"IPhone 5S"의 두 판 사이의 차이

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Apple, iPhone 5S
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iPhone 5S
 
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<li> [[핸드폰]]
 
<li> [[핸드폰]]
 
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<li> Apple [[iPhone 5S]] - 이 페이지
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<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰 - 이 페이지
 
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<li>위키페이아 https://en.wikipedia.org/wiki/IPhone_5S
 
<li>위키페이아 https://en.wikipedia.org/wiki/IPhone_5S
<li>2013년
+
<li>2013.10 한국출시
 
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<li>분해제품 모델: A1530, Asia Pacific 용
 
<li>분해제품 모델: A1530, Asia Pacific 용
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image:iphone5s01_002.jpg | 모델 A1530, 각 대륙,나라별로 통신주파수가 다르기 때문에 여러 모델이 필요하다.
 
image:iphone5s01_002.jpg | 모델 A1530, 각 대륙,나라별로 통신주파수가 다르기 때문에 여러 모델이 필요하다.
 
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<li>위 아래에 위치한 [[안테나]]를 위해 금속 몸통을 분리했다.
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<li>위 아래에 위치한 [[셀룰라 안테나]]를 위해 금속 몸통을 분리했다.
 
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image:iphone5s01_003.jpg
 
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image:iphone5s01_005.jpg | 전기적으로 분리된 곳
 
image:iphone5s01_005.jpg | 전기적으로 분리된 곳
 
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<li>화면 앞판을 뜯으면
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<li>디스플레이가 부착된 앞판을 뜯으면
 
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<li>전체
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<li>앞판을 들어올리면
 
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image:iphone5s01_006.jpg | [[안테나]] 특성을 위해 앞판도 본체와 접지로 확실히 연결되기 위한 금속판 클립이 보인다.
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image:iphone5s01_006.jpg | [[셀룰라 안테나]] 특성을 위해 앞판도 본체접지로 확실히 연결되기 위한 금속판 클립이 보인다.
image:iphone5s01_007.jpg | 모두 검정색 테이핑
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image:iphone5s01_007.jpg | 적외선 [[방열]]을 위한 검정색 테이핑
 
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<li>측면 - 접지 연결을 위한 금속 클립
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<li>측면 - [[접지]] 연결을 위한 금속 클립
 
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image:iphone5s01_011.jpg
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image:iphone5s01_011.jpg | 판 스프링을 측면에 붙였다.
image:iphone5s01_012.jpg
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image:iphone5s01_012.jpg | press-fit으로 [[너트 고정]]을 한 것으로 보아, 프레임은 강도가 약한 6061 [[알루미늄]]일 것이다.
 
image:iphone5s01_013.jpg | 누름버튼 스위치 고정방법
 
image:iphone5s01_013.jpg | 누름버튼 스위치 고정방법
 
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image:iphone5s01_016.jpg
 
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<li>메인 보드 윗쪽 실드캔에서
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<li>메인 보드 윗쪽 [[실드 깡통]]에서
 
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image:iphone5s01_017.jpg | AP가 있는 실드캔에 1/2면적에 붙인 보안용 스티커
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image:iphone5s01_017.jpg | AP가 있는 [[실드 깡통]]에 1/2면적에 붙인 [[보안 테이프]]
 
image:iphone5s01_018.jpg
 
image:iphone5s01_018.jpg
image:iphone5s01_019.jpg | 불에 타지 않고 딱딱한 재질의 [[방열]]용 그라파이트 필름
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image:iphone5s01_019.jpg | [[그라파이트 시트]]
 
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<li>메인 카메라 부근 여러 커넥터 및 절연필름
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<li>메인 카메라 부근 여러 커넥터 및 [[히트 스프레더]] 및 절연용 필름
 
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image:iphone5s01_020.jpg
 
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<li>아랫쪽, [[마이크로 스피커]] 부근
+
<li>아랫쪽, [[마이크로 스피커]] 부근
 
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<li>이어폰, 통화용 [[MEMS마이크]]
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<li>이어폰, 통화용 [[MEMS마이크]] 부근
 
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<li>[[파우치 2차-리튬]] [[배터리]]
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<li> [[파우치 2차-리튬]] 배터리
 
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<li>배터리 분리
 
<li>배터리 분리
 
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image:iphone5s01_008.jpg | (매우 잘 늘어나는) 흰색 접착 테이프
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image:iphone5s01_008.jpg | (매우 잘 늘어나는) [[방열]]용 열전도를 위해 넓게 붙인 흰색 [[양면 접착테이프]]
image:iphone5s01_009.jpg | 배터리 및 RF 커넥터를 누르는 금속판(강도를 위해 두 장을 레이저 용접으로 붙였다.)은 양쪽 나사로 고정한다.
+
image:iphone5s01_009.jpg | 배터리 및 RF 커넥터를 누르는 금속판(형상을 위해 얇은 철판을 사용하고, 강도를 위해 두 장을 [[레이저 용접]]하여 붙였다.)은 양쪽 나사로 고정한다.
image:iphone5s01_010.jpg | 큰 전류를 위한 접촉저항을 낮출 수 있는 커넥터 구조
+
image:iphone5s01_010.jpg | 큰 전류가 흐르도록 (접촉저항을 낮추기 위해) 점접촉을 피하고 여러 곳에서 선접촉을 하는 [[소형 전류 커넥터]]
 
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<li>배터리 보호회로 분해
 
<li>배터리 보호회로 분해
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image:iphone5s01_008_003.jpg
 
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<li>보호회로 연결
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<li>대전류 외부 단자를 (접촉저항을 낮추기 위한) PCB에 연결하는 방법
 
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image:iphone5s01_008_004.jpg | 납땜으로 용접용 단자 붙이고,
 
image:iphone5s01_008_004.jpg | 납땜으로 용접용 단자 붙이고,
image:iphone5s01_008_005.jpg | 팩에서 나오는 전극은 레이저 [[용접]]으로 연결
+
image:iphone5s01_008_005.jpg | 팩에서 나오는 전극은 [[레이저 용접]]?으로 연결
 
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<li>[[전류검출용R]] ~0.025오옴 저항
+
<li> [[SMD타입 전류검출용R]], PCB에 Metal strip을 붙여서 만들었다.
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>외관 (아마 대만 Cyntec 회사 제품으로 추정)
 
<li>외관 (아마 대만 Cyntec 회사 제품으로 추정)
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image:iphone5s01_008_007.jpg
 
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<li>온도 특성 TCR 측정 엑셀 데이터  
+
<li> [[저항온도계수]] TCR 측정 엑셀 데이터  
 
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image:iphone5s01_008_008.jpg | 끼워 연결했다.
+
image:iphone5s01_008_008.jpg | 끼워 연결했다. ~0.025오옴 저항
 
image:iphone5s01_008_013.png | 온도프로파일. 70도 도달한 후 오븐을 OFF해서 자연냉각을 함
 
image:iphone5s01_008_013.png | 온도프로파일. 70도 도달한 후 오븐을 OFF해서 자연냉각을 함
 
image:iphone5s01_008_014.png | 측정 저항
 
image:iphone5s01_008_014.png | 측정 저항
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image:iphone5s01_008_009.jpg
 
image:iphone5s01_008_009.jpg
 
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</gallery>
<li>[[레이저 트리밍]] 및 [[레이저 트리밍 시뮬레이션]]
+
<li> [[레이저 트리밍]]
 
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image:iphone5s01_008_010.jpg
 
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</ol>
 
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</ol>
<li>아랫쪽 [[안테나]]  부근
+
<li>아랫쪽에 있는 (스피커, 마이크, 충전단자, 이어폰단자, 안테나 등) 영역에서
 
<ol>
 
<ol>
<li>[[안테나]]
+
<li> [[셀룰라 안테나]]. [[WiFi 안테나]]도 포함되어 있는데 구분하지 않고 설명한다.
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>[[마이크로 스피커]]  위로 지나가는 [[안테나]]
 
<li>[[마이크로 스피커]]  위로 지나가는 [[안테나]]
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image:iphone5s01_034.jpg
 
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<li>특히 이어폰 전선은 FM 안테나 역할을 한다.
+
<li>특히 이어폰 전선은 [[FM 안테나]] 역할을 한다.
 
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image:iphone5s01_034_001.jpg
 
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image:iphone5s01_034_010.jpg
 
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image:iphone5s01_034_011.jpg | 이어폰 단자를 위한 bias-T 로 추정
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image:iphone5s01_034_011.jpg | 이어폰 단자를 위한 [[bias tee]]로 추정
 
image:iphone5s01_034_012.jpg | 어떤 안테나와 매칭
 
image:iphone5s01_034_012.jpg | 어떤 안테나와 매칭
 
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image:iphone5s01_033.jpg | 이어폰단자, 통화용 [[MEMS마이크]] , 충전단자 등을 연결하는 F-PCB
 
image:iphone5s01_033.jpg | 이어폰단자, 통화용 [[MEMS마이크]] , 충전단자 등을 연결하는 F-PCB
 
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<li>충전단자 - 먼지가 계속 눌려 쌓인다.
+
<li>애플 Lightning [[USB 케이블]]이 꼽히는 충전단자 - 먼지가 계속 눌려 쌓인다.
 
