image:iphone5s01_044.jpg | 5단자 SMD
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image:iphone5s01_045.jpg | 앞 3단자는 점접촉, 뒤 2 단자는 선접촉
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image:iphone5s01_046.jpg | (어쩔 수 없이) 먼지가 끝단에 쌓인다.
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</gallery>
 +
<li> [[마이크로 스피커]]
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<ol>
 +
<li>위치
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 +
image:iphone5s01_007.jpg | 우측 상단
 +
</gallery>
 +
<li>외관
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image:iphone5s01_025.jpg | 전극 연결 방법.
 +
image:iphone5s01_026.jpg | 위판은 자석용 금속이다. 전면 구멍 위(금속이 없는 부위다.)로 [[안테나]]가 지나간다.
 +
image:iphone5s01_027.jpg | 밑판이 금속이다.(Magnetic Field Shielding 위해 loop를 형성하기 위해????) 오른쪽 백볼륨에 공기가 드나드는 체크밸브(?)가 있다.
 +
</gallery>
 +
<li>[[LCR-4284A]] 계측기로 임피던스 측정 엑셀 파일
 +
<ol>
 +
<li>임피던스 측정 그래프
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image:iphone5s01_028_001.png | 공진이 지나고 최저점이 "스피커 공칭임피던스"이다. 7.55오옴 @2.3kHz
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image:iphone5s01_028_002.png | 위상이 +에서 -로 바뀌는 0지점이 공진주파수이다. 이 때 임피던스는 최대값을 보인다.
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</gallery>
 +
<li>DC 바이어스 전류에 따른 임피던스
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image:iphone5s01_028_003.png
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image:iphone5s01_028_004.png | -전류에 코일은 뒤로 후퇴한다. 자석 중심에서 코일에 뒤쪽으로 치우쳐 조립되었다. 전류가 60mA 이상 흐르면 THD가 급격히 나빠진다.
 +
image:iphone5s01_028_005.png
 +
</gallery>
 +
<li>백볼륨 구멍을 내면
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_028.jpg | 백볼륨에 구멍을 뚫고
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image:iphone5s01_029.jpg | 백볼륨 전체를 없애면
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image:iphone5s01_028_006.png | 백볼륨에 구멍이 뚫리면, (당연히)공진주파수가 낮아진다.
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</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>구조
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image:iphone5s01_030.jpg
 
image:iphone5s01_030.jpg
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image:iphone5s01_031.jpg
+
image:iphone5s01_030_001.jpg | 진동판은 비교적 단단한 스폰지 양면에 금속 포일을 양면테이프로 붙였다.
−
image:iphone5s01_032.jpg
+
image:iphone5s01_031.jpg | [[스피커]] 전면 구멍에 비해 백볼륨 체적이 훨씬 크다. 백볼륨에 스폰지가 있다.
−
image:iphone5s01_033.jpg
+
</gallery>
−
image:iphone5s01_034.jpg
+
<li>그림
−
image:iphone5s01_035.jpg
+
<gallery>
−
image:iphone5s01_036.jpg
+
image:iphone5s01_031_001.jpg | 진동판 후퇴간격이 전진간격에 비해 짧다.
−
image:iphone5s01_037.jpg
+
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>통화용 [[MEMS마이크]], bottom 타입
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_038.jpg
 
image:iphone5s01_038.jpg
−
image:iphone5s01_039.jpg
+
image:iphone5s01_039.jpg | HP SR613 4227 M3, 3.4x2.5mm
−
image:iphone5s01_040.jpg
+
image:iphone5s01_040.jpg | E2140C 03272
 
image:iphone5s01_041.jpg
 
image:iphone5s01_041.jpg
 
image:iphone5s01_042.jpg
 
image:iphone5s01_042.jpg
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image:iphone5s01_043.jpg
+
</gallery>
−
image:iphone5s01_044.jpg
+
</ol>
−
image:iphone5s01_045.jpg
+
<li>위쪽 [[안테나]] (GPS/WiFi 및 다이버시티) 부근
−
image:iphone5s01_046.jpg
+
<ol>
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image:iphone5s01_047.jpg
+
<li>F-PCB에서. 왼쪽 volume 상하 [[택타일]] 버튼 스위치, 왼쪽 ring/mute=silent [[슬라이드]] 스위치, 진동모터 접촉단자, 마이크, 플래시LED, 상단 hold(=sleep/wake) [[택타일]] 버튼 스위치용
−
image:iphone5s01_048.jpg
+
<ol>
−
image:iphone5s01_049.jpg
+
<li> [[F-PCB]] 어셈블리
 +
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image:iphone5s01_014_001.jpg
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image:iphone5s01_014_002.jpg | [[고전류 동박]]은 동박폭을 넓힌다.
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image:iphone5s01_014_003.jpg | [[동박 설계]] 1. 굴곡부위엔 위면동박에 초승달 모양으로 덧댄다. 2. 신호선폭이 좁아야 끊어짐에 유리한 듯.
 +
</gallery>
 +
<li> [[택타일]] 스위치
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 +
image:iphone5s01_013.jpg | 스위치 고정방법
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image:iphone5s01_014_004.jpg
 +
image:iphone5s01_014_005.jpg | 좁은 면적에서 원하는 큰 탄성을 얻기 위해서 metal dome 을 3개 사용하고 있다.
 +
image:iphone5s01_014_006.jpg | 추정 stress-strain curve
 +
</gallery>
 +
<li>ring 및 mute(=silent)용 [[슬라이드]] 스위치
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_013_001.jpg
 +
image:iphone5s01_013_002.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li> [[바타입]] ERM 진동모터
 +
<ol>
 +
<li>위치 및 고정방법
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_014.jpg | 고정 철판이 [[안테나]] 와 관계되는 듯
 +
</gallery>
 +
<li>외형 관찰
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 +
image:iphone5s01_047.jpg | 스프링 접점
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image:iphone5s01_048.jpg | 나사 체결을 위한 브라켓을 [[레이저 용접]]으로 모터와 연결
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image:iphone5s01_049.jpg | [[Redmi Note 4X]]에 사용된 모터(오른쪽에 있는 F-PCB부착품)와 크기 비교. 회전체 추 무게를 늘리기 위해 빈공간을 활용했다.
 +
</gallery>
 +
<li> [[브러시모터]] 내부
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image:iphone5s01_050.jpg
 
image:iphone5s01_050.jpg
 
image:iphone5s01_051.jpg
 
image:iphone5s01_051.jpg
 
image:iphone5s01_052.jpg
 
image:iphone5s01_052.jpg
−
image:iphone5s01_053.jpg
+
</gallery>
−
image:iphone5s01_054.jpg
+
<li>모터 전원과 직렬로 3개 연결된, [[초크 인덕터]]로 이용하는 [[다층형 RF용 인덕터]]
 +
<ol>
 +
<li>동작(PWM)시키면 브러시모터는 EMI 잡음 방사되므로, 모터 근처에서 전선이 짧은 상태에서 잡음을 억제해야 한다.
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_047_001.jpg
 +
image:iphone5s01_047_002.jpg
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image:iphone5s01_047_003.jpg | +에 3개 직렬, -에 3개 직렬
 +
image:iphone5s01_047_004.jpg | 인덕터 방향
 +
image:iphone5s01_047_008.png | 서로 coupling되도록 문제없이 장착됨.
 +
</gallery>
 +
<li>측정 데이터
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 +
image:iphone5s01_047_005.jpg
 +
image:iphone5s01_047_006.png | 단품 측정하면 L 하나가 100nH 나온다.
 +
image:iphone5s01_047_007.png | 실측. 30nH로 나온다.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>[[카메라 모듈]], [[MEMS마이크]]  부근, GPS/WiFi [[안테나]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_054.jpg | 보드에 HF/e1 글씨 부품은 GPS LNA 모듈이다. 나사는 GPS [[안테나]]  고정용인듯
 +
</gallery>
 +
<li>핸드폰 위 뒷면에 있는, 잡음 제거용 [[MEMS마이크]], bottom 타입
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_053.jpg | 구멍이 뚫린 이유
 
image:iphone5s01_055.jpg
 
image:iphone5s01_055.jpg
 +
image:iphone5s01_057.jpg | C1281 6616 M1 284
 +
image:iphone5s01_057_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>메인 카메라용 듀얼톤 [[플래시LED]]
 +
<ol>
 +
<li>프레넬 [[광학렌즈]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_058.jpg
 +
image:iphone5s01_058_001.jpg | 전체가 백색인 유리섬유 [[유기물기판]] 인터포저를 사용했다.
 +
image:iphone5s01_058_007.jpg | 렌즈 단면
 +
image:iphone5s01_058_008.jpg | 볼록렌즈보다 두께를 얇게할 수 있다.
 +
</gallery>
 +
<li>2.0x1.6mm LED 두 개
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_058_002.jpg
 +
image:iphone5s01_058_003.jpg | 인터포저에 백색 반사 필름을 붙였다.
 +
</gallery>
 +
<li>LED 칩
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_058_004.jpg | [[타이바]]가 있는 금 전기[[도금]] 2.0x1.6mm
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image:iphone5s01_058_005.jpg | 뒷면, 하양 [[알루미나 기판]] (긁어 경도를 파악해 볼 때?) 기판에 12자리 레이저 마킹 1450311M0112
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</gallery>
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<li>25개 Au Stud [[플립본딩]] 및 실리콘수지(?) 언더필
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image:iphone5s01_058_006.jpg
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</gallery>
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</ol>
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<li>후면, 메인 [[핸드폰용 이미지센서]] 카메라 모듈
 +
<ol>
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<li>장착 위치
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_056.jpg
 
image:iphone5s01_056.jpg
−
image:iphone5s01_057.jpg
+
</gallery>
−
image:iphone5s01_058.jpg
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<li> [[실드 깡통]]인 금속 케이스
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<gallery>
 
image:iphone5s01_059.jpg
 
image:iphone5s01_059.jpg
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image:iphone5s01_060.jpg
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</gallery>
−
image:iphone5s01_061.jpg
+
<li>F-PCB와 연결. 내부에 ISP가 없기 때문에 카메라 원신호는 모두 AP로 연결해야 한다.(?)
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image:iphone5s01_060.jpg | 뚫려 있는 세라믹 패키지 안쪽으로 풀칠된 실리콘 다이가 있다.
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image:iphone5s01_061.jpg | 세라믹 패키지 왼쪽에는 AF VCM용 전류단자 2개, 오른쪽 접지단자
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</gallery>
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<li>프레임(창틀) 형태를 갖는 [[알루미나 기판]] 위에 뭘 붙이는 방법
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<gallery>
 
image:iphone5s01_062.jpg
 
image:iphone5s01_062.jpg
−
image:iphone5s01_063.jpg
+
image:iphone5s01_063.jpg | 블루유리에 만든 IR컷 [[광학필터]]가 붙어 있다.
−
image:iphone5s01_064.jpg
+
</gallery>
−
image:iphone5s01_065.jpg
+
<li> [[판스프링 VCM AF]]
−
image:iphone5s01_066.jpg
+
<gallery>
−
image:iphone5s01_067.jpg
+
image:iphone5s01_065.jpg | VCM 전류공급용 단자 2개
−
image:iphone5s01_068.jpg
+
image:iphone5s01_066.jpg | 4코너에 영구자석, leaf spring
−
image:iphone5s01_069.jpg
+
</gallery>
 +
<li>Au Double Stacked-Bump [[범프본딩]] 및 초음파 [[플립본딩]]
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<gallery>
 +
image:iphone5s01_069.jpg | [[알루미나 기판]]는 휘어 있어 coplanarity를 극복하기 위해
 +
</gallery>
 +
<li>IR 차단 [[광학필터]]
 +
<ol>
 +
<li>필터를 뜯어내면
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_067.jpg | IR필터 업체에서는, 센서를 패키지 속에 넣었기 때문에 inner housing이라고 부르고, 이 표면에 붙이면 된다.
 +
image:iphone5s01_068.jpg | IR필터에 검정칠을 하는 이유(?)
 