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image:iphone5s01_037_001.jpg | SMT 되는 밑면
 
image:iphone5s01_037_001.jpg | SMT 되는 밑면
 
image:iphone5s01_037_002.jpg | 딱딱하지 않는 수지, 흔들리지 않는 받침점, 그리고 튼튼한 걸쇠
 
image:iphone5s01_037_002.jpg | 딱딱하지 않는 수지, 흔들리지 않는 받침점, 그리고 튼튼한 걸쇠
 
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</gallery>
<li>[[3.5mm 이어폰 커넥터]]
+
<li> [[3.5mm 이어폰 커넥터]]
 
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image:iphone5s01_043.jpg | F-PCB와 연결된다.
 
image:iphone5s01_043.jpg | F-PCB와 연결된다.
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image:iphone5s01_046.jpg | (어쩔 수 없이) 먼지가 끝단에 쌓인다.
 
image:iphone5s01_046.jpg | (어쩔 수 없이) 먼지가 끝단에 쌓인다.
 
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<li>[[마이크로 스피커]]
+
<li> [[마이크로 스피커]]
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>위치
 
<li>위치
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image:iphone5s01_025.jpg | 전극 연결 방법.
 
image:iphone5s01_025.jpg | 전극 연결 방법.
image:iphone5s01_026.jpg | 위판은 자석용 금속이다. 전면 구멍 위(금속이 없는 부위다.)로 [[안테나]] 가 지나간다.
+
image:iphone5s01_026.jpg | 위판은 자석용 금속이다. 전면 구멍 위(금속이 없는 부위다.)로 [[안테나]]가 지나간다.
 
image:iphone5s01_027.jpg | 밑판이 금속이다.(Magnetic Field Shielding 위해 loop를 형성하기 위해????) 오른쪽 백볼륨에 공기가 드나드는 체크밸브(?)가 있다.
 
image:iphone5s01_027.jpg | 밑판이 금속이다.(Magnetic Field Shielding 위해 loop를 형성하기 위해????) 오른쪽 백볼륨에 공기가 드나드는 체크밸브(?)가 있다.
 
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<li>F-PCB에서. 왼쪽 volume 상하 [[택타일]] 버튼 스위치, 왼쪽 ring/mute=silent [[슬라이드]] 스위치, 진동모터 접촉단자, 마이크, 플래시LED, 상단 hold(=sleep/wake) [[택타일]] 버튼 스위치용
 
<li>F-PCB에서. 왼쪽 volume 상하 [[택타일]] 버튼 스위치, 왼쪽 ring/mute=silent [[슬라이드]] 스위치, 진동모터 접촉단자, 마이크, 플래시LED, 상단 hold(=sleep/wake) [[택타일]] 버튼 스위치용
 
<ol>
 
<ol>
<li>F-PCB 어셈블리
+
<li> [[F-PCB]] 어셈블리
 
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image:iphone5s01_014_001.jpg
 
image:iphone5s01_014_001.jpg
image:iphone5s01_014_002.jpg | 허용전류에 따라 동박폭 조정
+
image:iphone5s01_014_002.jpg | [[고전류 동박]]은 동박폭을 넓힌다.
 +
image:iphone5s01_014_003.jpg | [[동박 설계]] 1. 굴곡부위엔 위면동박에 초승달 모양으로 덧댄다. 2. 신호선폭이 좁아야 끊어짐에 유리한 듯.
 
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<li>[[택타일]] 스위치
+
<li> [[택타일]] 스위치
 
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image:iphone5s01_013.jpg | 스위치 고정방법
 
image:iphone5s01_013.jpg | 스위치 고정방법
image:iphone5s01_014_003.jpg | 1. 굴곡부위엔 위면동박에 초승달 모양으로 덧댄다. 2. 신호선폭이 좁아야 끊어짐에 유리한 듯.
 
 
image:iphone5s01_014_004.jpg
 
image:iphone5s01_014_004.jpg
image:iphone5s01_014_005.jpg | 클릭감 향상을 위해 metal dome 을 3개 사용하고 있다.
+
image:iphone5s01_014_005.jpg | 좁은 면적에서 원하는 큰 탄성을 얻기 위해서 metal dome 을 3개 사용하고 있다.
 +
image:iphone5s01_014_006.jpg | 추정 stress-strain curve
 
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<li>ring/mute=silent [[슬라이드]] 스위치
+
<li>ring mute(=silent)용 [[슬라이드]] 스위치
 
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image:iphone5s01_013_001.jpg
 
image:iphone5s01_013_001.jpg
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</ol>
 
</ol>
<li>[[진동모터]]에서  [[바타입]] [[ERM 진동모터]]
+
<li> [[바타입]] ERM 진동모터
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>위치 및 고정방법
 
<li>위치 및 고정방법
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image:iphone5s01_014.jpg | 고정 철판이 [[안테나]] 와 관계되는 듯
 
image:iphone5s01_014.jpg | 고정 철판이 [[안테나]] 와 관계되는 듯
 
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<li>분리하면
+
<li>외형 관찰
 
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image:iphone5s01_047.jpg | 전기 접점
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image:iphone5s01_047.jpg | 스프링 접점
image:iphone5s01_048.jpg | 나사 체결을 위한 브라켓 [[용접]]
+
image:iphone5s01_048.jpg | 나사 체결을 위한 브라켓을 [[레이저 용접]]으로 모터와 연결
image:iphone5s01_049.jpg | [[Redmi Note 4X]]에 사용된 모터(F-PCB부착품)와 크기 비교
+
image:iphone5s01_049.jpg | [[Redmi Note 4X]]에 사용된 모터(오른쪽에 있는 F-PCB부착품)와 크기 비교. 회전체 추 무게를 늘리기 위해 빈공간을 활용했다.
 
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<li>[[브러시모터]] 내부
+
<li> [[브러시모터]] 내부
 
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image:iphone5s01_050.jpg
 
image:iphone5s01_050.jpg
289번째 줄: 290번째 줄:
 
image:iphone5s01_052.jpg
 
image:iphone5s01_052.jpg
 
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<li>모터 전원과 직렬로 3개 연결된, 쵸크용 [[RF용L]]
+
<li>모터 전원과 직렬로 3개 연결된, [[초크 인덕터]]로 이용하는 [[다층형 RF용 인덕터]]
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>동작(PWM)시키면 브러시모터는 EMI 잡음 방사되므로, 모터 근처에서 전선이 짧은 상태에서 잡음을 억제해야 한다.
 
<li>동작(PWM)시키면 브러시모터는 EMI 잡음 방사되므로, 모터 근처에서 전선이 짧은 상태에서 잡음을 억제해야 한다.
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image:iphone5s01_054.jpg | 보드에 HF/e1 글씨 부품은 GPS LNA 모듈이다. 나사는 GPS [[안테나]]  고정용인듯
 
image:iphone5s01_054.jpg | 보드에 HF/e1 글씨 부품은 GPS LNA 모듈이다. 나사는 GPS [[안테나]]  고정용인듯
 
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</gallery>
<li>잡음 제거용 [[MEMS마이크]], bottom 타입
+
<li>핸드폰 위 뒷면에 있는, 잡음 제거용 [[MEMS마이크]], bottom 타입
 
<gallery>
 
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image:iphone5s01_053.jpg | 구멍이 뚫린 이유
 
image:iphone5s01_053.jpg | 구멍이 뚫린 이유
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image:iphone5s01_057_001.jpg
 
image:iphone5s01_057_001.jpg
 
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</gallery>
<li>메인 카메라용 듀얼톤 플래시 [[LED-SMD]]
+
<li>메인 카메라용 듀얼톤 [[플래시LED]]
 
<ol>
 
<ol>
<li>프레넬 렌즈(fresnel lens)
+
<li>프레넬 [[광학렌즈]]
 
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image:iphone5s01_058.jpg
 
image:iphone5s01_058.jpg
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<li>LED 칩
 
<li>LED 칩
 
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image:iphone5s01_058_004.jpg | 금 전기[[도금]] 2.0x1.6mm
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image:iphone5s01_058_004.jpg | [[타이바]]가 있는 금 전기[[도금]] 2.0x1.6mm
image:iphone5s01_058_005.jpg | 뒷면, 알루미나(긁어 경도를 파악해 볼 때?) 기판에 12자리 레이저 마킹 1450311M0112
+
image:iphone5s01_058_005.jpg | 뒷면, 하양 [[알루미나 기판]] (긁어 경도를 파악해 볼 때?) 기판에 12자리 레이저 마킹 1450311M0112
 
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</gallery>
<li>25개 Au Stud 플립본딩 및 실리콘수지(?) 언더필
+
<li>25개 Au Stud [[플립본딩]] 및 실리콘수지(?) 언더필
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_058_006.jpg
 
image:iphone5s01_058_006.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>후면, 메인 [[카메라 모듈]]
+
<li>후면, 메인 [[핸드폰용 이미지센서]] 카메라 모듈
 
<ol>
 
<ol>
<li>위치
+
<li>장착 위치
 
<gallery>
 
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image:iphone5s01_056.jpg
 
image:iphone5s01_056.jpg
 
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</gallery>
<li>보호 금속 케이스(Magnetic Field Shielding 목적 ?)
+
<li> [[실드 깡통]]인 금속 케이스
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_059.jpg
 
image:iphone5s01_059.jpg
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<li>F-PCB와 연결. 내부에 ISP가 없기 때문에 카메라 원신호는 모두 AP로 연결해야 한다.(?)
 