image:iphone5s01_070.jpg
 
image:iphone5s01_070.jpg
 
image:iphone5s01_071.jpg
 
image:iphone5s01_071.jpg
−
image:iphone5s01_072.jpg
+
</gallery>
−
image:iphone5s01_073.jpg
+
<li>유리를 잘라내는 [[다이싱]] 방법
−
image:iphone5s01_074.jpg
+
<gallery>
−
image:iphone5s01_075.jpg
+
image:iphone5s01_064.jpg | 광학필터 유리가 잘린 단면이 보인다.
 +
image:iphone5s01_072.jpg | 레이저 [[다이싱]]
 +
image:iphone5s01_073.jpg | 유리두께 0.30mm, 코팅두께 약 6um
 +
image:iphone5s01_074.jpg | 레이저 피치 10.0um
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li> [[알루미나 기판]] 형태
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_075.jpg | [[발연질산]]에 넣은 후 초음파 세척하니, 니켈층이 없어져 그 위 금도금막이 모두 떨어짐
 +
</gallery>
 +
<li>다이 대부분 면적은 센서가 차지한다.(ISP 영역이 거의 없다.)
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_076.jpg
 
image:iphone5s01_076.jpg
−
image:iphone5s01_077.jpg
+
image:iphone5s01_077.jpg | 이 6개 막대기(피치 20.0um)는 Canon Stepper를 위한, align용 인식마크를 [[포토마스크]]에 넣어야 한다.
−
image:iphone5s01_078.jpg
+
image:iphone5s01_078.jpg | 뜯겨진 [[와이어본딩 패드]]
 +
</gallery>
 +
<li>실리콘 센서는 앞면에서 회전 블레이드로 두 번(?) [[다이싱]]
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_079.jpg
 
image:iphone5s01_079.jpg
 
image:iphone5s01_080.jpg
 
image:iphone5s01_080.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>카메라 렌즈가 긁히지 않도록 외부에 붙이는 보호 [[사파이어]]창
 +
<ol>
 +
<li>(안테나를 위해 금속을 사용하지 못하는 영역에 사용된) 유리판에 3개 구멍이 뚫려 있다.
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_053.jpg | 3개 구멍
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image:iphone5s01_095.jpg | 유리판을 뜯어내면. 유리를 붙이는 접착력 때문에 중간에서 부러졌다.
 +
</gallery>
 +
<li>유리판에 붙어 있는 금속프레임 속에 둥근 사파이어가 붙어 있다.
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_096.jpg
 +
image:iphone5s01_096_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>두께 250um [[사파이어]]이다. (반사방지 AR;anti-reflection)광학코팅되어 있다.
 +
<ol>
 +
<li> [[접착제]]로 풀칠로 금속과 사파이어를 붙였다.
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_096_002.jpg | [[접착제]]가 잘 붙기 위해서(?) 기계가공으로 거칠게(표면적을 넓힌) 가공한 프레임 + 풀칠
 +
</gallery>
 +
<li> [[레이저]]로 [[다이싱]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_096_003.jpg | 원형 가공면이 taper진 형태
 +
image:iphone5s01_096_005.jpg | taper 가공이 되는 이유(?)
 +
image:iphone5s01_096_004.jpg | 레이저 다이싱, 무반사 코팅이 샌 흔적
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>위쪽 다이버시티(?) [[셀룰라 안테나]]
 +
<ol>
 +
<li>앞에서 볼 때, 우측은 GPS/WiFi [[안테나]]  등이 있어, 좌측에 형성되어 있다.
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_081.jpg
 
image:iphone5s01_081.jpg
 
image:iphone5s01_082.jpg
 
image:iphone5s01_082.jpg
 
image:iphone5s01_083.jpg
 
image:iphone5s01_083.jpg
−
image:iphone5s01_084.jpg
+
</gallery>
−
image:iphone5s01_085.jpg
+
<li>진동모터 고정 브라켓도 [[안테나]]  역할인듯
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_014.jpg | 고정 철판이 [[안테나]] 와 관계되는 듯
 +
image:iphone5s01_084.jpg | 저 코일은 [[진동모터]]을 위해 사용된 듯
 +
</gallery>
 +
<li>다이버시티 [[셀룰라 안테나]]
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_086.jpg
 
image:iphone5s01_086.jpg
−
image:iphone5s01_087.jpg
+
image:iphone5s01_087.jpg | 뒷면에서 볼 때 오른쪽, 검정은 유리판이다.
 +
</gallery>
 +
<li> [[셀룰라 안테나]] 패턴
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_088.jpg
 
image:iphone5s01_088.jpg
 
image:iphone5s01_089.jpg
 
image:iphone5s01_089.jpg
 
image:iphone5s01_090.jpg
 
image:iphone5s01_090.jpg
−
image:iphone5s01_091.jpg
+
</gallery>
 +
<li>[[F-PCB]]에 형성된 CBCPW(conductor backed coplanar waveguide) [[평면 전송라인]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_091.jpg | 층 중간으로 통과하고 있다.
 
image:iphone5s01_092.jpg
 
image:iphone5s01_092.jpg
 
image:iphone5s01_093.jpg
 
image:iphone5s01_093.jpg
−
image:iphone5s01_094.jpg
+
image:iphone5s01_094.jpg | 측정한 각 층 두께
−
image:iphone5s01_095.jpg
+
</gallery>
−
image:iphone5s01_096.jpg
+
<li>위쪽 누름 [[택타일]] 스위치 - 매우 튼튼하게 만들었다.
−
image:iphone5s01_097.jpg
+
<gallery>
−
image:iphone5s01_098.jpg
+
image:iphone5s01_085.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li> [[알루미늄]] 메탈 프레임 전체
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_097.jpg | 아래쪽 유리판을 뜯으면(이 공간으로 메인[[안테나]] 가 동작해야 한다.)
 +
image:iphone5s01_098.jpg | 모든 것을 뜯어낸 후 프레임 전체
 +
</gallery>
 +
<li>메인보드
 +
<ol>
 +
<li>[[모바일AP]] 밑에서 [[기판 층수]] 파악
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_130_013.jpg | 10층
 +
image:iphone5s01_130_014.jpg | 10층
 +
</gallery>
 +
<li> [[기판 측면 접지]]를 만들어 활용
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_118.jpg | [[실드 깡통]]을 [[기판 측면 접지]]에 납땜. 기판 폭이 좁아서 어쩔 수 없이 측면에 납땜 듯.
 +
image:iphone5s01_119.jpg | 멀리 떨어져 있는 안테나용 [[RF케이블]] 실드 또한 일정 간격으로 [[기판 측면 접지]]에 연결함.
 +
</gallery>
 +
<li>뒷면, 전체를 감싼 [[실드 깡통]] 하나
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_134.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>[[터치스크린]]용 터치콘트롤러 cumulus chip and meson chip
 +
<ol>
 +
<li>TI 343S0645 Digitizer Controller IC // Broadcom BCM5976 touch screen IC // TI 65739A0P ???
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_112.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>두 IC 패턴에 대한 의견 - 동일한 패턴이 IC에 있다. 인접한 두 전극사이 C를 실시간으로 측정하기 위해 개별 ADC가 있는 듯. C값이 비교적 크므로 측정시간이 늦어지는데 이 때 ADC 하나에 스위치를 사용하면 매우 늦어진다. 빠른 터치 반응속도를 위해서. 다른 터치 패널에 사용되는 하나의 IC보다도 더 큰 IC 두 개를 사용한다.
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_112_003.jpg
 +
image:iphone5s01_112_008.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Broadcom, Touchscreen Controller
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_112_001.jpg
 +
image:iphone5s01_112_002.jpg | 와이어본딩타입 다이를 유기물층으로 RDL을 만들었다.
 +
image:iphone5s01_112_003.jpg
 +
image:iphone5s01_112_004.jpg | [[IDT C]]
 +
image:iphone5s01_112_005.jpg | [[IDT C]]
 +
image:iphone5s01_112_006.jpg | [[IDT C]]
 +
image:iphone5s01_112_007.jpg | Broadcom BCM5976 2011
 +
</gallery>
 +
<li>TI, Touchscreen Line Driver
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_112_008.jpg | 와이어본딩타입이 아닌, 처음부터 BGA타입으로 다이를 만들었다.
 +
image:iphone5s01_112_009.jpg | TI 2012
 +
image:iphone5s01_112_010.jpg | CDPF3246C0
 +
image:iphone5s01_112_011.jpg
 +
image:iphone5s01_112_012.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>[[WiFi모듈]], TDD 밴드
 +
<ol>
 +
<li> [[RF모듈에서 실드 코팅]]되어 있다.
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_099.jpg
 
image:iphone5s01_099.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>TDD용, Triquint 듀얼 [[SMR]] 필터(Tx, Rx 신호가 시간적으로 스위칭되어 흐른다.) ????
 +
<ol>
 +
<li>외관, 1.8x1.4mm dual filter
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_100.jpg
 
image:iphone5s01_100.jpg
 
image:iphone5s01_101.jpg
 
image:iphone5s01_101.jpg
−
image:iphone5s01_102.jpg
+
image:iphone5s01_102.jpg | 다이싱이 내부전극 패턴이 있는 곳을 자른다.
−
image:iphone5s01_103.jpg
+
</gallery>
 +
<li>분해
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_103.jpg | 이젝트 핀 자국
 
image:iphone5s01_104.jpg
 
image:iphone5s01_104.jpg
−
image:iphone5s01_105.jpg
+
image:iphone5s01_105.jpg | 플립본딩
−
image:iphone5s01_106.jpg
+
</gallery>
−
image:iphone5s01_107.jpg
+
<li>다이1
−
image:iphone5s01_108.jpg
+
<gallery>
−
image:iphone5s01_109.jpg
+
image:iphone5s01_106.jpg | X27
 +
</gallery>
 +
<li>다이2
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_107.jpg | EG9442 X10 Y27 프루빙을 위한 별도의 패드
 +
image:iphone5s01_108.jpg | TQS 2013
 +
image:iphone5s01_109.jpg | 프루빙 바늘이 긁은 흔적
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>Ag 페이스트로 스프레이 [[실드 코팅]] + 스핀 코팅된 [[WiFi모듈]]
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_110.jpg
 
image:iphone5s01_110.jpg
 
image:iphone5s01_111.jpg
 
image:iphone5s01_111.jpg
 
image:iphone5s01_112.jpg
 
image:iphone5s01_112.jpg
 
image:iphone5s01_113.jpg
 
image:iphone5s01_113.jpg
 +
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 +
<li>모자 형태로 두 번 다이싱
 +
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image:iphone5s01_114.jpg
 
image:iphone5s01_114.jpg
−
image:iphone5s01_115.jpg
+
image:iphone5s01_115.jpg | 밑면에 Ag 페이스트가 듬뿍(스핀 코팅 증거?)
−
image:iphone5s01_116.jpg
+
image:iphone5s01_116.jpg | 4변에 동박 노출시켜 Ag와 접지
−
image:iphone5s01_117.jpg
+
</gallery>
−
image:iphone5s01_118.jpg
+
<li>표면을 깍아보면
−
image:iphone5s01_119.jpg
+
<gallery>
−
image:iphone5s01_120.jpg
+
image:iphone5s01_117.jpg | Broadcom BCM43342, WIFI/BT/NFC/FM
 +
</gallery>
 +
<li>PCB
 +
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image:iphone5s01_117_001.jpg
 +
image:iphone5s01_117_002.jpg
 +
image:iphone5s01_117_003.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>PCB 뜯어내고 밑면 윗면 관찰
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_117_004.jpg | 밑면
 +
image:iphone5s01_117_005.jpg | 윗면
 +
</gallery>
 +
<li>1.6x1.2x0.3mm [[Xtal세라믹]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_117_006.jpg | 무라타가 TEW를 샀기 때문에, TEW 제품으로 추정
 +
image:iphone5s01_117_007.jpg | 낱개 상태로 AuSn 리드 실링을 함
 +
</gallery>
 +
<li>CSP SAW #1 [[SAW-핸드폰RF]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_117_008.jpg
 +
image:iphone5s01_117_009.jpg | 주기 1.56um 그렇다면 2.53GHz(?)용
 +
</gallery>
 +
<li>CSP SAW #2 [[SAW-핸드폰RF]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_117_010.jpg
 +
image:iphone5s01_117_011.jpg | 주기 1.645um 2.4GHz WiFi용으로 추정
 +
</gallery>
 +
<li>RF IC #1 - [[FEM]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_117_012.jpg
 +
image:iphone5s01_117_013.jpg
 +
image:iphone5s01_117_014.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>RF IC #2 - [[PAM]](?) - 발연질산에 오래 넣어두니 다이가 모두 녹아 없어졌다. 그러므로 GaAs 웨이퍼인듯
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_117_015.jpg
 +
image:iphone5s01_117_016.jpg | 두 다이 두께가 다르다.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>퀄컴 RF 송수신 칩이 있는, 앞면에서
 +
<ol>
 +
<li>전체
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_120.jpg | 실드캔 벗기면
 +
image:iphone5s01_159.jpg | Qualcomm MDM9615M // Qualcomm WTR1605L
 +
</gallery>
 +
<li>SG마킹: [[RF스위치IC]]
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_121.jpg
 
image:iphone5s01_121.jpg
 +
image:iphone5s01_121_001.jpg
 +
image:iphone5s01_121_002.jpg | Infineon Technologies, M4798A1
 +
image:iphone5s01_121_003.jpg
 +
image:iphone5s01_121_004.jpg
 +
image:iphone5s01_121_005.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>[[SAW-핸드폰RF]] 필터 두 개
 +
<ol>
 +
<li>사진
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_122.jpg
 