<li>F-PCB와 연결. 내부에 ISP가 없기 때문에 카메라 원신호는 모두 AP로 연결해야 한다.(?)
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_060.jpg
+
image:iphone5s01_060.jpg | 뚫려 있는 세라믹 패키지 안쪽으로 풀칠된 실리콘 다이가 있다.
image:iphone5s01_061.jpg | 왼쪽 AF VCM용 전류단자 2개, 오른쪽 접지단자
+
image:iphone5s01_061.jpg | 세라믹 패키지 왼쪽에는 AF VCM용 전류단자 2개, 오른쪽 접지단자
 
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</gallery>
<li>조립
+
<li>프레임(창틀) 형태를 갖는 [[알루미나 기판]] 위에 뭘 붙이는 방법
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_062.jpg
 
image:iphone5s01_062.jpg
image:iphone5s01_063.jpg
+
image:iphone5s01_063.jpg | 블루유리에 만든 IR컷 [[광학필터]]가 붙어 있다.
image:iphone5s01_064.jpg
 
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>AF용 VCM
+
<li> [[판스프링 VCM AF]]
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_065.jpg | VCM 전류공급용 단자 2개
 
image:iphone5s01_065.jpg | VCM 전류공급용 단자 2개
 
image:iphone5s01_066.jpg | 4코너에 영구자석, leaf spring
 
image:iphone5s01_066.jpg | 4코너에 영구자석, leaf spring
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>Au Double Stacked-Bump [[범프본딩]] 및 초음파[[플립본딩]]
+
<li>Au Double Stacked-Bump [[범프본딩]] 및 초음파 [[플립본딩]]
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_069.jpg | 세라믹 패키지는 휘어 있어 coplanarity를 극복하기 위해
+
image:iphone5s01_069.jpg | [[알루미나 기판]]는 휘어 있어 coplanarity를 극복하기 위해
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>IR 컷 광학 필터
+
<li>IR 차단 [[광학필터]]
 +
<ol>
 +
<li>필터를 뜯어내면
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_067.jpg | IR필터 업체에서는, 센서를 패키지 속에 넣었기 때문에 inner housing이라고 부르고, 이 표면에 붙이면 된다.
 
image:iphone5s01_067.jpg | IR필터 업체에서는, 센서를 패키지 속에 넣었기 때문에 inner housing이라고 부르고, 이 표면에 붙이면 된다.
378번째 줄: 380번째 줄:
 
image:iphone5s01_070.jpg
 
image:iphone5s01_070.jpg
 
image:iphone5s01_071.jpg
 
image:iphone5s01_071.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>유리를 잘라내는 [[다이싱]] 방법
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_064.jpg | 광학필터 유리가 잘린 단면이 보인다.
 
image:iphone5s01_072.jpg | 레이저 [[다이싱]]
 
image:iphone5s01_072.jpg | 레이저 [[다이싱]]
 
image:iphone5s01_073.jpg | 유리두께 0.30mm, 코팅두께 약 6um
 
image:iphone5s01_073.jpg | 유리두께 0.30mm, 코팅두께 약 6um
 
image:iphone5s01_074.jpg | 레이저 피치 10.0um
 
image:iphone5s01_074.jpg | 레이저 피치 10.0um
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>세라믹 패키지(질산에 넣은 후 초음파 세척하니, 니켈층이 없어져 그 위 금도금막이 모두 떨어짐)
+
</ol>
 +
<li> [[알루미나 기판]] 형태
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_075.jpg
+
image:iphone5s01_075.jpg | [[발연질산]]에 넣은 후 초음파 세척하니, 니켈층이 없어져 그 위 금도금막이 모두 떨어짐
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>다이 대부분 면적은 센서가 차지한다.(ISP 영역이 거의 없다.)
 
<li>다이 대부분 면적은 센서가 차지한다.(ISP 영역이 거의 없다.)
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_076.jpg
 
image:iphone5s01_076.jpg
image:iphone5s01_077.jpg | 이 6개 막대기(피치 20.0um)는 Canon Stepper를 위한, align용 인식마크
+
image:iphone5s01_077.jpg | 이 6개 막대기(피치 20.0um)는 Canon Stepper를 위한, align용 인식마크를 [[포토마스크]]에 넣어야 한다.
image:iphone5s01_078.jpg
+
image:iphone5s01_078.jpg | 뜯겨진 [[와이어본딩 패드]]
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>센서는 앞면에서 두 번 [[다이싱]]
+
<li>실리콘 센서는 앞면에서 회전 블레이드로 두 번(?) [[다이싱]]
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_079.jpg
 
image:iphone5s01_079.jpg
398번째 줄: 405번째 줄:
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>[[핸드폰용 이미지센서]] 보호 유리
+
<li>카메라 렌즈가 긁히지 않도록 외부에 붙이는 보호 [[사파이어]]
 
<ol>
 
<ol>
<li>유리판에 금속사각프레임이 붙어 있다.
+
<li>(안테나를 위해 금속을 사용하지 못하는 영역에 사용된) 유리판에 3개 구멍이 뚫려 있다.
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_053.jpg | 구멍이 뚫린 이유
+
image:iphone5s01_053.jpg | 3개 구멍
image:iphone5s01_095.jpg
+
image:iphone5s01_095.jpg | 유리판을 뜯어내면. 유리를 붙이는 접착력 때문에 중간에서 부러졌다.
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>금속프레임에 사파이어가 붙어 있다.
+
<li>유리판에 붙어 있는 금속프레임 속에 둥근 사파이어가 붙어 있다.
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_096.jpg
 
image:iphone5s01_096.jpg
411번째 줄: 418번째 줄:
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>두께 250um [[사파이어]]이다. (반사방지 AR;anti-reflection)광학코팅되어 있다.
 
<li>두께 250um [[사파이어]]이다. (반사방지 AR;anti-reflection)광학코팅되어 있다.
 +
<ol>
 +
<li> [[접착제]]로 풀칠로 금속과 사파이어를 붙였다.
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_096_002.jpg | [[접착제]]가 잘 붙기 위해서(?) 기계가공으로 거칠게(표면적을 넓힌) 가공한 프레임 + 풀칠
 +
</gallery>
 +
<li> [[레이저]]로 [[다이싱]]
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_096_002.jpg | 기계가공(거칠어야 잘 붙는듯) 프레임 + 풀칠
 
 
image:iphone5s01_096_003.jpg | 원형 가공면이 taper진 형태
 
image:iphone5s01_096_003.jpg | 원형 가공면이 taper진 형태
 
image:iphone5s01_096_005.jpg | taper 가공이 되는 이유(?)
 
image:iphone5s01_096_005.jpg | taper 가공이 되는 이유(?)
418번째 줄: 430번째 줄:
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>위쪽 다이버시티(?) [[안테나]]
+
</ol>
 +
<li>위쪽 다이버시티(?) [[셀룰라 안테나]]
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>앞에서 볼 때, 우측은 GPS/WiFi [[안테나]]  등이 있어, 좌측에 형성되어 있다.
 
<li>앞에서 볼 때, 우측은 GPS/WiFi [[안테나]]  등이 있어, 좌측에 형성되어 있다.
431번째 줄: 444번째 줄:
 
image:iphone5s01_084.jpg | 저 코일은 [[진동모터]]을 위해 사용된 듯
 
image:iphone5s01_084.jpg | 저 코일은 [[진동모터]]을 위해 사용된 듯
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>다이버시티 [[안테나]]
+
<li>다이버시티 [[셀룰라 안테나]]
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_086.jpg
 
image:iphone5s01_086.jpg
 
image:iphone5s01_087.jpg | 뒷면에서 볼 때 오른쪽, 검정은 유리판이다.
 
image:iphone5s01_087.jpg | 뒷면에서 볼 때 오른쪽, 검정은 유리판이다.
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>[[안테나]] 패턴
+
<li> [[셀룰라 안테나]] 패턴
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_088.jpg
 
image:iphone5s01_088.jpg
442번째 줄: 455번째 줄:
 
image:iphone5s01_090.jpg
 
image:iphone5s01_090.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>F-PCB에 형성된 co-plannar waveguide(CPW) 연결선
+
<li>[[F-PCB]]에 형성된 CBCPW(conductor backed coplanar waveguide) [[평면 전송라인]]
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_091.jpg
+
image:iphone5s01_091.jpg | 층 중간으로 통과하고 있다.
 
image:iphone5s01_092.jpg
 
image:iphone5s01_092.jpg
 
image:iphone5s01_093.jpg
 
image:iphone5s01_093.jpg
image:iphone5s01_094.jpg
+
image:iphone5s01_094.jpg | 측정한 각 층 두께
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>위쪽 누름 버튼 - 매우 튼튼하게 만들었다.
+
<li>위쪽 누름 [[택타일]] 스위치 - 매우 튼튼하게 만들었다.
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_085.jpg
 
image:iphone5s01_085.jpg
455번째 줄: 468번째 줄:
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
<li>메탈 프레임 전체
+
<li> [[알루미늄]] 메탈 프레임 전체
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_097.jpg | 아래쪽 유리판을 뜯으면(이 공간으로 메인[[안테나]] 가 동작해야 한다.)
 
image:iphone5s01_097.jpg | 아래쪽 유리판을 뜯으면(이 공간으로 메인[[안테나]] 가 동작해야 한다.)
462번째 줄: 475번째 줄:
 
<li>메인보드
 
<li>메인보드
 
<ol>
 
<ol>
<li>메인보드 PCB 접지
+
<li>[[모바일AP]] 밑에서 [[기판 층수]] 파악
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_130_013.jpg | 10층
 +
image:iphone5s01_130_014.jpg | 10층
 +
</gallery>
 +
<li> [[기판 측면 접지]]를 만들어 활용
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_118.jpg | [[실드 깡통]]을 [[기판 측면 접지]]에 납땜. 기판 폭이 좁아서 어쩔 수 없이 측면에 납땜 듯.
 +
image:iphone5s01_119.jpg | 멀리 떨어져 있는 안테나용 [[RF케이블]] 실드 또한 일정 간격으로 [[기판 측면 접지]]에 연결함.
 +
</gallery>
 +
<li>뒷면, 전체를 감싼 [[실드 깡통]] 하나
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_118.jpg
+
image:iphone5s01_134.jpg
image:iphone5s01_119.jpg
 
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>터치 콘트롤러 cumulus chip and meson chip
+
<li>[[터치스크린]]용 터치콘트롤러 cumulus chip and meson chip
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>TI 343S0645 Digitizer Controller IC // Broadcom BCM5976 touch screen IC // TI 65739A0P ???
 
<li>TI 343S0645 Digitizer Controller IC // Broadcom BCM5976 touch screen IC // TI 65739A0P ???
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_112.jpg
 
image:iphone5s01_112.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>두 IC 패턴에 대한 의견 - 동일한 패턴이 IC에 있다. 인접한 두 전극사이 C를 실시간으로 측정하기 위해 개별 ADC가 있는 듯. C값이 비교적 크므로 측정시간이 늦어지는데 이 때 ADC 하나에 스위치를 사용하면 매우 늦어진다. 빠른 터치 반응속도를 위해서. 다른 터치 패널에 사용되는 하나의 IC보다도 더 큰 IC 두 개를 사용한다.
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_112_003.jpg
 +
image:iphone5s01_112_008.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>Broadcom, Touchscreen Controller
 
<li>Broadcom, Touchscreen Controller
492번째 줄: 519번째 줄:
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>WiFi, TDD 밴드
+
<li>[[WiFi모듈]], TDD 밴드
 
<ol>
 
<ol>
<li>[[실드코팅]]되어 있다.
+
<li> [[RF모듈에서 실드 코팅]]되어 있다.
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_099.jpg
 
image:iphone5s01_099.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>TDD용 듀얼 필터(Tx, Rx 신호가 시간적으로 스위칭되어 흐른다.) ????
+
<li>TDD용, Triquint 듀얼 [[SMR]] 필터(Tx, Rx 신호가 시간적으로 스위칭되어 흐른다.) ????
 +
<ol>
 +
<li>외관, 1.8x1.4mm dual filter
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_100.jpg | 1.8x1.4mm dual filter
+
image:iphone5s01_100.jpg
 
image:iphone5s01_101.jpg
 
image:iphone5s01_101.jpg
 
image:iphone5s01_102.jpg | 다이싱이 내부전극 패턴이 있는 곳을 자른다.
 
image:iphone5s01_102.jpg | 다이싱이 내부전극 패턴이 있는 곳을 자른다.
 +
</gallery>
 +
<li>분해
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_103.jpg | 이젝트 핀 자국
 
image:iphone5s01_103.jpg | 이젝트 핀 자국
 
image:iphone5s01_104.jpg
 
image:iphone5s01_104.jpg
 
image:iphone5s01_105.jpg | 플립본딩
 
image:iphone5s01_105.jpg | 플립본딩
image:iphone5s01_106.jpg | 칩 두 개
 
image:iphone5s01_107.jpg
 
image:iphone5s01_108.jpg
 
image:iphone5s01_109.jpg
 
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>Ag 페이스트 스프레이 [[실드코팅]] 스핀 코팅)된 WiFi 모듈
+
<li>다이1
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_106.jpg | X27
 +
</gallery>
 +
<li>다이2
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_107.jpg | EG9442 X10 Y27 프루빙을 위한 별도의 패드
 +
image:iphone5s01_108.jpg | TQS 2013
 +
image:iphone5s01_109.jpg | 프루빙 바늘이 긁은 흔적
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>Ag 페이스트로 스프레이 [[실드 코팅]] + 스핀 코팅된 [[WiFi모듈]]
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_110.jpg
 
image:iphone5s01_110.jpg
539번째 줄: 578번째 줄:
 
image:iphone5s01_117_005.jpg | 윗면
 
image:iphone5s01_117_005.jpg | 윗면
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>1.6x1.2x0.3mm XTAL
+
<li>1.6x1.2x0.3mm [[Xtal세라믹]]
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_117_006.jpg | 무라타가 TEW를 샀기 때문에, TEW 제품으로 추정
 
image:iphone5s01_117_006.jpg | 무라타가 TEW를 샀기 때문에, TEW 제품으로 추정
 
image:iphone5s01_117_007.jpg | 낱개 상태로 AuSn 리드 실링을 함
 
image:iphone5s01_117_007.jpg | 낱개 상태로 AuSn 리드 실링을 함
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>SAW #1
+
<li>CSP SAW #1 [[SAW-핸드폰RF]]
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_117_008.jpg
 
image:iphone5s01_117_008.jpg
 
image:iphone5s01_117_009.jpg | 주기 1.56um 그렇다면 2.53GHz(?)용
 
image:iphone5s01_117_009.jpg | 주기 1.56um 그렇다면 2.53GHz(?)용
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>SAW #2
+
<li>CSP SAW #2 [[SAW-핸드폰RF]]
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_117_010.jpg
 
image:iphone5s01_117_010.jpg
 
image:iphone5s01_117_011.jpg | 주기 1.645um 2.4GHz WiFi용으로 추정
 
image:iphone5s01_117_011.jpg | 주기 1.645um 2.4GHz WiFi용으로 추정
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>IC #1
+
<li>RF IC #1 - [[FEM]]
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_117_012.jpg
 
image:iphone5s01_117_012.jpg
560번째 줄: 599번째 줄:
 
image:iphone5s01_117_014.jpg
 
image:iphone5s01_117_014.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>IC #2 - 발연질산에 오래 넣어두니 다이가 모두 녹아 없어졌다. 그러므로 GaAs 웨이퍼인듯
+
<li>RF IC #2 - [[PAM]](?) - 발연질산에 오래 넣어두니 다이가 모두 녹아 없어졌다. 그러므로 GaAs 웨이퍼인듯
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_117_015.jpg
 
image:iphone5s01_117_015.jpg
566번째 줄: 605번째 줄:
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>송수신
+
<li>퀄컴 RF 송수신 칩이 있는, 앞면에서
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>전체
 
<li>전체
573번째 줄: 612번째 줄:
 
image:iphone5s01_159.jpg | Qualcomm MDM9615M // Qualcomm WTR1605L
 
image:iphone5s01_159.jpg | Qualcomm MDM9615M // Qualcomm WTR1605L
 
</gallery>
 
</gallery>
 +
<li>SG마킹: [[RF스위치IC]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_121.jpg
 +
image:iphone5s01_121_001.jpg
 +
image:iphone5s01_121_002.jpg | Infineon Technologies, M4798A1
 +
image:iphone5s01_121_003.jpg
 +
image:iphone5s01_121_004.jpg
 +
image:iphone5s01_121_005.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>[[SAW-핸드폰RF]] 필터 두 개
 +
<ol>
 