image:iphone5s01_122.jpg
 +
image:iphone5s01_121_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Epcos, CSP, 9906마킹: 1.5x1.1mm dual SAW
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_122_001.jpg
 +
image:iphone5s01_122_002.jpg | RF48B(?)
 +
image:iphone5s01_122_003.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Murata, CSP, NAG마킹: 2.2x1.1mm triple SAW
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_122_004.jpg
 +
image:iphone5s01_122_005.jpg
 +
image:iphone5s01_122_006.jpg | DN76-A1
 +
image:iphone5s01_122_007.jpg | DN73 A1, DN74 A1
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>[[SAW-핸드폰RF]] 싱글 필터, [[FBAR]] 필터 뱅크
 +
<ol>
 +
<li>사진
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_125.jpg
 +
image:iphone5s01_125_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>YA마킹: 1.4x1.1mm single SAW
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_125_002.jpg | DD07-A1
 +
image:iphone5s01_125_003.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>A(아바고)D3R마킹: triple [[FBAR]] 필터 뱅크
 +
<ol>
 +
<li>두 다이 측면
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_125_004.jpg | PCB에 [[인덕터]]가 있다.
 +
image:iphone5s01_125_005.jpg
 +
image:iphone5s01_125_006.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>두 다이, 솔더링면. via를 통해 내부와 연결된다.
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_125_007.jpg | MN KV F / M9 NO M
 +
</gallery>
 +
<li>큰 다이
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_125_008.jpg
 +
image:iphone5s01_125_009.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>작은 다이
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_125_010.jpg | 뚜껑 두 변을 뜯으면
 +
image:iphone5s01_125_011.jpg | 완전히 뜯으면. 좁은 Au 띠로 접착
 +
image:iphone5s01_125_012.jpg | 뚜껑 접착면.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>주변 매칭 [[RF용L]]
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_123.jpg
 
image:iphone5s01_123.jpg
 
image:iphone5s01_124.jpg
 
image:iphone5s01_124.jpg
−
image:iphone5s01_125.jpg
+
</gallery>
 +
<li>[[SMR]] 필터
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_126.jpg
 
image:iphone5s01_126.jpg
 +
image:iphone5s01_126_032.jpg
 +
image:iphone5s01_126_033.jpg | 실리콘 웨이퍼 뒷면
 +
image:iphone5s01_126_034.jpg | EG9480 D4, TQS 2013, X02 Y26
 +
image:iphone5s01_126_035.jpg | E???85 RX_D3, TQS 2013, X03 Y21 - 위치별 좌표 표시
 +
</gallery>
 +
<li>BAW 필터를 위한 매칭 [[RF용L]] - 수직으로 세우는 무라타 0.4x0.2mm LQP02HQ 하이Q 시리즈와 수평장착 LQP02TN 표준(흰점마킹) 박막인덕터
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_127.jpg
 
image:iphone5s01_127.jpg
−
image:iphone5s01_128.jpg
+
image:iphone5s01_127_001.jpg
−
image:iphone5s01_129.jpg
+
image:iphone5s01_127_002.jpg | 내부전극 방향과 외부전극이 서 있는 방향에 따라 (기생-C 및 coupling 효과로) Q값이 결정되는 듯.
−
image:iphone5s01_130.jpg
+
</gallery>
−
image:iphone5s01_131.jpg
+
</ol>
−
image:iphone5s01_132.jpg
+
<li>퀄컴 RF 송수신 칩이 있는, 뒷면에서
−
image:iphone5s01_133.jpg
+
<ol>
−
image:iphone5s01_134.jpg
+
<li>Avago A790720 // TriQuint TQM6M6224 // Skyworks 77355 // RFMD 1495 // SKY477 // Skyworks 77810-12 // Murata QE // Avago A7900
 +
<ol>
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_135.jpg
 
image:iphone5s01_135.jpg
 
image:iphone5s01_136.jpg
 
image:iphone5s01_136.jpg
−
image:iphone5s01_137.jpg
+
</gallery>
 +
<li>몰딩 수지를 위에서부터 벗겨내
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_135_001.jpg
 +
image:iphone5s01_135_002.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>모듈을 모두 뜯어내, 메인보드에서 납땜면을 관찰함
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_135_003.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>Skyworks 77810-12 (B 5/8 Dual [[PAMiD]])?
 +
<ol>
 +
<li>모듈에서
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_001.jpg
 +
image:iphone5s01_136_001_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>1.8x1.4mm, Taiyo Yuden, CSP [[SAW-핸드폰DPX]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_001_002.jpg
 +
image:iphone5s01_136_001_003.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Murata [[WLP SAW]] DPX
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_001_004.jpg | Murata WLP roof1을 아래에서 위로 쳐다볼 때. 노랑색이 RDL 전극이다.
 +
image:iphone5s01_136_001_005.jpg | roof1을 뜯으면
 +
image:iphone5s01_136_001_006.jpg | 구리판이다.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>Murata QE, [[SAW-모듈]], 스위치+SAW 모듈
 +
<ol>
 +
<li>보드에서
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_139.jpg | 절단방법
 +
image:iphone5s01_136_002.jpg | 좌측
 +
image:iphone5s01_136_002_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>모듈에서
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_002_002.jpg
 +
image:iphone5s01_136_002_003.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>LTCC
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_002_004.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>LTCC 절단을 위한 롤러 [[스크라이버]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_139.jpg | 절단방법
 +
image:iphone5s01_136_002_002.jpg
 +
image:iphone5s01_136_002_004_001.jpg
 +
image:iphone5s01_136_002_004_002.jpg
 +
image:iphone5s01_136_002_004_003.jpg
 +
</gallery>
 +
<li> [[RF스위치IC]], SoS, Peregrine C9958_1 802 SP4T
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_002_005.jpg
 +
image:iphone5s01_136_002_006.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>[[WLP SAW]] 듀플렉서 B1(?)
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_002_007.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>[[WLP SAW]] 듀얼 필터(TDD B38? 39? 40?)
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_002_008.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>[[WLP SAW]] 싱글 필터(DCX Rx)(?)
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_002_009.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>Avago A7900, dual [[PAM]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_003.jpg | 우측
 +
image:iphone5s01_136_003_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Skyworks 77355, dual [[PAM]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_004.jpg
 +
image:iphone5s01_136_004_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Avago A790720, Dual [[PAMiD]]
 +
<ol>
 +
<li>메인보드에서
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_005.jpg | Epcos 2016 도금타입 CSP
 +
image:iphone5s01_136_005_001.jpg | 열을 가하면 솔더가 위로 분출한다.
 +
</gallery>
 +
<li>CSP SAW DPX 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다.
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_005_002.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Epcos 2.0x1.6mm 도금타입 CSP [[SAW-핸드폰DPX]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_005_003.jpg
 +
image:iphone5s01_136_005_004.jpg | 위에서 볼 때
 +
image:iphone5s01_136_005_005.jpg
 +
image:iphone5s01_136_005_006.jpg | 솔더볼이 몰딩압력을 견디기 위해, 구리도금 벽을 세웠다.
 +
image:iphone5s01_136_005_007.jpg | AISGC 또는 AI56C
 +
image:iphone5s01_136_005_008.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>[[FBAR]] DPX에서 - RX(로 추정)
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_005_009.jpg
 +
image:iphone5s01_136_005_010.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>[[FBAR]] DPX에서 - TX(로 추정)
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_005_011.jpg
 +
image:iphone5s01_136_005_012.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>TriQuint TQM6M6224, Dual [[PAMiD]]
 +
<ol>
 +
<li>사진
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_006.jpg
 +
image:iphone5s01_136_006_001.jpg
 +
image:iphone5s01_136_006_002.jpg | 질산에 녹아 없어졌기 때문에 GaAs 칩이다.
 +
</gallery>
 +
<li>유리 지붕
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_006_003.jpg | 투명 유리 중앙에 다이본딩 이젝트 바늘에 묻은 접착제 성분이 보인다.
 +
</gallery>
 +
<li>와이어본딩 타입 [[SMR]] 필터, 2밴드용 듀플렉서를 위해 칩을 4개 사용
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_006_004.jpg | 투명 유리 지붕을 찾지 못하고 망실
 +
image:iphone5s01_136_006_005.jpg | 벽
 +
image:iphone5s01_136_006_006.jpg | 와이어본딩 높이를 낮추기 위한
 +
image:iphone5s01_136_006_007.jpg | 마스크 자표 X21 Y26
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>RFMD 1495 - ASM(antenna switch module) [[FEM]]
 +
<ol>
 +
<li>IC는 내부 임피던스를 50오옴 맞출 수 있다. 그런데 LTCC [[인터포저]] 동원하여 GSM PA와 연결되는 저주파 다이플렉서가 내장함.
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_138.jpg
 
image:iphone5s01_138.jpg
−
image:iphone5s01_139.jpg
+
image:iphone5s01_137_001.jpg | [[실드 깡통]]을 벗기면
 +
</gallery>
 +
<li>내부
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_138_001.jpg
 +
image:iphone5s01_138_002.jpg | 갈아보니, 매우 단단한 [[LTCC]]
 +
</gallery>
 +
<li>[[RF스위치IC]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_138_003.jpg | M1D1495052 RFMD2012
 +
image:iphone5s01_138_004.jpg | [[Copyright]]
 +
image:iphone5s01_138_005.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li> [[RF스위치IC]] 두 개
 +
<ol>
 +
<li>전체
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_137.jpg | 오른쪽에 검정다이 두 개
 +
image:iphone5s01_137_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>마킹 A02 [[RF스위치IC]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_137_002.jpg
 +
image:iphone5s01_137_003.jpg | SONY A4403P
 +
image:iphone5s01_137_004.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>마킹 SKY477 [[RF스위치IC]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_137_005.jpg
 +
image:iphone5s01_137_006.jpg
 +
image:iphone5s01_137_007.jpg | [[더미 필 패턴]]
 +
image:iphone5s01_137_008.jpg | Skyworks PK5011
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li> [[SAW-핸드폰RF]], XF 마킹 1.5x1.1mm 듀얼필터, 무라타 제조
 +
<ol>
 +
<li>보드에서
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_140.jpg
 
image:iphone5s01_140.jpg
 +
image:iphone5s01_140_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>다이에서. 막두께가 다르다. 그러므로 금속 성막 공정을 두 번 진행한다.
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_140_002.jpg | DM32-A1, DM35-A1, 1.185x0.820mm 다이크기
 +
image:iphone5s01_140_003.jpg | 저주파+고주파 필터가 한 다이에서 존재한다. (막두께가 다르다.)
 +
image:iphone5s01_140_004.jpg | 주기 4.57um
 +
image:iphone5s01_140_005.jpg | 주기 1.59um, 주기에서 1/2.87배 차이가 난다.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>다이버시티 [[Rx 스위치+SAW 모듈]] 무라타 제조
 +
<ol>
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_126.jpg | 몰딩 후 그라인더로 표면을 평탄화하였다.
 +
</gallery>
 +
<li>표면부터 긁어 관찰
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_126_001.jpg | [[RF스위치IC]] 3개 다이
 +
image:iphone5s01_126_002.jpg | SAW 6다이(듀얼4, 싱글2) = 총 10밴드
 +
image:iphone5s01_126_003.jpg | [[RF스위치IC]] 다이 2개는 투명하다.
 +
</gallery>
 +
<li> [[RF스위치IC]]
 +
<ol>
 +
<li>K SA 뒷면에 마킹품, SoI(slicon on Insulator) 제품
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_126_016.jpg | M4793
 +
image:iphone5s01_126_017.jpg
 +
image:iphone5s01_126_018.jpg | [[FET]] 스위치 패턴
 +
image:iphone5s01_126_019.jpg | [[IDT C]]
 +
</gallery>
 +
<li>Peregrine C9956_4 B02, SoS(slicon on sapphire) 제품
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_126_020.jpg | 폴리싱 전
 +
image:iphone5s01_126_021.jpg | 폴리싱 후
 +
image:iphone5s01_126_022.jpg
 +
image:iphone5s01_126_023.jpg
 +
image:iphone5s01_126_024.jpg | 측면 [[사파이어]], 레이저 [[다이싱]] 두께 약 125um
 +
</gallery>
 +
<li>Peregrine C9957_1 B02, SoS(slicon on sapphire) 제품
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_126_025.jpg | 폴리싱 전
 +
image:iphone5s01_126_026.jpg | 폴리싱 후
 +
image:iphone5s01_126_027.jpg | [[FET]] 스위치 패턴
 +
image:iphone5s01_126_028.jpg
 +
image:iphone5s01_126_029.jpg | [[IC 표식]] Peregrine 송골매
 +
image:iphone5s01_126_030.jpg | [[사파이어]] 두께 약 125um
 +
image:iphone5s01_126_031.jpg | 레이저 [[다이싱]]
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li> [[WLP SAW]] 측면 관찰
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_126_004.jpg
 +
image:iphone5s01_126_005.jpg | roof-1이 saw 다이와 함께 다이싱됨. 매우 딱딱한 재료. 이 roof-1 재료를 레이저로 구멍을 뚫어 사용
 +
image:iphone5s01_126_006.jpg | saw die와 roof-1 접착면 뜯어 촬영
 +
image:iphone5s01_126_007.jpg | roof-1과 -2 접착면을 뜯어 촬영
 +
</gallery>
 +
<li>싱글 [[WLP SAW]]-1
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_126_008.jpg
 +
image:iphone5s01_126_009.jpg
 +
image:iphone5s01_126_010.jpg | 아래 주기: 4.94um, 위 주기: 4.88um, 우측 주기: 2.89um
 +
</gallery>
 +
<li>싱글 [[WLP SAW]]-2
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_126_011.jpg | DL08-A1
 +
</gallery>
 +
<li>듀얼 [[WLP SAW]]-1,2,3,4
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_126_012.jpg | DL04-A1, DL00-A1
 +
image:iphone5s01_126_013.jpg | DK97-A1
 +
image:iphone5s01_126_014.jpg | DK14-A1, DK13-A1
 +
image:iphone5s01_126_015.jpg | DK41-A1, DK42-A1
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li> [[모바일AP]], Apple A7
 +
<ol>
 +
<li>패키지 위에 패키징된 [[DRAM]]이 올라가 있는 PoP(Package On Package) 형태임.
 +
<ol>
 +
<li>맨 위는 Elpida 8Gbit DDR3 [[DRAM]] 이다.
 +
</ol>
 +
<li>보드에서 [[실드 깡통]]을 벗기면
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_128.jpg | 특별히 캔 오른쪽에는 [[히트 스프레더]]용 [[그라파이트 시트]]가 붙어 있다.
 +
image:iphone5s01_129.jpg | IC와 캔 사이에는 특별한 [[서멀 패드]]가 없이 접촉하는 듯.
 +
image:iphone5s01_130.jpg | A7 마킹은 [[DRAM]]에 된다.
 +
</gallery>
 +
<li>주변에 사용된 Low ESR, ESL [[MLCC]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_131.jpg | [[low ESL]] MLCC
 +
image:iphone5s01_132.jpg
 +
image:iphone5s01_133.jpg | 3단자 C [[LC필터]]
 +
</gallery>
 +
<li>디솔더링 후, PoP된 층을 다시 디솔더링하면
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_130_003.jpg | PoP
 +
image:iphone5s01_130_002.jpg | AP 밑면 BGA
 +
image:iphone5s01_130_001.jpg | AP 다이방열을 위해 위에 있는 [[DRAM]]과 완전 밀착
 +
</gallery>
 +
<li>순수한 [[모바일AP]]
 +
<ol>
 +
<li> [[임베디드PCB]]로 만든 [[인터포저]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_130_004.jpg
 +
image:iphone5s01_130_005.jpg | [[MLCC]] 1.0x0.5mm 도금으로 연결됨
 +
</gallery>
 +
<li>AP 다이
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_130_006.jpg | [[발연질산]]에 넣어 분해시, [[유리섬유 직물]]이 부풀어 올라 다이 가장자리가 깨짐
 +
image:iphone5s01_130_007.jpg | 가열하여 솔더볼 SMT 접합으로 확인함
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li> [[DRAM]] Elpida 8Gbit DDR3 이므로, 다이 하나가 4Gbit
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_130_008.jpg | 다이 두 개를 [[다이본딩]], [[와이어본딩]]
 +
image:iphone5s01_130_009.jpg
 +
image:iphone5s01_130_010.jpg | 위쪽 다이 ELPIDA F440AAA
 +
image:iphone5s01_130_011.jpg | 아래쪽 다이 ELPIDA F440AAA
 +
image:iphone5s01_130_012.jpg | 와이어를 찾을 수 없었기 때문에 [[Cu 볼 와이어본딩]]으로 추정함.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li> [[전력관리IC]]
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_141.jpg
 
image:iphone5s01_141.jpg
−
image:iphone5s01_142.jpg
+
image:iphone5s01_142.jpg | Dialog Semiconductor, 338S1216-A2 PMIC
−
image:iphone5s01_143.jpg
+
image:iphone5s01_143.jpg | NXP LCP18A1, Apple M7 coprocessor
−
image:iphone5s01_144.jpg
+
</gallery>
−
image:iphone5s01_145.jpg
+
<li>지자기센서라고 부르는 [[나침반]], AKM AK8963 3-axis electronic compass IC
−
image:iphone5s01_146.jpg
+
<ol>
−
image:iphone5s01_147.jpg
+
<li>위치하는 곳
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_144.jpg | 한 쪽 귀퉁이
 +
</gallery>
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_145.jpg | AKM AK8963 3-axis electronic compass IC
 +
image:iphone5s01_146.jpg | [[인터포저]]에 BGA를 갖는 bare die가 올라가 있다.
 +
</gallery>
 +
<li>디솔더링하여 각각 들어내면
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_147.jpg | [[인터포저]]를 사용한 이유는 높게 설치하기 위해서(?)
 +
image:iphone5s01_151.jpg | 솔더볼이 없는 부위에 magnetic concentrator 가 있다.
 +
</gallery>
 +
<li>센서 다이 [[다이싱]] 관찰
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_148.jpg
 
image:iphone5s01_148.jpg
 
image:iphone5s01_149.jpg
 
image:iphone5s01_149.jpg
−
image:iphone5s01_150.jpg
+
image:iphone5s01_150.jpg | 두 번 다이싱
−
image:iphone5s01_151.jpg
+
</gallery>
 +
<li>다이 - 핸드폰은 주로 수평면에 놓이면 X,Y축 지자기는 확실히 검출하나, Z축으로는 감도가 낮을 것이 확실함.
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_152.jpg
 
image:iphone5s01_152.jpg
−
image:iphone5s01_153.jpg
+
image:iphone5s01_153.jpg | 4164 AKM 2011
−
image:iphone5s01_154.jpg
+
image:iphone5s01_154.jpg | 회사로고 [[IC 표식]]
−
image:iphone5s01_155.jpg
+
image:iphone5s01_155.jpg | [[TEG]]
−
image:iphone5s01_156.jpg
+
</gallery>
 +
<li> [[홀]] 센싱 패턴이 8개(?)
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_156.jpg | 남아 있는 magnetic concentrator(가 있어야 Z축을 감지하는 듯)
 
image:iphone5s01_157.jpg
 
image:iphone5s01_157.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>주변 장치와 연결되는 커넥터에 사용된 [[CMF]]로 추정
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<gallery>
 
image:iphone5s01_158.jpg
 
image:iphone5s01_158.jpg
−
image:iphone5s01_159.jpg
+
</gallery>
−
image:iphone5s01_160.jpg
+
<li> [[Flash Memory]]
−
image:iphone5s01_161.jpg
+
<ol>
−
image:iphone5s01_162.jpg
+
<li>외관, SK hynix H2JTFG8YD3MBR 64GB NAND Flash
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_160.jpg | 17.0x12.0mm
 +
</gallery>
 +
<li>디솔더링한 후
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_160_002.jpg | [[인터포저]] BGA면
 +
image:iphone5s01_160_001.jpg | [[인터포저]] 솔더링 패드
 +
image:iphone5s01_160_003.jpg | [[타이바]]
 +
</gallery>
 +
<li> [[발연질산]]에 넣어두니, 가장자리부터 부풀어 올라 다이가 기다랗게 순서대로 깨짐
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_160_004.jpg | 8GB 다이 8개가 콘트롤러 위에서 와이어본딩으로 적층
 +
image:iphone5s01_160_005.jpg | 맨 밑 콘트롤러 IC 및 3 방향에 더미 실리콘다이
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li> [[튜너블C]]. 다이버시티 [[안테나]] 부근에 있다.
 +
<ol>
 +
<li>RFMD RF1112 Antenna Tuning, Programmable Array of Capacitors
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_161.jpg | 주변에 매칭용 여러 부품을 사용하고 있음.
 +
</gallery>
 +
<li>폴리이미드 층이 있는 다이
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_162.jpg | 1.98x1.6mm
 
image:iphone5s01_163.jpg
 
image:iphone5s01_163.jpg
 
image:iphone5s01_164.jpg
 
image:iphone5s01_164.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>폴리이미드 층을 불로 태워 제거한 후 다이
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_165.jpg
 
image:iphone5s01_165.jpg
−
image:iphone5s01_166.jpg
+
image:iphone5s01_166.jpg | [[IDT C]]
−
image:iphone5s01_167.jpg
+
image:iphone5s01_167.jpg | [[IDT C]], [[더미 필 패턴]], [[Copyright]]
−
image:iphone5s01_168.jpg
+
image:iphone5s01_168.jpg | [[IDT C]]
−
image:iphone5s01_169.jpg
+
image:iphone5s01_169.jpg | [[IDT C]] 주기 1.67um 구경 24.7um 39주기
−
image:iphone5s01_170.jpg
+
</gallery>
−
image:iphone5s01_171.jpg
+
<li>[[IDT C]] 중요 치수
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_170.jpg | 1.98x1.6mm (active area 1130x567um) 0.04pF이 최소라면, 0.04x20줄x14행=11pF
 +
image:iphone5s01_171.jpg | 추정 동작 원리
 +
</gallery>
 +
<li>세라믹 부품(밸룬?) 양쪽으로 코일이 형성되었고,
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_172.jpg
 
image:iphone5s01_172.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li> [[GPS LNA+SAW 모듈]]
 +
<ol>
 +
<li>Skyworks 78614 ??? 3.0x2.5mm
 +
<ol>
 +
<li>다이버시티 [[안테나]] 부근(=GPS/WiFi 근처임)에 있다.
 +
</ol>
 +
<li> [[RF모듈에서 실드 코팅]]이 윗면만 되어 있다. 측면은 코팅되어 있지 않다.
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_173.jpg
 
image:iphone5s01_173.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>윗면 표면을 깍아보니, 구리 금속 펜스가 노출된다. 어떻게 구리 펜스를 붙였는지 분해 실패로 알 수 없음.
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_174.jpg
 
image:iphone5s01_174.jpg
 
image:iphone5s01_175.jpg
 
image:iphone5s01_175.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>밑면
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_176.jpg
 
image:iphone5s01_176.jpg
−
image:iphone5s01_177.jpg
+
</gallery>
−
image:iphone5s01_178.jpg
+
<li>[[발연질산]]에 녹이면,
−
image:iphone5s01_179.jpg
+
<gallery>
−
image:iphone5s01_180.jpg
+
image:iphone5s01_177.jpg | 0.4x0.2 MLCC 6개, 적층형L 2개, 박막형L 1개, 권선형L 1개, SAW 필터,  LNA
 +
</gallery>
 +
<li>사용된 [[SAW-GPS]] 필터
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_178.jpg | 947x855um
 +
image:iphone5s01_179.jpg | 엡코스 [[광학 해상도 차트]]이다. 엡코스 SAW필터를 구매하였다.
 +
image:iphone5s01_180.jpg | 주기: 2.56um 주파수: 1575MHz 속도: 4035/sec
 
image:iphone5s01_181.jpg
 
image:iphone5s01_181.jpg
−
image:iphone5s01_182.jpg
+
</gallery>
−
image:iphone5s01_183.jpg
+
<li>[[발연질산]]에 녹은 [[LNA]]
−
image:iphone5s01_184.jpg
+
<gallery>
−
image:iphone5s01_185.jpg
+
image:iphone5s01_182.jpg | GaAs를 유리판에서 키운듯. (투명 유리판 813x795um 만 남아 있음)
−
image:iphone5s01_186.jpg
+
</gallery>
−
image:iphone5s01_187.jpg
+
</ol>
 +
<li>3축 [[자이로]] 센서
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_183.jpg | Bosch Sensortec BMA220(?) 3-axis gyroscope
 +
image:iphone5s01_183_001.jpg
 +
image:iphone5s01_183_002.jpg | 3축 [[가속도]] 센서와 비교(IC 위치가 위 아래로 다르다.)
 +
image:iphone5s01_183_003.jpg | 가열하여 밀어보면, 접착면 풀이 유리질처럼 보인다.
 +
</gallery>
 +
<li>3축 [[가속도]] 센서
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_184.jpg | STM 3-axis accelerometer
 +
image:iphone5s01_184_001.jpg | 두 장 실리콘 웨이퍼를 서로 붙여 만들고, 그 위에 판독 IC를 올려놓고, 판독IC에서 패키지기판으로 와이어 본딩했다.
 +
image:iphone5s01_184_002.jpg | BSOB [[Au 볼 와이어본딩]]을 위한 [[와이어본딩 패드]] 두께가 웨이퍼 본딩 접착층 두께와 같다.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>앞면, 화면 패널 위쪽
 +
<ol>
 +
<li> [[리시버용 스피커]]
 +
<ol>
 +
<li>리시버 왼쪽에, 카메라 왼쪽 등 두 군데에 빛을 감지하는 창이 있다.
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_185.jpg | 리시버 구멍 밑에는 마이크도 있다.
 +
image:iphone5s01_247.jpg | 금속 [[그물망]]을 사용했다.
 +
</gallery>
 +
<li>리시버 분해
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_186.jpg | 리시버 뒷면
 +
image:iphone5s01_187.jpg | 리시버를 들어올리면 전기접점 4개가 보인다.
 
image:iphone5s01_188.jpg
 
image:iphone5s01_188.jpg
 
image:iphone5s01_189.jpg
 
image:iphone5s01_189.jpg
−
image:iphone5s01_190.jpg
+
image:iphone5s01_190.jpg | 진동판은 폼형태의 두꺼운 재질
 +
</gallery>
 +
<li>영구자석 외곽에 field 코일 및 내부에 voice 코일 두 개가 있다. HAC(Hearing Aid Compatible;보청기 호환성) 법률을 위해.
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_191.jpg
 
image:iphone5s01_191.jpg
−
image:iphone5s01_192.jpg
+
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>위 앞면, 리시버 바로 옆에 있는, 보조 통화용(?) 세번째 [[MEMS마이크]], bottom 타입
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_192.jpg | 리시버  sound outlet port hole과 마이크용 sound inlet 구멍
 
image:iphone5s01_193.jpg
 
image:iphone5s01_193.jpg
−
image:iphone5s01_194.jpg
+
image:iphone5s01_194.jpg | sound inlet
−
image:iphone5s01_195.jpg
+
image:iphone5s01_195.jpg | M1663 2472 M2 106
 +
</gallery>
 +
<li>전면 카메라용 [[핸드폰용 이미지센서]]
 +
<ol>
 +
<li>뜯어내면
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_196.jpg
 
image:iphone5s01_196.jpg
 
image:iphone5s01_197.jpg
 
image:iphone5s01_197.jpg
−
image:iphone5s01_198.jpg
+
image:iphone5s01_198.jpg | 세라믹 기판을 사용했다.
 +
</gallery>
 +
<li>센서 [[방열]]을 위한 [[히트 스프레더]]용 동박
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_006.jpg | 위쪽 화면 패널에서, 왼쪽 검은 테이프가 이 전면 카메라용 방열테이프이다.
 