<li>사진
 
<li>사진
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_121.jpg
 
 
image:iphone5s01_122.jpg
 
image:iphone5s01_122.jpg
 +
image:iphone5s01_121_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Epcos, CSP, 9906마킹: 1.5x1.1mm dual SAW
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_122_001.jpg
 +
image:iphone5s01_122_002.jpg | RF48B(?)
 +
image:iphone5s01_122_003.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Murata, CSP, NAG마킹: 2.2x1.1mm triple SAW
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_122_004.jpg
 +
image:iphone5s01_122_005.jpg
 +
image:iphone5s01_122_006.jpg | DN76-A1
 +
image:iphone5s01_122_007.jpg | DN73 A1, DN74 A1
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>[[SAW-핸드폰RF]] 싱글 필터, [[FBAR]] 필터 뱅크
 +
<ol>
 +
<li>사진
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_125.jpg
 
image:iphone5s01_125.jpg
 +
image:iphone5s01_125_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>YA마킹: 1.4x1.1mm single SAW
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_125_002.jpg | DD07-A1
 +
image:iphone5s01_125_003.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>A(아바고)D3R마킹: triple [[FBAR]] 필터 뱅크
 +
<ol>
 +
<li>두 다이 측면
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_125_004.jpg | PCB에 [[인덕터]]가 있다.
 +
image:iphone5s01_125_005.jpg
 +
image:iphone5s01_125_006.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>두 다이, 솔더링면. via를 통해 내부와 연결된다.
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_125_007.jpg | MN KV F / M9 NO M
 +
</gallery>
 +
<li>큰 다이
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_125_008.jpg
 +
image:iphone5s01_125_009.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>작은 다이
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_125_010.jpg | 뚜껑 두 변을 뜯으면
 +
image:iphone5s01_125_011.jpg | 완전히 뜯으면. 좁은 Au 띠로 접착
 +
image:iphone5s01_125_012.jpg | 뚜껑 접착면.
 
</gallery>
 
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 
<li>주변 매칭 [[RF용L]]
 
<li>주변 매칭 [[RF용L]]
 
<gallery>
 
<gallery>
584번째 줄: 684번째 줄:
 
image:iphone5s01_124.jpg
 
image:iphone5s01_124.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>BAW 필터와 주변 매칭 [[RF용L]]
+
<li>[[SMR]] 필터
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_126.jpg
 
image:iphone5s01_126.jpg
image:iphone5s01_127.jpg | 수직으로 세우는 무라타 0.4x0.2mm LQP02HQ 하이Q 시리즈와 수평장착 LQP02TN 표준(흰점마킹) 박막인덕터
+
image:iphone5s01_126_032.jpg
 +
image:iphone5s01_126_033.jpg | 실리콘 웨이퍼 뒷면
 +
image:iphone5s01_126_034.jpg | EG9480 D4, TQS 2013, X02 Y26
 +
image:iphone5s01_126_035.jpg | E???85 RX_D3, TQS 2013, X03 Y21 - 위치별 좌표 표시
 +
</gallery>
 +
<li>BAW 필터를 위한 매칭 [[RF용L]] - 수직으로 세우는 무라타 0.4x0.2mm LQP02HQ 하이Q 시리즈와 수평장착 LQP02TN 표준(흰점마킹) 박막인덕터
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_127.jpg
 +
image:iphone5s01_127_001.jpg
 +
image:iphone5s01_127_002.jpg | 내부전극 방향과 외부전극이 서 있는 방향에 따라 (기생-C 및 coupling 효과로) Q값이 결정되는 듯.
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>[[모바일AP]] + [[RAM]] PoP(Package On Package)
+
<li>퀄컴 RF 송수신 칩이 있는, 뒷면에서
 +
<ol>
 +
<li>Avago A790720 // TriQuint TQM6M6224 // Skyworks 77355 // RFMD 1495 // SKY477 // Skyworks 77810-12 // Murata QE // Avago A7900
 +
<ol>
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_135.jpg
 +
image:iphone5s01_136.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>몰딩 수지를 위에서부터 벗겨내
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_135_001.jpg
 +
image:iphone5s01_135_002.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>모듈을 모두 뜯어내, 메인보드에서 납땜면을 관찰함
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_135_003.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>Skyworks 77810-12 (B 5/8 Dual [[PAMiD]])?
 +
<ol>
 +
<li>모듈에서
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_001.jpg
 +
image:iphone5s01_136_001_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>1.8x1.4mm, Taiyo Yuden, CSP [[SAW-핸드폰DPX]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_001_002.jpg
 +
image:iphone5s01_136_001_003.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Murata [[WLP SAW]] DPX
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_001_004.jpg | Murata WLP roof1을 아래에서 위로 쳐다볼 때. 노랑색이 RDL 전극이다.
 +
image:iphone5s01_136_001_005.jpg | roof1을 뜯으면
 +
image:iphone5s01_136_001_006.jpg | 구리판이다.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>Murata QE, [[SAW-모듈]], 스위치+SAW 모듈
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>보드에서
 