image:iphone5s01_199.jpg
 
image:iphone5s01_199.jpg
 +
image:iphone5s01_200.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>센서 뒷면
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_201.jpg | [[서멀 패드]](?)특성을 갖는 전기전도성(?) [[양면 접착테이프]]로 F-PCB 뒷면과 금속판을 고정함.
 +
image:iphone5s01_202.jpg | F-PCB를 뜯으면, [[플립본딩]]된 이미지센서 뒷면이 보임.
 +
</gallery>
 +
<li>IR 차단 [[광학필터]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_203.jpg | 렌즈어셈블리를 뜯으면
 +
image:iphone5s01_204.jpg | 유리로 만든 IR 컷 필터
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li> [[주변광 조도센서]] Ambient Light Sensor
 +
<ol>
 +
<li> [[색균형]]을 위해 색온도를 알아내려면 컬러필터가 센서표면에 발라져 있어야 할 것이다.(?)
 +
<ol>
 +
<li>듀얼톤 [[플래시LED]] 동작은 먼저 사전 발광을 하여 장면 색온도와 일치하도록 계산을 한 다음 올바른 색온도로 캡쳐가 되도록 플래시가 본 발광을 한다.
 +
<li>카메라 이미지센서가 색온도를 계산을 하므로 주변광 색온도를 측정하는 센서는 없다.
 +
</ol>
 +
<li>전면 카메라 바로 옆에 있다.
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_205.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>중성색 회색을 내기 위한 뿌옇게(거품?) 처리한 창
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_206.jpg
 +
image:iphone5s01_207.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>다른 방향에서 들어오는 빛을 차단하는 검정 [[고무]] 프레임
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_208.jpg
 +
image:iphone5s01_209.jpg
 +
</gallery>
 +
<li> [[WLP]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_210.jpg | BGA 연결
 +
image:iphone5s01_211.jpg | [[발연질산]]으로 접착제를 제거한 후 뒤집어 본 본딩면(45도 측면 연결전극 및 뒷면 BGA가 사라졌다.)
 +
image:iphone5s01_212.jpg | WLP를 위해 에칭으로 실리콘 다이 측면을 45도 경사로 만들었다.
 +
</gallery>
 +
<li>조도센서 다이
 +
<ol>
 +
<li>보호유리판(아니면 IR차단 [[광학필터]])이 있는 상태에서
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_213.jpg | A2581C, TAOS 2008 MASK WORK
 +
</gallery>
 +
<li>[[발연질산]]에 담궈 접착제를 제거하여 뜯어낸 후,
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_213_001.jpg
 +
image:iphone5s01_213_002.jpg | 연마가루로 광을 낸 후(45도로 잘린 가장자리는 얇아 쉽게 깨진다.)
 +
</gallery>
 +
<li>패턴
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_213_003.jpg | 공정진행 마크
 +
image:iphone5s01_213_004.jpg | [[포토다이오드]] 패턴
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li> [[핸드폰용 근접센서]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_214.jpg
 +
image:iphone5s01_215.jpg | 발광 수광부간 철저한 isolation을 위한 패키징 구조
 +
image:iphone5s01_216.jpg | 볼록 [[광학렌즈]]가 금속 리드 프레임에 사출되어 붙어 있음.
 +
image:iphone5s01_217.jpg | [[광학렌즈]]를 제거하면
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>앞면, 화면 패널 아래쪽에 있는 Home Button Assembly
 +
<ol>
 +
<li>[[지문]]센서 및 지문센서를 누르면 동작하는 [[택타일]] 스위치가 있다.
 +
<ol>
 +
<li>지문센서 택타일 누름스위치
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_218.jpg | 누르면 들어가도록 설계되어 있다.
 +
image:iphone5s01_219.jpg | 택타일 스위치가 동작되도록 뒤에서 받치고 있다.
 +
image:iphone5s01_220.jpg | 택타일 스위치가 있다.
 +
image:iphone5s01_221.jpg | 지문센서 모듈을 분리하면
 
</gallery>
 
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>붙어 있는 [[택타일]] 스위치를 뜯어 분해하면
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_222.jpg | [[레이저 용접]]. 지문센서 모듈 전체가 택타일 스위치를 누른다.
 +
image:iphone5s01_223.jpg | 지문센서 전체를 움직이는 탄성을 가져야하므로 크게 만든듯. [[황화은]] 문제를 일으키는 [[은]]도금은 아닌듯.
 +
</gallery>
 +
<li> [[정전식 지문센서]]
 +
<ol>
 +
<li>지문센서 프레임을 [[스테인리스 스틸]]로 만들었다.
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_224.jpg | 금속에 검정 코팅했다. 긁어도 벗겨지지 않는다.
 +
image:iphone5s01_225.jpg | CNC 기계 가공으로 모든 형상을 만들었다.
 +
</gallery>
 +
<li>지문센서를 찾기 위해 계속 분해
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_226.jpg | 레이저 용접 판을 뜯으면, F-PCB가 있다.
 +
image:iphone5s01_227.jpg | F-PCB를 뜯으면, 지문센서 IC가 나타난다. F-PCB에 IC를 다이본딩/와이어본딩한 후에 보호 커버창을 붙였다.
 +
</gallery>
 +
<li>지문센서를 눌러도 문제가 없도록 한 고정 방법
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_228.jpg | 파랑 원형이 [[사파이어]]이다.
 +
image:iphone5s01_229.jpg | 누르는 힘은 모두 [[사파이어]]가 받는다.
 +
</gallery>
 +
<li>지문센서 측면
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_230.jpg | 지문센서 실리콘 IC는 두 번 [[다이싱]]으로 잘랐다.
 +
image:iphone5s01_231.jpg | 지문센서 커버창은 레이저 [[다이싱]]. 센서IC와 커버창은 서로 약간 떠 있다.
 +
image:iphone5s01_230_001.jpg | 그림
 +
</gallery>
 +
<li>보호창(protective window)으로 [[사파이어]]를 IC에 풀로 붙였다.
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_231_001.jpg | 손가락이 닿는 앞면
 +
image:iphone5s01_231_002.jpg | 뒷면(센서 부착면)
 +
image:iphone5s01_231_002_001.jpg | 측면 및 뒷면을 긁어보니, 잘 긁히지 않는 [[사파이어]] 맞다.
 +
</gallery>
 +
<li>지문센서 다이
 +
<ol>
 +
<li>전체
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_231_003.jpg | 88x88 = 7744 cells
 +
</gallery>
 +
<li>[[와이어본딩]] 후 와이어루프가 다이 표면 위로 올라오면 안되므로 실리콘 두께 일부를 에칭으로 깍아내고 [[와이어본딩 패드]]를 만들었다.
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_231_004.jpg
 +
image:iphone5s01_231_005.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>정전용량을 측정하는 금속 전극
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_231_007.jpg
 +
image:iphone5s01_231_008.jpg | 피치 51um
 +
</gallery>
 +
<li> [[IC 표식]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_231_006.jpg | TMDR92(AuthenTec 어센텍. 2012년 애플이 356M달러에 인수했다.)
 +
image:iphone5s01_231_009.jpg | [[Copyright]] 마크
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>강화유리가 붙어 있는 [[핸드폰 LCD]] 패널
 +
<ol>
 +
<li>강화유리, 터치스크린, LCD 디스플레이(백라이트 포함), 금속 방열판 이런 순서로 붙어 있다.
 +
<li>금속판
 +
<ol>
 +
<li>(안테나 성능을 높이기 위한) 전면 접지판 및 [[방열]]([[모바일 AP]], [[BLU LED] 발열)을 위해 있다.
 +
<li>금속 메인 프레임과 접지하는 방법
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_232.jpg
 +
image:iphone5s01_233.jpg | 전면 접지가 나사로 연결되어 측면 클립과 연결된다. 측면 클립은 뒷면 금속 프레임과 연결된다.
 +
image:iphone5s01_234.jpg | 메인 보드 접지와 서로 연결되는 접지 스프링 단자
 +
</gallery>
 +
<li> [[그라파이트 시트]]
 +
<ol>
 +
<li>반만 붙어 있다. 화면 백라이트와 붙어 있는 금속판(방열 및 실딩)을 뜯어내면, 메인보드와 맞붙는 영역에만 방열필름이 붙어 있다.
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_235.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>부착 방법
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_236.jpg | 잘 쪼개져 벌어지는 그라파이트를 고정하기 양쪽 보호 테이프
 +
image:iphone5s01_237.jpg | 전체([[양면 접착테이프]]+그라파이트+보호테이프) 두께 ~30um
 +
image:iphone5s01_238.jpg | graphite heat spreader sheet
 +
</gallery>
 +
<li>[[그라파이트 시트]] 필름 전체를 뜯어
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_235_001.jpg | 매우 얇아 상온에서는 쉽게 찢어져, 열을 가해서 뜯어낸 후
 +
image:iphone5s01_235_002.jpg | 빨갛게 태운 후에도 그대로이다. 두께 20um. 그러면 양쪽 [[접착테이프]] 두께는 각각 ~5um.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>화면 패널 4변에서 플라스틱 부착물을 뜯어냄
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_239.jpg | 방열판과 나사로 체결되어 메인보드 접지와 더 확실한 연결을 위한 금속 프레임
 +
image:iphone5s01_240.jpg | 강화유리에 풀로 붙인 플라스틱 프레임(안테나 때문에 비금속 재료를 사용한다.)
 +
</gallery>
 +
<li> [[BLU LED]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_241.jpg | 사이드뷰(side-view ) 8개
 +
image:iphone5s01_242.jpg | LCD 백라이트를 뜯으면
 +
</gallery>
 +
<li> [[핸드폰 LCD]]
 +
<ol>
 +
<li>안테나에 영향을 주지 않기 위해 EMI가 방줄되는(?) 곳에 [[실드 깡통]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_243.jpg | [[실드 깡통]]
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image:iphone5s01_244.jpg | [[실드 깡통]]을 뜯으니, LCD용 DDI를 위한 [[MLCC]]
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<li> [[지연선]]
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image:iphone5s01_245.jpg
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image:iphone5s01_246.jpg | 전달 시간을 맞추기 위해 길이 조정(?)
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<li>유리에 코팅된 금속막에 [[레이저 마킹]]
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image:iphone5s01_247.jpg
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image:iphone5s01_248.jpg | 레이저로 마킹(이 때 발생하는 가루를 잘 제거해야 한다.)한 글씨와 카메라 인식 패턴
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2022년 12월 7일 (수) 10:19 기준 최신판

iPhone 5S

  1. 링크
    1. 전자부품
      1. 핸드폰
        1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰 - 이 페이지
  2. 기술자료
    1. 외부 링크
      1. 위키페이아 https://en.wikipedia.org/wiki/IPhone_5S
      2. 2013.10 한국출시
    2. 분해제품 모델: A1530, Asia Pacific 용
      1. LTE Bands
        1. 1: 2100
        2. 2: 1900
        3. 3: 1800
        4. 5: 850
        5. 7: 2600
        6. 8: 900
        7. 20: 800 DD
        8. 38: TD 2600
        9. 39: TD 1900
        10. 40: TD 2300
  3. 외관
    • iphone5s01 001.jpg

    • 모델 A1530, 각 대륙,나라별로 통신주파수가 다르기 때문에 여러 모델이 필요하다.

  4. 위 아래에 위치한 셀룰라 안테나를 위해 금속 몸통을 분리했다.
    • iphone5s01 003.jpg

    • 검정색은 전파를 통과시키는 유리판

    • 전기적으로 분리된 곳

  5. 디스플레이가 부착된 앞판을 뜯으면
    1. 앞판을 들어올리면

      • 셀룰라 안테나 특성을 위해 앞판도 본체접지로 확실히 연결되기 위한 금속판 클립이 보인다.

      • 적외선 방열을 위한 검정색 테이핑

    2. 측면 - 접지 연결을 위한 금속 클립

      • 판 스프링을 측면에 붙였다.

      • press-fit으로 너트 고정을 한 것으로 보아, 프레임은 강도가 약한 6061 알루미늄일 것이다.

      • 누름버튼 스위치 고정방법

    3. 상부, 후면 메인 카메라 부근
      • iphone5s01 015.jpg
      • iphone5s01 016.jpg
    4. 메인 보드 윗쪽 실드 깡통에서
    5. 메인 카메라 부근 여러 커넥터 및 히트 스프레더 및 절연용 필름
      • iphone5s01 020.jpg
      • iphone5s01 021.jpg
    6. 아랫쪽
      • iphone5s01 024.jpg
    7. 아랫쪽, 마이크로 스피커 부근
      • iphone5s01 022.jpg
    8. 이어폰, 통화용 MEMS마이크 부근
      • iphone5s01 023.jpg
  6. 파우치 2차-리튬 배터리
    1. 배터리 분리

      • (매우 잘 늘어나는) 방열용 열전도를 위해 넓게 붙인 흰색 양면 접착테이프

      • 배터리 및 RF 커넥터를 누르는 금속판(형상을 위해 얇은 철판을 사용하고, 강도를 위해 두 장을 레이저 용접하여 붙였다.)은 양쪽 나사로 고정한다.

      • 큰 전류가 흐르도록 (접촉저항을 낮추기 위해) 점접촉을 피하고 여러 곳에서 선접촉을 하는 소형 전류 커넥터

    2. 배터리 보호회로 분해

      • 제조회사 중국 Huizhou Desay, 모델 18S2001-AL, 정격 3.8V 1560mAh

      • 비닐주머니 실링 폭이 넓다. 180도+90도 두 번 접는다.

      • iphone5s01 008 003.jpg
    3. 대전류 외부 단자를 (접촉저항을 낮추기 위한) PCB에 연결하는 방법

      • 납땜으로 용접용 단자 붙이고,

      • 팩에서 나오는 전극은 레이저 용접?으로 연결

    4. SMD타입 전류검출용R, PCB에 Metal strip을 붙여서 만들었다.
      1. 외관 (아마 대만 Cyntec 회사 제품으로 추정)
        • iphone5s01 008 006.jpg
        • iphone5s01 008 007.jpg
      2. 저항온도계수 TCR 측정 엑셀 데이터

        • 끼워 연결했다. ~0.025오옴 저항

        • 온도프로파일. 70도 도달한 후 오븐을 OFF해서 자연냉각을 함

        • 측정 저항

        • 온도계수 + 0.00123 인 금속(참고 98Cu2Ni 0.0014, 니크롬80 0.00011, 구리 0.00393, 은 0.0038)

      3. 구조 - PCB에 금속판을 붙였다. 위쪽 더미 금속은 열팽창 때문에 휘는 것을 막기 위해(?)
        • iphone5s01 008 009.jpg
      4. 레이저 트리밍
        • iphone5s01 008 010.jpg
        • iphone5s01 008 011.jpg
        • iphone5s01 008 012.jpg
  7. 아랫쪽에 있는 (스피커, 마이크, 충전단자, 이어폰단자, 안테나 등) 영역에서
    1. 셀룰라 안테나. WiFi 안테나도 포함되어 있는데 구분하지 않고 설명한다.
      1. 마이크로 스피커 위로 지나가는 안테나

        • 전면 구멍 위(금속이 없는 부위다.)로 안테나 가 지나간다.

        • iphone5s01 032.jpg
      2. 아래쪽 메인 안테나 와 연결되는 동축 케이블
        • iphone5s01 036.jpg
      3. F-PCB와 함께 수직으로 떨어져 공간을 구성하는 기구물 안테나
        • iphone5s01 035.jpg
      4. 안테나 기능을 수행하면서 부품을 연결하는 F-PCB
        1. 뜯어내면
          • iphone5s01 034.jpg
        2. 특히 이어폰 전선은 FM 안테나 역할을 한다.
        3. A면
          • iphone5s01 034 004.jpg

          • 중앙 두 지점이 동축케이블 납땜

          • iphone5s01 034 006.jpg
          • iphone5s01 034 007.jpg
          • iphone5s01 034 008.jpg

          • RFMD 1113 튜너블C

        4. B면
          • iphone5s01 034 010.jpg

          • 이어폰 단자를 위한 bias tee로 추정

          • 어떤 안테나와 매칭

    2. 이어폰단자, 통화용 MEMS마이크 , 충전단자, 마이크로 스피커
      • iphone5s01 024.jpg

      • 이어폰단자, 통화용 MEMS마이크 , 충전단자용 구멍

      • 이어폰단자, 통화용 MEMS마이크 , 충전단자 등을 연결하는 F-PCB

    3. 애플 Lightning USB 케이블이 꼽히는 충전단자 - 먼지가 계속 눌려 쌓인다.

      • SMT 되는 밑면

      • 딱딱하지 않는 수지, 흔들리지 않는 받침점, 그리고 튼튼한 걸쇠

    4. 3.5mm 이어폰 커넥터

      • F-PCB와 연결된다.

      • 5단자 SMD

      • 앞 3단자는 점접촉, 뒤 2 단자는 선접촉

      • (어쩔 수 없이) 먼지가 끝단에 쌓인다.

    5. 마이크로 스피커
      1. 위치

        • 우측 상단

      2. 외관

        • 전극 연결 방법.

        • 위판은 자석용 금속이다. 전면 구멍 위(금속이 없는 부위다.)로 안테나가 지나간다.

        • 밑판이 금속이다.(Magnetic Field Shielding 위해 loop를 형성하기 위해????) 오른쪽 백볼륨에 공기가 드나드는 체크밸브(?)가 있다.

      3. LCR-4284A 계측기로 임피던스 측정 엑셀 파일
        1. 임피던스 측정 그래프

          • 공진이 지나고 최저점이 "스피커 공칭임피던스"이다. 7.55오옴 @2.3kHz

          • 위상이 +에서 -로 바뀌는 0지점이 공진주파수이다. 이 때 임피던스는 최대값을 보인다.

        2. DC 바이어스 전류에 따른 임피던스
          • iphone5s01 028 003.png

          • -전류에 코일은 뒤로 후퇴한다. 자석 중심에서 코일에 뒤쪽으로 치우쳐 조립되었다. 전류가 60mA 이상 흐르면 THD가 급격히 나빠진다.

          • iphone5s01 028 005.png
        3. 백볼륨 구멍을 내면

          • 백볼륨에 구멍을 뚫고

          • 백볼륨 전체를 없애면

          • 백볼륨에 구멍이 뚫리면, (당연히)공진주파수가 낮아진다.

      4. 구조
        • iphone5s01 030.jpg

        • 진동판은 비교적 단단한 스폰지 양면에 금속 포일을 양면테이프로 붙였다.

        • 스피커 전면 구멍에 비해 백볼륨 체적이 훨씬 크다. 백볼륨에 스폰지가 있다.

      5. 그림

        • 진동판 후퇴간격이 전진간격에 비해 짧다.

    6. 통화용 MEMS마이크, bottom 타입
      • iphone5s01 038.jpg

      • HP SR613 4227 M3, 3.4x2.5mm

      • E2140C 03272

      • iphone5s01 041.jpg
      • iphone5s01 042.jpg
  8. 위쪽 안테나 (GPS/WiFi 및 다이버시티) 부근
    1. F-PCB에서. 왼쪽 volume 상하 택타일 버튼 스위치, 왼쪽 ring/mute=silent 슬라이드 스위치, 진동모터 접촉단자, 마이크, 플래시LED, 상단 hold(=sleep/wake) 택타일 버튼 스위치용
      1. F-PCB 어셈블리
        • iphone5s01 014 001.jpg

        • 고전류 동박은 동박폭을 넓힌다.

        • 동박 설계 1. 굴곡부위엔 위면동박에 초승달 모양으로 덧댄다. 2. 신호선폭이 좁아야 끊어짐에 유리한 듯.

      2. 택타일 스위치

        • 스위치 고정방법

        • iphone5s01 014 004.jpg

        • 좁은 면적에서 원하는 큰 탄성을 얻기 위해서 metal dome 을 3개 사용하고 있다.

        • 추정 stress-strain curve

      3. ring 및 mute(=silent)용 슬라이드 스위치
        • iphone5s01 013 001.jpg
        • iphone5s01 013 002.jpg
    2. 바타입 ERM 진동모터
      1. 위치 및 고정방법

        • 고정 철판이 안테나 와 관계되는 듯

      2. 외형 관찰

        • 스프링 접점

        • 나사 체결을 위한 브라켓을 레이저 용접으로 모터와 연결

        • Redmi Note 4X에 사용된 모터(오른쪽에 있는 F-PCB부착품)와 크기 비교. 회전체 추 무게를 늘리기 위해 빈공간을 활용했다.

      3. 브러시모터 내부
        • iphone5s01 050.jpg
        • iphone5s01 051.jpg
        • iphone5s01 052.jpg
      4. 모터 전원과 직렬로 3개 연결된, 초크 인덕터로 이용하는 다층형 RF용 인덕터
        1. 동작(PWM)시키면 브러시모터는 EMI 잡음 방사되므로, 모터 근처에서 전선이 짧은 상태에서 잡음을 억제해야 한다.
          • iphone5s01 047 001.jpg
          • iphone5s01 047 002.jpg

          • +에 3개 직렬, -에 3개 직렬

          • 인덕터 방향

          • 서로 coupling되도록 문제없이 장착됨.

        2. 측정 데이터
          • iphone5s01 047 005.jpg

          • 단품 측정하면 L 하나가 100nH 나온다.

          • 실측. 30nH로 나온다.

    3. 카메라 모듈, MEMS마이크 부근, GPS/WiFi 안테나

      • 보드에 HF/e1 글씨 부품은 GPS LNA 모듈이다. 나사는 GPS 안테나 고정용인듯

    4. 핸드폰 위 뒷면에 있는, 잡음 제거용 MEMS마이크, bottom 타입

      • 구멍이 뚫린 이유

      • iphone5s01 055.jpg

      • C1281 6616 M1 284

      • iphone5s01 057 001.jpg
    5. 메인 카메라용 듀얼톤 플래시LED
      1. 프레넬 광학렌즈
        • iphone5s01 058.jpg

        • 전체가 백색인 유리섬유 유기물기판 인터포저를 사용했다.

        • 렌즈 단면

        • 볼록렌즈보다 두께를 얇게할 수 있다.

      2. 2.0x1.6mm LED 두 개
        • iphone5s01 058 002.jpg

        • 인터포저에 백색 반사 필름을 붙였다.

      3. LED 칩

        • 타이바가 있는 금 전기도금 2.0x1.6mm

        • 뒷면, 하양 알루미나 기판 (긁어 경도를 파악해 볼 때?) 기판에 12자리 레이저 마킹 1450311M0112

      4. 25개 Au Stud 플립본딩 및 실리콘수지(?) 언더필
        • iphone5s01 058 006.jpg
    6. 후면, 메인 핸드폰용 이미지센서 카메라 모듈
      1. 장착 위치
        • iphone5s01 056.jpg
      2. 실드 깡통인 금속 케이스
        • iphone5s01 059.jpg
      3. F-PCB와 연결. 내부에 ISP가 없기 때문에 카메라 원신호는 모두 AP로 연결해야 한다.(?)

        • 뚫려 있는 세라믹 패키지 안쪽으로 풀칠된 실리콘 다이가 있다.

        • 세라믹 패키지 왼쪽에는 AF VCM용 전류단자 2개, 오른쪽 접지단자

      4. 프레임(창틀) 형태를 갖는 알루미나 기판 위에 뭘 붙이는 방법
        • iphone5s01 062.jpg

        • 블루유리에 만든 IR컷 광학필터가 붙어 있다.

      5. 판스프링 VCM AF

        • VCM 전류공급용 단자 2개

        • 4코너에 영구자석, leaf spring

      6. Au Double Stacked-Bump 범프본딩 및 초음파 플립본딩
      7. IR 차단 광학필터
        1. 필터를 뜯어내면

          • IR필터 업체에서는, 센서를 패키지 속에 넣었기 때문에 inner housing이라고 부르고, 이 표면에 붙이면 된다.

          • IR필터에 검정칠을 하는 이유(?)

          • iphone5s01 070.jpg
          • iphone5s01 071.jpg
        2. 유리를 잘라내는 다이싱 방법

          • 광학필터 유리가 잘린 단면이 보인다.

          • 레이저 다이싱

          • 유리두께 0.30mm, 코팅두께 약 6um

          • 레이저 피치 10.0um

      8. 알루미나 기판 형태

        • 발연질산에 넣은 후 초음파 세척하니, 니켈층이 없어져 그 위 금도금막이 모두 떨어짐

      9. 다이 대부분 면적은 센서가 차지한다.(ISP 영역이 거의 없다.)
      10. 실리콘 센서는 앞면에서 회전 블레이드로 두 번(?) 다이싱
        • iphone5s01 079.jpg
        • iphone5s01 080.jpg
    7. 카메라 렌즈가 긁히지 않도록 외부에 붙이는 보호 사파이어창
      1. (안테나를 위해 금속을 사용하지 못하는 영역에 사용된) 유리판에 3개 구멍이 뚫려 있다.

        • 3개 구멍

        • 유리판을 뜯어내면. 유리를 붙이는 접착력 때문에 중간에서 부러졌다.

      2. 유리판에 붙어 있는 금속프레임 속에 둥근 사파이어가 붙어 있다.
        • iphone5s01 096.jpg
        • iphone5s01 096 001.jpg
      3. 두께 250um 사파이어이다. (반사방지 AR;anti-reflection)광학코팅되어 있다.
        1. 접착제로 풀칠로 금속과 사파이어를 붙였다.

          • 접착제가 잘 붙기 위해서(?) 기계가공으로 거칠게(표면적을 넓힌) 가공한 프레임 + 풀칠

        2. 레이저로 다이싱

          • 원형 가공면이 taper진 형태

          • taper 가공이 되는 이유(?)