<li>보드에서
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_128.jpg | 특별히 캔 오른쪽에는 딱딱하고 두꺼운 방열용 어떤 판(graphite heat spreader sheet)이 붙어 있다.
+
image:iphone5s01_139.jpg | 절단방법
image:iphone5s01_129.jpg
+
image:iphone5s01_136_002.jpg | 좌측
image:iphone5s01_130.jpg | Elpida 8Gbit DDR3 RAM이 PoP되어 있음
+
image:iphone5s01_136_002_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>모듈에서
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_002_002.jpg
 +
image:iphone5s01_136_002_003.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>LTCC
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_002_004.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>LTCC 절단을 위한 롤러 [[스크라이버]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_139.jpg | 절단방법
 +
image:iphone5s01_136_002_002.jpg
 +
image:iphone5s01_136_002_004_001.jpg
 +
image:iphone5s01_136_002_004_002.jpg
 +
image:iphone5s01_136_002_004_003.jpg
 +
</gallery>
 +
<li> [[RF스위치IC]], SoS, Peregrine C9958_1 802 SP4T
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_002_005.jpg
 +
image:iphone5s01_136_002_006.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>[[WLP SAW]] 듀플렉서 B1(?)
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_002_007.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>[[WLP SAW]] 듀얼 필터(TDD B38? 39? 40?)
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_002_008.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>[[WLP SAW]] 싱글 필터(DCX Rx)(?)
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_002_009.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>Avago A7900, dual [[PAM]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_003.jpg | 우측
 +
image:iphone5s01_136_003_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Skyworks 77355, dual [[PAM]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_004.jpg
 +
image:iphone5s01_136_004_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Avago A790720, Dual [[PAMiD]]
 +
<ol>
 +
<li>메인보드에서
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_005.jpg | Epcos 2016 도금타입 CSP
 +
image:iphone5s01_136_005_001.jpg | 열을 가하면 솔더가 위로 분출한다.
 +
</gallery>
 +
<li>CSP SAW DPX 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다.
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_005_002.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Epcos 2.0x1.6mm 도금타입 CSP [[SAW-핸드폰DPX]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_005_003.jpg
 +
image:iphone5s01_136_005_004.jpg | 위에서 볼 때
 +
image:iphone5s01_136_005_005.jpg
 +
image:iphone5s01_136_005_006.jpg | 솔더볼이 몰딩압력을 견디기 위해, 구리도금 벽을 세웠다.
 +
image:iphone5s01_136_005_007.jpg | AISGC 또는 AI56C
 +
image:iphone5s01_136_005_008.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>[[FBAR]] DPX에서 - RX(로 추정)
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_005_009.jpg
 +
image:iphone5s01_136_005_010.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>[[FBAR]] DPX에서 - TX(로 추정)
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_005_011.jpg
 +
image:iphone5s01_136_005_012.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>TriQuint TQM6M6224, Dual [[PAMiD]]
 +
<ol>
 +
<li>사진
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_006.jpg
 +
image:iphone5s01_136_006_001.jpg
 +
image:iphone5s01_136_006_002.jpg | 질산에 녹아 없어졌기 때문에 GaAs 칩이다.
 +
</gallery>
 +
<li>유리 지붕
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_006_003.jpg | 투명 유리 중앙에 다이본딩 이젝트 바늘에 묻은 접착제 성분이 보인다.
 +
</gallery>
 +
<li>와이어본딩 타입 [[SMR]] 필터, 2밴드용 듀플렉서를 위해 칩을 4개 사용
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_006_004.jpg | 투명 유리 지붕을 찾지 못하고 망실
 +
image:iphone5s01_136_006_005.jpg | 벽
 +
image:iphone5s01_136_006_006.jpg | 와이어본딩 높이를 낮추기 위한
 +
image:iphone5s01_136_006_007.jpg | 마스크 자표 X21 Y26
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>RFMD 1495 - ASM(antenna switch module) [[FEM]]
 +
<ol>
 +
<li>IC는 내부 임피던스를 50오옴 맞출 수 있다. 그런데 LTCC [[인터포저]] 동원하여 GSM PA와 연결되는 저주파 다이플렉서가 내장함.
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_138.jpg
 +
image:iphone5s01_137_001.jpg | [[실드 깡통]]을 벗기면
 +
</gallery>
 +
<li>내부
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_138_001.jpg
 +
image:iphone5s01_138_002.jpg | 갈아보니, 매우 단단한 [[LTCC]]
 +
</gallery>
 +
<li>[[RF스위치IC]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_138_003.jpg | M1D1495052 RFMD2012
 +
image:iphone5s01_138_004.jpg | [[Copyright]]
 +
image:iphone5s01_138_005.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li> [[RF스위치IC]] 두 개
 +
<ol>
 +
<li>전체
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_137.jpg | 오른쪽에 검정다이 두 개
 +
image:iphone5s01_137_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>마킹 A02 [[RF스위치IC]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_137_002.jpg
 +
image:iphone5s01_137_003.jpg | SONY A4403P
 +
image:iphone5s01_137_004.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>마킹 SKY477 [[RF스위치IC]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_137_005.jpg
 +
image:iphone5s01_137_006.jpg
 +
image:iphone5s01_137_007.jpg | [[더미 필 패턴]]
 +
image:iphone5s01_137_008.jpg | Skyworks PK5011
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li> [[SAW-핸드폰RF]], XF 마킹 1.5x1.1mm 듀얼필터, 무라타 제조
 +
<ol>
 +
<li>보드에서
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_140.jpg
 +
image:iphone5s01_140_001.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>다이에서. 막두께가 다르다. 그러므로 금속 성막 공정을 두 번 진행한다.
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_140_002.jpg | DM32-A1, DM35-A1, 1.185x0.820mm 다이크기
 +
image:iphone5s01_140_003.jpg | 저주파+고주파 필터가 한 다이에서 존재한다. (막두께가 다르다.)
 +
image:iphone5s01_140_004.jpg | 주기 4.57um
 +
image:iphone5s01_140_005.jpg | 주기 1.59um, 주기에서 1/2.87배 차이가 난다.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>다이버시티 [[Rx 스위치+SAW 모듈]] 무라타 제조
 +
<ol>
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_126.jpg | 몰딩 후 그라인더로 표면을 평탄화하였다.
 +
</gallery>
 +
<li>표면부터 긁어 관찰
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_126_001.jpg | [[RF스위치IC]] 3개 다이
 +
image:iphone5s01_126_002.jpg | SAW 6다이(듀얼4, 싱글2) = 총 10밴드
 +
image:iphone5s01_126_003.jpg | [[RF스위치IC]] 다이 2개는 투명하다.
 +
</gallery>
 +
<li> [[RF스위치IC]]
 +
<ol>
 +
<li>K SA 뒷면에 마킹품, SoI(slicon on Insulator) 제품
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_126_016.jpg | M4793
 +
image:iphone5s01_126_017.jpg
 +
image:iphone5s01_126_018.jpg | [[FET]] 스위치 패턴
 +
image:iphone5s01_126_019.jpg | [[IDT C]]
 +
</gallery>
 +
<li>Peregrine C9956_4 B02, SoS(slicon on sapphire) 제품
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_126_020.jpg | 폴리싱 전
 +
image:iphone5s01_126_021.jpg | 폴리싱 후
 +
image:iphone5s01_126_022.jpg
 +
image:iphone5s01_126_023.jpg
 +
image:iphone5s01_126_024.jpg | 측면 [[사파이어]], 레이저 [[다이싱]] 두께 약 125um
 +
</gallery>
 +
<li>Peregrine C9957_1 B02, SoS(slicon on sapphire) 제품
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_126_025.jpg | 폴리싱 전
 +
image:iphone5s01_126_026.jpg | 폴리싱 후
 +
image:iphone5s01_126_027.jpg | [[FET]] 스위치 패턴
 +
image:iphone5s01_126_028.jpg
 +
image:iphone5s01_126_029.jpg | [[IC 표식]] Peregrine 송골매
 +
image:iphone5s01_126_030.jpg | [[사파이어]] 두께 약 125um
 +
image:iphone5s01_126_031.jpg | 레이저 [[다이싱]]
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li> [[WLP SAW]] 측면 관찰
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_126_004.jpg
 +
image:iphone5s01_126_005.jpg | roof-1이 saw 다이와 함께 다이싱됨. 매우 딱딱한 재료. 이 roof-1 재료를 레이저로 구멍을 뚫어 사용
 +
image:iphone5s01_126_006.jpg | saw die와 roof-1 접착면 뜯어 촬영
 +
image:iphone5s01_126_007.jpg | roof-1과 -2 접착면을 뜯어 촬영
 +
</gallery>
 +
<li>싱글 [[WLP SAW]]-1
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_126_008.jpg
 +
image:iphone5s01_126_009.jpg
 +
image:iphone5s01_126_010.jpg | 아래 주기: 4.94um, 위 주기: 4.88um, 우측 주기: 2.89um
 +
</gallery>
 +
<li>싱글 [[WLP SAW]]-2
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_126_011.jpg | DL08-A1
 +
</gallery>
 +
<li>듀얼 [[WLP SAW]]-1,2,3,4
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_126_012.jpg | DL04-A1, DL00-A1
 +
image:iphone5s01_126_013.jpg | DK97-A1
 +
image:iphone5s01_126_014.jpg | DK14-A1, DK13-A1
 +
image:iphone5s01_126_015.jpg | DK41-A1, DK42-A1
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li> [[모바일AP]], Apple A7
 +
<ol>
 +
<li>패키지 위에 패키징된 [[DRAM]]이 올라가 있는 PoP(Package On Package) 형태임.
 +
<ol>
 +
<li>맨 위는 Elpida 8Gbit DDR3 [[DRAM]] 이다.
 +
</ol>
 +
<li>보드에서 [[실드 깡통]]을 벗기면
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_128.jpg | 특별히 캔 오른쪽에는 [[히트 스프레더]]용 [[그라파이트 시트]]가 붙어 있다.
 +
image:iphone5s01_129.jpg | IC와 캔 사이에는 특별한 [[서멀 패드]]가 없이 접촉하는 듯.
 +
image:iphone5s01_130.jpg | A7 마킹은 [[DRAM]]에 된다.
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>주변에 사용된 Low ESR, ESL [[MLCC]]
 
<li>주변에 사용된 Low ESR, ESL [[MLCC]]
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_131.jpg
+
image:iphone5s01_131.jpg | [[low ESL]] MLCC
 
image:iphone5s01_132.jpg
 
image:iphone5s01_132.jpg
image:iphone5s01_133.jpg
+
image:iphone5s01_133.jpg | 3단자 C [[LC필터]]
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>뜯어내면
+
<li>디솔더링 후, PoP된 층을 다시 디솔더링하면
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_130_003.jpg | PoP
 
image:iphone5s01_130_003.jpg | PoP
image:iphone5s01_130_001.jpg | AP 다이방열을 위해 위에 있는 RAM과 완전 밀착
+
image:iphone5s01_130_002.jpg | AP 밑면 BGA
image:iphone5s01_130_002.jpg | AP 밑면 솔더링
+
image:iphone5s01_130_001.jpg | AP 다이방열을 위해 위에 있는 [[DRAM]]과 완전 밀착
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>[[모바일AP]]
+
<li>순수한 [[모바일AP]]
 
<ol>
 
<ol>
<li> [[임베디드PCB]]
+
<li> [[임베디드PCB]]로 만든 [[인터포저]]
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_130_004.jpg
 
image:iphone5s01_130_004.jpg
619번째 줄: 996번째 줄:
 