          • 레이저 다이싱, 무반사 코팅이 샌 흔적

    8. 위쪽 다이버시티(?) 셀룰라 안테나
      1. 앞에서 볼 때, 우측은 GPS/WiFi 안테나 등이 있어, 좌측에 형성되어 있다.
        • iphone5s01 081.jpg
        • iphone5s01 082.jpg
        • iphone5s01 083.jpg
      2. 진동모터 고정 브라켓도 안테나 역할인듯
      3. 다이버시티 셀룰라 안테나
        • iphone5s01 086.jpg

        • 뒷면에서 볼 때 오른쪽, 검정은 유리판이다.

      4. 셀룰라 안테나 패턴
        • iphone5s01 088.jpg
        • iphone5s01 089.jpg
        • iphone5s01 090.jpg
      5. F-PCB에 형성된 CBCPW(conductor backed coplanar waveguide) 평면 전송라인

        • 층 중간으로 통과하고 있다.

        • iphone5s01 092.jpg
        • iphone5s01 093.jpg

        • 측정한 각 층 두께

      6. 위쪽 누름 택타일 스위치 - 매우 튼튼하게 만들었다.
        • iphone5s01 085.jpg
  9. 알루미늄 메탈 프레임 전체

    • 아래쪽 유리판을 뜯으면(이 공간으로 메인안테나 가 동작해야 한다.)

    • 모든 것을 뜯어낸 후 프레임 전체

  10. 메인보드
    1. 모바일AP 밑에서 기판 층수 파악

      • 10층

      • 10층

    2. 기판 측면 접지를 만들어 활용
    3. 뒷면, 전체를 감싼 실드 깡통 하나
      • iphone5s01 134.jpg
    4. 터치스크린용 터치콘트롤러 cumulus chip and meson chip
      1. TI 343S0645 Digitizer Controller IC // Broadcom BCM5976 touch screen IC // TI 65739A0P ???
        • iphone5s01 112.jpg
      2. 두 IC 패턴에 대한 의견 - 동일한 패턴이 IC에 있다. 인접한 두 전극사이 C를 실시간으로 측정하기 위해 개별 ADC가 있는 듯. C값이 비교적 크므로 측정시간이 늦어지는데 이 때 ADC 하나에 스위치를 사용하면 매우 늦어진다. 빠른 터치 반응속도를 위해서. 다른 터치 패널에 사용되는 하나의 IC보다도 더 큰 IC 두 개를 사용한다.
        • iphone5s01 112 003.jpg
        • iphone5s01 112 008.jpg
      3. Broadcom, Touchscreen Controller
        • iphone5s01 112 001.jpg

        • 와이어본딩타입 다이를 유기물층으로 RDL을 만들었다.

        • iphone5s01 112 003.jpg

        • Broadcom BCM5976 2011

      4. TI, Touchscreen Line Driver

        • 와이어본딩타입이 아닌, 처음부터 BGA타입으로 다이를 만들었다.

        • TI 2012

        • CDPF3246C0

        • iphone5s01 112 011.jpg
        • iphone5s01 112 012.jpg
    5. WiFi모듈, TDD 밴드
      1. RF모듈에서 실드 코팅되어 있다.
        • iphone5s01 099.jpg
      2. TDD용, Triquint 듀얼 SMR 필터(Tx, Rx 신호가 시간적으로 스위칭되어 흐른다.) ????
        1. 외관, 1.8x1.4mm dual filter
          • iphone5s01 100.jpg
          • iphone5s01 101.jpg

          • 다이싱이 내부전극 패턴이 있는 곳을 자른다.

        2. 분해

          • 이젝트 핀 자국

          • iphone5s01 104.jpg

          • 플립본딩

        3. 다이1

          • X27

        4. 다이2

          • EG9442 X10 Y27 프루빙을 위한 별도의 패드

          • TQS 2013

          • 프루빙 바늘이 긁은 흔적

      3. Ag 페이스트로 스프레이 실드 코팅 + 스핀 코팅된 WiFi모듈
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      4. 모자 형태로 두 번 다이싱
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        • 밑면에 Ag 페이스트가 듬뿍(스핀 코팅 증거?)

        • 4변에 동박 노출시켜 Ag와 접지

      5. 표면을 깍아보면

        • Broadcom BCM43342, WIFI/BT/NFC/FM

      6. PCB
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      7. PCB 뜯어내고 밑면 윗면 관찰

        • 밑면

        • 윗면

      8. 1.6x1.2x0.3mm Xtal세라믹

        • 무라타가 TEW를 샀기 때문에, TEW 제품으로 추정

        • 낱개 상태로 AuSn 리드 실링을 함

      9. CSP SAW #1 SAW-핸드폰RF
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        • 주기 1.56um 그렇다면 2.53GHz(?)용

      10. CSP SAW #2 SAW-핸드폰RF
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        • 주기 1.645um 2.4GHz WiFi용으로 추정

      11. RF IC #1 - FEM
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      12. RF IC #2 - PAM(?) - 발연질산에 오래 넣어두니 다이가 모두 녹아 없어졌다. 그러므로 GaAs 웨이퍼인듯
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        • 두 다이 두께가 다르다.

    6. 퀄컴 RF 송수신 칩이 있는, 앞면에서
      1. 전체

        • 실드캔 벗기면

        • Qualcomm MDM9615M // Qualcomm WTR1605L

      2. SG마킹: RF스위치IC
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        • Infineon Technologies, M4798A1

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      3. SAW-핸드폰RF 필터 두 개
        1. 사진
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        2. Epcos, CSP, 9906마킹: 1.5x1.1mm dual SAW
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          • RF48B(?)

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        3. Murata, CSP, NAG마킹: 2.2x1.1mm triple SAW
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          • DN76-A1

          • DN73 A1, DN74 A1

      4. SAW-핸드폰RF 싱글 필터, FBAR 필터 뱅크
        1. 사진
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        2. YA마킹: 1.4x1.1mm single SAW

          • DD07-A1

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        3. A(아바고)D3R마킹: triple FBAR 필터 뱅크
          1. 두 다이 측면
          2. 두 다이, 솔더링면. via를 통해 내부와 연결된다.

            • MN KV F / M9 NO M

          3. 큰 다이
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          4. 작은 다이

            • 뚜껑 두 변을 뜯으면

            • 완전히 뜯으면. 좁은 Au 띠로 접착

            • 뚜껑 접착면.

      5. 주변 매칭 RF용L
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      6. SMR 필터
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        • 실리콘 웨이퍼 뒷면

        • EG9480 D4, TQS 2013, X02 Y26

        • E???85 RX_D3, TQS 2013, X03 Y21 - 위치별 좌표 표시

      7. BAW 필터를 위한 매칭 RF용L - 수직으로 세우는 무라타 0.4x0.2mm LQP02HQ 하이Q 시리즈와 수평장착 LQP02TN 표준(흰점마킹) 박막인덕터
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        • 내부전극 방향과 외부전극이 서 있는 방향에 따라 (기생-C 및 coupling 효과로) Q값이 결정되는 듯.

    7. 퀄컴 RF 송수신 칩이 있는, 뒷면에서
      1. Avago A790720 // TriQuint TQM6M6224 // Skyworks 77355 // RFMD 1495 // SKY477 // Skyworks 77810-12 // Murata QE // Avago A7900
        1. 외관
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        2. 몰딩 수지를 위에서부터 벗겨내
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        3. 모듈을 모두 뜯어내, 메인보드에서 납땜면을 관찰함
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      2. Skyworks 77810-12 (B 5/8 Dual PAMiD)?
        1. 모듈에서
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        2. 1.8x1.4mm, Taiyo Yuden, CSP SAW-핸드폰DPX
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        3. Murata WLP SAW DPX

          • Murata WLP roof1을 아래에서 위로 쳐다볼 때. 노랑색이 RDL 전극이다.

          • roof1을 뜯으면

          • 구리판이다.

      3. Murata QE, SAW-모듈, 스위치+SAW 모듈
        1. 보드에서

          • 절단방법

          • 좌측

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        2. 모듈에서
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        3. LTCC
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        4. LTCC 절단을 위한 롤러 스크라이버

          • 절단방법

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        5. RF스위치IC, SoS, Peregrine C9958_1 802 SP4T
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        6. WLP SAW 듀플렉서 B1(?)
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        7. WLP SAW 듀얼 필터(TDD B38? 39? 40?)
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        8. WLP SAW 싱글 필터(DCX Rx)(?)
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      4. Avago A7900, dual PAM

        • 우측

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      5. Skyworks 77355, dual PAM
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      6. Avago A790720, Dual PAMiD
        1. 메인보드에서

          • Epcos 2016 도금타입 CSP

          • 열을 가하면 솔더가 위로 분출한다.

        2. CSP SAW DPX 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다.
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        3. Epcos 2.0x1.6mm 도금타입 CSP SAW-핸드폰DPX
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          • 위에서 볼 때

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          • 솔더볼이 몰딩압력을 견디기 위해, 구리도금 벽을 세웠다.

          • AISGC 또는 AI56C

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        4. FBAR DPX에서 - RX(로 추정)
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        5. FBAR DPX에서 - TX(로 추정)
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      7. TriQuint TQM6M6224, Dual PAMiD
        1. 사진
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          • 질산에 녹아 없어졌기 때문에 GaAs 칩이다.

        2. 유리 지붕

          • 투명 유리 중앙에 다이본딩 이젝트 바늘에 묻은 접착제 성분이 보인다.

        3. 와이어본딩 타입 SMR 필터, 2밴드용 듀플렉서를 위해 칩을 4개 사용

          • 투명 유리 지붕을 찾지 못하고 망실

          • 벽

          • 와이어본딩 높이를 낮추기 위한

          • 마스크 자표 X21 Y26

      8. RFMD 1495 - ASM(antenna switch module) FEM
        1. IC는 내부 임피던스를 50오옴 맞출 수 있다. 그런데 LTCC 인터포저 동원하여 GSM PA와 연결되는 저주파 다이플렉서가 내장함.
        2. 외관
        3. 내부
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          • 갈아보니, 매우 단단한 LTCC

        4. RF스위치IC
      9. RF스위치IC 두 개
        1. 전체

          • 오른쪽에 검정다이 두 개

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        2. 마킹 A02 RF스위치IC
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          • SONY A4403P

          • iphone5s01 137 004.jpg
        3. 마킹 SKY477 RF스위치IC
      10. SAW-핸드폰RF, XF 마킹 1.5x1.1mm 듀얼필터, 무라타 제조
        1. 보드에서
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          • iphone5s01 140 001.jpg
        2. 다이에서. 막두께가 다르다. 그러므로 금속 성막 공정을 두 번 진행한다.

          • DM32-A1, DM35-A1, 1.185x0.820mm 다이크기

          • 저주파+고주파 필터가 한 다이에서 존재한다. (막두께가 다르다.)

          • 주기 4.57um

          • 주기 1.59um, 주기에서 1/2.87배 차이가 난다.

    8. 다이버시티 Rx 스위치+SAW 모듈 무라타 제조
      1. 외관

        • 몰딩 후 그라인더로 표면을 평탄화하였다.

      2. 표면부터 긁어 관찰
      3. RF스위치IC
        1. K SA 뒷면에 마킹품, SoI(slicon on Insulator) 제품
        2. Peregrine C9956_4 B02, SoS(slicon on sapphire) 제품
        3. Peregrine C9957_1 B02, SoS(slicon on sapphire) 제품
      4. WLP SAW 측면 관찰
        • iphone5s01 126 004.jpg

        • roof-1이 saw 다이와 함께 다이싱됨. 매우 딱딱한 재료. 이 roof-1 재료를 레이저로 구멍을 뚫어 사용

        • saw die와 roof-1 접착면 뜯어 촬영

        • roof-1과 -2 접착면을 뜯어 촬영

      5. 싱글 WLP SAW-1
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        • 아래 주기: 4.94um, 위 주기: 4.88um, 우측 주기: 2.89um

      6. 싱글 WLP SAW-2

        • DL08-A1

      7. 듀얼 WLP SAW-1,2,3,4

        • DL04-A1, DL00-A1

        • DK97-A1

        • DK14-A1, DK13-A1

        • DK41-A1, DK42-A1

    9. 모바일AP, Apple A7
      1. 패키지 위에 패키징된 DRAM이 올라가 있는 PoP(Package On Package) 형태임.
        1. 맨 위는 Elpida 8Gbit DDR3 DRAM 이다.
      2. 보드에서 실드 깡통을 벗기면
      3. 주변에 사용된 Low ESR, ESL MLCC
      4. 디솔더링 후, PoP된 층을 다시 디솔더링하면

        • PoP

        • AP 밑면 BGA

        • AP 다이방열을 위해 위에 있는 DRAM과 완전 밀착

      5. 순수한 모바일AP
        1. 임베디드PCB로 만든 인터포저
          • iphone5s01 130 004.jpg

          • MLCC 1.0x0.5mm 도금으로 연결됨

        2. AP 다이

          • 발연질산에 넣어 분해시, 유리섬유 직물이 부풀어 올라 다이 가장자리가 깨짐

          • 가열하여 솔더볼 SMT 접합으로 확인함

      6. DRAM Elpida 8Gbit DDR3 이므로, 다이 하나가 4Gbit
    10. 전력관리IC
      • iphone5s01 141.jpg

      • Dialog Semiconductor, 338S1216-A2 PMIC

      • NXP LCP18A1, Apple M7 coprocessor

    11. 지자기센서라고 부르는 나침반, AKM AK8963 3-axis electronic compass IC
      1. 위치하는 곳

        • 한 쪽 귀퉁이

      2. 외관

        • AKM AK8963 3-axis electronic compass IC

        • 인터포저에 BGA를 갖는 bare die가 올라가 있다.

      3. 디솔더링하여 각각 들어내면

        • 인터포저를 사용한 이유는 높게 설치하기 위해서(?)

        • 솔더볼이 없는 부위에 magnetic concentrator 가 있다.

      4. 센서 다이 다이싱 관찰
        • iphone5s01 148.jpg
        • iphone5s01 149.jpg

        • 두 번 다이싱

      5. 다이 - 핸드폰은 주로 수평면에 놓이면 X,Y축 지자기는 확실히 검출하나, Z축으로는 감도가 낮을 것이 확실함.
      6. 홀 센싱 패턴이 8개(?)

        • 남아 있는 magnetic concentrator(가 있어야 Z축을 감지하는 듯)

        • iphone5s01 157.jpg
    12. 주변 장치와 연결되는 커넥터에 사용된 CMF로 추정
      • iphone5s01 158.jpg
    13. Flash Memory
      1. 외관, SK hynix H2JTFG8YD3MBR 64GB NAND Flash

        • 17.0x12.0mm

      2. 디솔더링한 후
      3. 발연질산에 넣어두니, 가장자리부터 부풀어 올라 다이가 기다랗게 순서대로 깨짐

        • 8GB 다이 8개가 콘트롤러 위에서 와이어본딩으로 적층

        • 맨 밑 콘트롤러 IC 및 3 방향에 더미 실리콘다이

    14. 튜너블C. 다이버시티 안테나 부근에 있다.
      1. RFMD RF1112 Antenna Tuning, Programmable Array of Capacitors

        • 주변에 매칭용 여러 부품을 사용하고 있음.

      2. 폴리이미드 층이 있는 다이

        • 1.98x1.6mm

        • iphone5s01 163.jpg
        • iphone5s01 164.jpg
      3. 폴리이미드 층을 불로 태워 제거한 후 다이
      4. IDT C 중요 치수

        • 1.98x1.6mm (active area 1130x567um) 0.04pF이 최소라면, 0.04x20줄x14행=11pF

        • 추정 동작 원리

      5. 세라믹 부품(밸룬?) 양쪽으로 코일이 형성되었고,
        • iphone5s01 172.jpg
    15. GPS LNA+SAW 모듈
      1. Skyworks 78614 ??? 3.0x2.5mm
        1. 다이버시티 안테나 부근(=GPS/WiFi 근처임)에 있다.
      2. RF모듈에서 실드 코팅이 윗면만 되어 있다. 측면은 코팅되어 있지 않다.
        • iphone5s01 173.jpg
      3. 윗면 표면을 깍아보니, 구리 금속 펜스가 노출된다. 어떻게 구리 펜스를 붙였는지 분해 실패로 알 수 없음.
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        • iphone5s01 175.jpg
      4. 밑면
        • iphone5s01 176.jpg
      5. 발연질산에 녹이면,

        • 0.4x0.2 MLCC 6개, 적층형L 2개, 박막형L 1개, 권선형L 1개, SAW 필터, LNA

      6. 사용된 SAW-GPS 필터

        • 947x855um

        • 엡코스 광학 해상도 차트이다. 엡코스 SAW필터를 구매하였다.

        • 주기: 2.56um 주파수: 1575MHz 속도: 4035/sec

        • iphone5s01 181.jpg
      7. 발연질산에 녹은 LNA

        • GaAs를 유리판에서 키운듯. (투명 유리판 813x795um 만 남아 있음)

    16. 3축 자이로 센서

      • Bosch Sensortec BMA220(?) 3-axis gyroscope

      • iphone5s01 183 001.jpg

      • 3축 가속도 센서와 비교(IC 위치가 위 아래로 다르다.)

      • 가열하여 밀어보면, 접착면 풀이 유리질처럼 보인다.

    17. 3축 가속도 센서

      • STM 3-axis accelerometer

      • 두 장 실리콘 웨이퍼를 서로 붙여 만들고, 그 위에 판독 IC를 올려놓고, 판독IC에서 패키지기판으로 와이어 본딩했다.

      • BSOB Au 볼 와이어본딩을 위한 와이어본딩 패드 두께가 웨이퍼 본딩 접착층 두께와 같다.

  11. 앞면, 화면 패널 위쪽
    1. 리시버용 스피커
      1. 리시버 왼쪽에, 카메라 왼쪽 등 두 군데에 빛을 감지하는 창이 있다.

        • 리시버 구멍 밑에는 마이크도 있다.

        • 금속 그물망을 사용했다.

      2. 리시버 분해

        • 리시버 뒷면

        • 리시버를 들어올리면 전기접점 4개가 보인다.

        • iphone5s01 188.jpg
        • iphone5s01 189.jpg

        • 진동판은 폼형태의 두꺼운 재질

      3. 영구자석 외곽에 field 코일 및 내부에 voice 코일 두 개가 있다. HAC(Hearing Aid Compatible;보청기 호환성) 법률을 위해.
        • iphone5s01 191.jpg
    2. 위 앞면, 리시버 바로 옆에 있는, 보조 통화용(?) 세번째 MEMS마이크, bottom 타입

      • 리시버 sound outlet port hole과 마이크용 sound inlet 구멍

      • iphone5s01 193.jpg

      • sound inlet

      • M1663 2472 M2 106

    3. 전면 카메라용 핸드폰용 이미지센서
      1. 뜯어내면
        • iphone5s01 196.jpg
        • iphone5s01 197.jpg

        • 세라믹 기판을 사용했다.

      2. 센서 방열을 위한 히트 스프레더용 동박

        • 위쪽 화면 패널에서, 왼쪽 검은 테이프가 이 전면 카메라용 방열테이프이다.

        • iphone5s01 199.jpg
        • iphone5s01 200.jpg
      3. 센서 뒷면
      4. IR 차단 광학필터

        • 렌즈어셈블리를 뜯으면

        • 유리로 만든 IR 컷 필터

    4. 주변광 조도센서 Ambient Light Sensor
      1. 색균형을 위해 색온도를 알아내려면 컬러필터가 센서표면에 발라져 있어야 할 것이다.(?)
        1. 듀얼톤 플래시LED 동작은 먼저 사전 발광을 하여 장면 색온도와 일치하도록 계산을 한 다음 올바른 색온도로 캡쳐가 되도록 플래시가 본 발광을 한다.
        2. 카메라 이미지센서가 색온도를 계산을 하므로 주변광 색온도를 측정하는 센서는 없다.
      2. 전면 카메라 바로 옆에 있다.
        • iphone5s01 205.jpg
      3. 중성색 회색을 내기 위한 뿌옇게(거품?) 처리한 창
        • iphone5s01 206.jpg
        • iphone5s01 207.jpg
      4. 다른 방향에서 들어오는 빛을 차단하는 검정 고무 프레임
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        • iphone5s01 209.jpg
      5. WLP

        • BGA 연결

        • 발연질산으로 접착제를 제거한 후 뒤집어 본 본딩면(45도 측면 연결전극 및 뒷면 BGA가 사라졌다.)

        • WLP를 위해 에칭으로 실리콘 다이 측면을 45도 경사로 만들었다.

      6. 조도센서 다이
        1. 보호유리판(아니면 IR차단 광학필터)이 있는 상태에서

          • A2581C, TAOS 2008 MASK WORK

        2. 발연질산에 담궈 접착제를 제거하여 뜯어낸 후,
          • iphone5s01 213 001.jpg

          • 연마가루로 광을 낸 후(45도로 잘린 가장자리는 얇아 쉽게 깨진다.)

        3. 패턴
    5. 핸드폰용 근접센서
      • iphone5s01 214.jpg

      • 발광 수광부간 철저한 isolation을 위한 패키징 구조

      • 볼록 광학렌즈가 금속 리드 프레임에 사출되어 붙어 있음.

      • 광학렌즈를 제거하면

  12. 앞면, 화면 패널 아래쪽에 있는 Home Button Assembly
    1. 지문센서 및 지문센서를 누르면 동작하는 택타일 스위치가 있다.
      1. 지문센서 택타일 누름스위치

        • 누르면 들어가도록 설계되어 있다.

        • 택타일 스위치가 동작되도록 뒤에서 받치고 있다.

        • 택타일 스위치가 있다.

        • 지문센서 모듈을 분리하면

    2. 붙어 있는 택타일 스위치를 뜯어 분해하면

      • 레이저 용접. 지문센서 모듈 전체가 택타일 스위치를 누른다.

      • 지문센서 전체를 움직이는 탄성을 가져야하므로 크게 만든듯. 황화은 문제를 일으키는 은도금은 아닌듯.

    3. 정전식 지문센서
      1. 지문센서 프레임을 스테인리스 스틸로 만들었다.

        • 금속에 검정 코팅했다. 긁어도 벗겨지지 않는다.

        • CNC 기계 가공으로 모든 형상을 만들었다.

      2. 지문센서를 찾기 위해 계속 분해

        • 레이저 용접 판을 뜯으면, F-PCB가 있다.

        • F-PCB를 뜯으면, 지문센서 IC가 나타난다. F-PCB에 IC를 다이본딩/와이어본딩한 후에 보호 커버창을 붙였다.

      3. 지문센서를 눌러도 문제가 없도록 한 고정 방법
      4. 지문센서 측면

        • 지문센서 실리콘 IC는 두 번 다이싱으로 잘랐다.

        • 지문센서 커버창은 레이저 다이싱. 센서IC와 커버창은 서로 약간 떠 있다.

        • 그림

      5. 보호창(protective window)으로 사파이어를 IC에 풀로 붙였다.

        • 손가락이 닿는 앞면

        • 뒷면(센서 부착면)

        • 측면 및 뒷면을 긁어보니, 잘 긁히지 않는 사파이어 맞다.

      6. 지문센서 다이
        1. 전체

          • 88x88 = 7744 cells

        2. 와이어본딩 후 와이어루프가 다이 표면 위로 올라오면 안되므로 실리콘 두께 일부를 에칭으로 깍아내고 와이어본딩 패드를 만들었다.
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        3. 정전용량을 측정하는 금속 전극
          • iphone5s01 231 007.jpg

          • 피치 51um

        4. IC 표식

          • TMDR92(AuthenTec 어센텍. 2012년 애플이 356M달러에 인수했다.)

          • Copyright 마크

  13. 강화유리가 붙어 있는 핸드폰 LCD 패널
    1. 강화유리, 터치스크린, LCD 디스플레이(백라이트 포함), 금속 방열판 이런 순서로 붙어 있다.
    2. 금속판
      1. (안테나 성능을 높이기 위한) 전면 접지판 및 방열(모바일 AP, [[BLU LED] 발열)을 위해 있다.
      2. 금속 메인 프레임과 접지하는 방법
        • iphone5s01 232.jpg

        • 전면 접지가 나사로 연결되어 측면 클립과 연결된다. 측면 클립은 뒷면 금속 프레임과 연결된다.

        • 메인 보드 접지와 서로 연결되는 접지 스프링 단자

      3. 그라파이트 시트
        1. 반만 붙어 있다. 화면 백라이트와 붙어 있는 금속판(방열 및 실딩)을 뜯어내면, 메인보드와 맞붙는 영역에만 방열필름이 붙어 있다.
          • iphone5s01 235.jpg
        2. 부착 방법

          • 잘 쪼개져 벌어지는 그라파이트를 고정하기 양쪽 보호 테이프

          • 전체(양면 접착테이프+그라파이트+보호테이프) 두께 ~30um

          • graphite heat spreader sheet

        3. 그라파이트 시트 필름 전체를 뜯어

          • 매우 얇아 상온에서는 쉽게 찢어져, 열을 가해서 뜯어낸 후

          • 빨갛게 태운 후에도 그대로이다. 두께 20um. 그러면 양쪽 접착테이프 두께는 각각 ~5um.

    3. 화면 패널 4변에서 플라스틱 부착물을 뜯어냄

      • 방열판과 나사로 체결되어 메인보드 접지와 더 확실한 연결을 위한 금속 프레임

      • 강화유리에 풀로 붙인 플라스틱 프레임(안테나 때문에 비금속 재료를 사용한다.)

    4. BLU LED

      • 사이드뷰(side-view ) 8개

      • LCD 백라이트를 뜯으면

    5. 핸드폰 LCD
      1. 안테나에 영향을 주지 않기 위해 EMI가 방줄되는(?) 곳에 실드 깡통
      2. 지연선
        • iphone5s01 245.jpg

        • 전달 시간을 맞추기 위해 길이 조정(?)

      3. 유리에 코팅된 금속막에 레이저 마킹
        • iphone5s01 247.jpg

        • 레이저로 마킹(이 때 발생하는 가루를 잘 제거해야 한다.)한 글씨와 카메라 인식 패턴

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