<li>AP 다이
 
<li>AP 다이
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_130_006.jpg | 분해시 부풀어 올라 다이 가장자리가 깨짐
+
image:iphone5s01_130_006.jpg | [[발연질산]]에 넣어 분해시, [[유리섬유 직물]]이 부풀어 올라 다이 가장자리가 깨짐
 
image:iphone5s01_130_007.jpg | 가열하여 솔더볼 SMT 접합으로 확인함
 
image:iphone5s01_130_007.jpg | 가열하여 솔더볼 SMT 접합으로 확인함
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>[[RAM]] Elpida 8Gbit DDR3 이므로, 다이 하나가 4Gbit
+
<li> [[DRAM]] Elpida 8Gbit DDR3 이므로, 다이 하나가 4Gbit
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_130_008.jpg | 다이 두 개를 다이본딩, 와이어본딩
+
image:iphone5s01_130_008.jpg | 다이 두 개를 [[다이본딩]], [[와이어본딩]]
 
image:iphone5s01_130_009.jpg
 
image:iphone5s01_130_009.jpg
 
image:iphone5s01_130_010.jpg | 위쪽 다이 ELPIDA F440AAA
 
image:iphone5s01_130_010.jpg | 위쪽 다이 ELPIDA F440AAA
 
image:iphone5s01_130_011.jpg | 아래쪽 다이 ELPIDA F440AAA
 
image:iphone5s01_130_011.jpg | 아래쪽 다이 ELPIDA F440AAA
image:iphone5s01_130_012.jpg | 구리본딩인듯. 와이어를 찾을 수 없었음.
+
image:iphone5s01_130_012.jpg | 와이어를 찾을 수 없었기 때문에 [[Cu 볼 와이어본딩]]으로 추정함.
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>뒷면, 전체를 감싼 실드 캔 하나
+
<li> [[전력관리IC]]
<gallery>
 
image:iphone5s01_134.jpg
 
</gallery>
 
<li>RF front end
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_135.jpg | Avago A790720 // TriQuint TQM6M6224 // Skyworks 77355 // RFMD 1495 // SKY477 // Skyworks 77810-12 // Murata(?) QE // Avago A7900
 
image:iphone5s01_136.jpg
 
image:iphone5s01_137.jpg
 
image:iphone5s01_138.jpg
 
image:iphone5s01_139.jpg
 
image:iphone5s01_140.jpg
 
</gallery>
 
<li>PMIC
 
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_141.jpg
 
image:iphone5s01_141.jpg
651번째 줄: 1,015번째 줄:
 
image:iphone5s01_143.jpg | NXP LCP18A1, Apple M7 coprocessor
 
image:iphone5s01_143.jpg | NXP LCP18A1, Apple M7 coprocessor
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>지자기센서 [[나침반]]
+
<li>지자기센서라고 부르는 [[나침반]], AKM AK8963 3-axis electronic compass IC
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>위치하는 곳
 
<li>위치하는 곳
660번째 줄: 1,024번째 줄:
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_145.jpg | AKM AK8963 3-axis electronic compass IC
 
image:iphone5s01_145.jpg | AKM AK8963 3-axis electronic compass IC
image:iphone5s01_146.jpg
+
image:iphone5s01_146.jpg | [[인터포저]]에 BGA를 갖는 bare die가 올라가 있다.
 +
</gallery>
 +
<li>디솔더링하여 각각 들어내면
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_147.jpg | [[인터포저]]를 사용한 이유는 높게 설치하기 위해서(?)
 +
image:iphone5s01_151.jpg | 솔더볼이 없는 부위에 magnetic concentrator 가 있다.
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>뜯어내면
+
<li>센서 다이 [[다이싱]] 관찰
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_147.jpg | 인터포저를 사용한 이유는 높게 설치하기 위해서(?)
 
 
image:iphone5s01_148.jpg
 
image:iphone5s01_148.jpg
 
image:iphone5s01_149.jpg
 
image:iphone5s01_149.jpg
 
image:iphone5s01_150.jpg | 두 번 다이싱
 
image:iphone5s01_150.jpg | 두 번 다이싱
image:iphone5s01_151.jpg | 솔더볼이 없는 부위에 magnetic concentrator 가 있다.
 
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>다이 - 핸드폰은 주로 수평면에 놓이면 X,Y축 지자기는 확실히 검출하나, Z축으로는 감도가 낮을 것이 확실함.
 
<li>다이 - 핸드폰은 주로 수평면에 놓이면 X,Y축 지자기는 확실히 검출하나, Z축으로는 감도가 낮을 것이 확실함.
674번째 줄: 1,041번째 줄:
 
image:iphone5s01_152.jpg
 
image:iphone5s01_152.jpg
 
image:iphone5s01_153.jpg | 4164 AKM 2011
 
image:iphone5s01_153.jpg | 4164 AKM 2011
image:iphone5s01_154.jpg
+
image:iphone5s01_154.jpg | 회사로고 [[IC 표식]]
image:iphone5s01_155.jpg
+
image:iphone5s01_155.jpg | [[TEG]]
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>[[홀]] 센싱 패턴이 8개(?)
+
<li> [[홀]] 센싱 패턴이 8개(?)
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_156.jpg | 남아 있는 magnetic concentrator(가 있어야 Z축을 감지하는 듯)
 
image:iphone5s01_156.jpg | 남아 있는 magnetic concentrator(가 있어야 Z축을 감지하는 듯)
683번째 줄: 1,050번째 줄:
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>주변 장치와 연결되는 커넥터 주변
+
<li>주변 장치와 연결되는 커넥터에 사용된 [[CMF]]로 추정
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_158.jpg
 
image:iphone5s01_158.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>[[Flash Memory]] SK hynix H2JTFG8YD3MBR 64GB NAND Flash
+
<li> [[Flash Memory]]
 
<ol>
 
<ol>
<li>외관
+
<li>외관, SK hynix H2JTFG8YD3MBR 64GB NAND Flash
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_160.jpg | 17.0x12.0mm SK hynix H2JTFG8YD3MBR 64GB NAND Flash
+
image:iphone5s01_160.jpg | 17.0x12.0mm
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>뜯어내어
+
<li>디솔더링한 후
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_160_002.jpg | /
+
image:iphone5s01_160_002.jpg | [[인터포저]] BGA면
image:iphone5s01_160_001.jpg | 솔더링면
+
image:iphone5s01_160_001.jpg | [[인터포저]] 솔더링 패드
image:iphone5s01_160_003.jpg | 측면 - 전기[[도금]]을 위한 동박연결
+
image:iphone5s01_160_003.jpg | [[타이바]]
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>질산에 넣어두니, 가장자리부터 부풀어 올라 다이가 기다랗게 순서대로 깨짐
+
<li> [[발연질산]]에 넣어두니, 가장자리부터 부풀어 올라 다이가 기다랗게 순서대로 깨짐
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_160_004.jpg | 8GB 다이 8개가 콘트롤러 위에서 와이어본딩으로 적층
 
image:iphone5s01_160_004.jpg | 8GB 다이 8개가 콘트롤러 위에서 와이어본딩으로 적층
705번째 줄: 1,072번째 줄:
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>다이버시티 [[안테나]] 부근의 [[튜너블C]]
+
<li> [[튜너블C]]. 다이버시티 [[안테나]] 부근에 있다.
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>RFMD RF1112 Antenna Tuning, Programmable Array of Capacitors
 
<li>RFMD RF1112 Antenna Tuning, Programmable Array of Capacitors
721번째 줄: 1,088번째 줄:
 
image:iphone5s01_165.jpg
 
image:iphone5s01_165.jpg
 
image:iphone5s01_166.jpg | [[IDT C]]
 
image:iphone5s01_166.jpg | [[IDT C]]
image:iphone5s01_167.jpg | [[IDT C]]
+
image:iphone5s01_167.jpg | [[IDT C]], [[더미 필 패턴]], [[Copyright]]
 
image:iphone5s01_168.jpg | [[IDT C]]
 
image:iphone5s01_168.jpg | [[IDT C]]
 
image:iphone5s01_169.jpg | [[IDT C]] 주기 1.67um 구경 24.7um 39주기
 
image:iphone5s01_169.jpg | [[IDT C]] 주기 1.67um 구경 24.7um 39주기
730번째 줄: 1,097번째 줄:
 
image:iphone5s01_171.jpg | 추정 동작 원리
 
image:iphone5s01_171.jpg | 추정 동작 원리
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>세라믹 부품(밸룬?)
+
<li>세라믹 부품(밸룬?) 양쪽으로 코일이 형성되었고,
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_172.jpg
 
image:iphone5s01_172.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>다이버시티 [[안테나]]  부근(=GPS/WiFi 근처임)의 GPS LNA 필터 모듈
+
<li> [[GPS LNA+SAW 모듈]]
 +
<ol>
 +
<li>Skyworks 78614 ??? 3.0x2.5mm
 
<ol>
 
<ol>
<li>윗면은 [[실드코팅]], 그러나 측면은 뚫여 있어...
+
<li>다이버시티 [[안테나]] 부근(=GPS/WiFi 근처임)에 있다.
 +
</ol>
 +
<li> [[RF모듈에서 실드 코팅]]이 윗면만 되어 있다. 측면은 코팅되어 있지 않다.
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_173.jpg | Skyworks GPS Rx LNA Filter FEM, 78614 ??? 3.0x2.5mm
+
image:iphone5s01_173.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>금속 펜스가 쳐져 있는 듯
+
<li>윗면 표면을 깍아보니, 구리 금속 펜스가 노출된다. 어떻게 구리 펜스를 붙였는지 분해 실패로 알 수 없음.
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_174.jpg
 
image:iphone5s01_174.jpg
750번째 줄: 1,121번째 줄:
 
image:iphone5s01_176.jpg
 
image:iphone5s01_176.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>질산에 녹이면,
+
<li>[[발연질산]]에 녹이면,
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_177.jpg | 0.4x0.2 MLCC 6개, 적층형L 2개, 박막형L 1개, 권선형L 1개, SAW 필터,  LNA
 
image:iphone5s01_177.jpg | 0.4x0.2 MLCC 6개, 적층형L 2개, 박막형L 1개, 권선형L 1개, SAW 필터,  LNA
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>Skyworks 회사의 [[SAW-모듈]]에 사용된 [[SAW-GPS]]
+
<li>사용된 [[SAW-GPS]] 필터
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_178.jpg | 947x855um
 
image:iphone5s01_178.jpg | 947x855um
image:iphone5s01_179.jpg
+
image:iphone5s01_179.jpg | 엡코스 [[광학 해상도 차트]]이다. 엡코스 SAW필터를 구매하였다.
 
image:iphone5s01_180.jpg | 주기: 2.56um 주파수: 1575MHz 속도: 4035/sec
 
image:iphone5s01_180.jpg | 주기: 2.56um 주파수: 1575MHz 속도: 4035/sec
 
image:iphone5s01_181.jpg
 
image:iphone5s01_181.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>[[LNA]]
+
<li>[[발연질산]]에 녹은 [[LNA]]
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_182.jpg | GaAs를 유리판에서 키운듯. (투명 유리판 813x795um 만 남아 있음)
 
image:iphone5s01_182.jpg | GaAs를 유리판에서 키운듯. (투명 유리판 813x795um 만 남아 있음)
776번째 줄: 1,147번째 줄:
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_184.jpg | STM 3-axis accelerometer
 
image:iphone5s01_184.jpg | STM 3-axis accelerometer
image:iphone5s01_184_001.jpg | IC가 위에 있다.
+
image:iphone5s01_184_001.jpg | 두 장 실리콘 웨이퍼를 서로 붙여 만들고, 그 위에 판독 IC를 올려놓고, 판독IC에서 패키지기판으로 와이어 본딩했다.
image:iphone5s01_184_002.jpg | 본딩패드가 접착면 두께와 같다.
+
image:iphone5s01_184_002.jpg | BSOB [[Au 볼 와이어본딩]]을 위한 [[와이어본딩 패드]] 두께가 웨이퍼 본딩 접착층 두께와 같다.
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>앞면, 화면 패널 위쪽
 
<li>앞면, 화면 패널 위쪽
 
<ol>
 
<ol>
<li>[[리시버용 스피커]]
+
<li> [[리시버용 스피커]]
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>리시버 왼쪽에, 카메라 왼쪽 등 두 군데에 빛을 감지하는 창이 있다.
 
<li>리시버 왼쪽에, 카메라 왼쪽 등 두 군데에 빛을 감지하는 창이 있다.
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_185.jpg | 리시버 구멍 밑에는 마이크도 있다.
 
image:iphone5s01_185.jpg | 리시버 구멍 밑에는 마이크도 있다.
image:iphone5s01_247.jpg | 금속망을 사용했다.
+
image:iphone5s01_247.jpg | 금속 [[그물망]]을 사용했다.
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>리시버 분해
 
<li>리시버 분해
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_186.jpg
+
image:iphone5s01_186.jpg | 리시버 뒷면
image:iphone5s01_187.jpg | 리시버 뜯어내면 전기접점 4개가 보인다.
+
image:iphone5s01_187.jpg | 리시버를 들어올리면 전기접점 4개가 보인다.
 
image:iphone5s01_188.jpg
 
image:iphone5s01_188.jpg
 
image:iphone5s01_189.jpg
 
image:iphone5s01_189.jpg
 
image:iphone5s01_190.jpg | 진동판은 폼형태의 두꺼운 재질
 
image:iphone5s01_190.jpg | 진동판은 폼형태의 두꺼운 재질
image:iphone5s01_191.jpg | 영구자석 외곽에 고정 코일 및 내부에 진동 코일 두 개가 있다.
+
</gallery>
 +
<li>영구자석 외곽에 field 코일 및 내부에 voice 코일 두 개가 있다. HAC(Hearing Aid Compatible;보청기 호환성) 법률을 위해.
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_191.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>리시버 바로 옆에 있는 3번째 [[MEMS마이크]]
+
<li>위 앞면, 리시버 바로 옆에 있는, 보조 통화용(?) 세번째 [[MEMS마이크]], bottom 타입
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_192.jpg | 리시버  sound outlet port hole과 마이크용 sound inlet 구멍
 
image:iphone5s01_192.jpg | 리시버  sound outlet port hole과 마이크용 sound inlet 구멍
806번째 줄: 1,180번째 줄:
 
image:iphone5s01_195.jpg | M1663 2472 M2 106
 
image:iphone5s01_195.jpg | M1663 2472 M2 106
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>전면 카메라
+
<li>전면 카메라용 [[핸드폰용 이미지센서]]
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>뜯어내면
 
<li>뜯어내면
814번째 줄: 1,188번째 줄:
 
image:iphone5s01_198.jpg | 세라믹 기판을 사용했다.
 
image:iphone5s01_198.jpg | 세라믹 기판을 사용했다.
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>센서 [[방열]]을 위한 동박
+
<li>센서 [[방열]]을 위한 [[히트 스프레더]]용 동박
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_006.jpg | 위쪽 화면 패널에서, 왼쪽 검은 테이프가 이 전면 카메라용 방열테이프이다.
 
image:iphone5s01_006.jpg | 위쪽 화면 패널에서, 왼쪽 검은 테이프가 이 전면 카메라용 방열테이프이다.
822번째 줄: 1,196번째 줄:
 
<li>센서 뒷면
 
<li>센서 뒷면
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_201.jpg | 전도성 양면 접착제로 금속판을 고정함
+
image:iphone5s01_201.jpg | [[서멀 패드]](?)특성을 갖는 전기전도성(?) [[양면 접착테이프]]로 F-PCB 뒷면과 금속판을 고정함.
image:iphone5s01_202.jpg | F-PCB를 뜯으면, 플립본딩된 센서 IC가 보임.
+
image:iphone5s01_202.jpg | F-PCB를 뜯으면, [[플립본딩]]된 이미지센서 뒷면이 보임.
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>IR 컷 필터
+
<li>IR 차단 [[광학필터]]
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_203.jpg | 렌즈어셈블리를 뜯으면
 
image:iphone5s01_203.jpg | 렌즈어셈블리를 뜯으면
831번째 줄: 1,205번째 줄:
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>색온도 센서 겸용(?아니듯) 조도센서(Ambient Light Sensor) - [[포토센서]]
+
<li> [[주변광 조도센서]] Ambient Light Sensor
 
<ol>
 
<ol>
 +
<li> [[색균형]]을 위해 색온도를 알아내려면 컬러필터가 센서표면에 발라져 있어야 할 것이다.(?)
 +
<ol>
 +
<li>듀얼톤 [[플래시LED]] 동작은 먼저 사전 발광을 하여 장면 색온도와 일치하도록 계산을 한 다음 올바른 색온도로 캡쳐가 되도록 플래시가 본 발광을 한다.
 +
<li>카메라 이미지센서가 색온도를 계산을 하므로 주변광 색온도를 측정하는 센서는 없다.
 +
</ol>
 
<li>전면 카메라 바로 옆에 있다.
 
<li>전면 카메라 바로 옆에 있다.
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_205.jpg
 
image:iphone5s01_205.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>색온도센서용 중성색 회색을 내기 위한 뿌옇게(거품?) 처리한 창
+
<li>중성색 회색을 내기 위한 뿌옇게(거품?) 처리한 창
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_206.jpg
 
image:iphone5s01_206.jpg
 
image:iphone5s01_207.jpg
 
image:iphone5s01_207.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>고무 프레임
+
<li>다른 방향에서 들어오는 빛을 차단하는 검정 [[고무]] 프레임
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_208.jpg
 
image:iphone5s01_208.jpg
 
image:iphone5s01_209.jpg
 
image:iphone5s01_209.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>패키징
+
<li> [[WLP]]
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_210.jpg | BGA 연결
 
image:iphone5s01_210.jpg | BGA 연결
image:iphone5s01_211.jpg | 발연질산으로 녹인후(45도 측면 연결전극 및 뒷면 BGA가 사라졌다.)
+
image:iphone5s01_211.jpg | [[발연질산]]으로 접착제를 제거한 후 뒤집어 본 본딩면(45도 측면 연결전극 및 뒷면 BGA가 사라졌다.)
image:iphone5s01_212.jpg | 실리콘 MEMS 가공(45도)
+
image:iphone5s01_212.jpg | WLP를 위해 에칭으로 실리콘 다이 측면을 45도 경사로 만들었다.
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>다이
+
<li>조도센서 다이
 +
<ol>
 +
<li>보호유리판(아니면 IR차단 [[광학필터]])이 있는 상태에서
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_213.jpg | 유리판을 통해 촬영. A2581C, TAOS 2008 MASK WORK
+
image:iphone5s01_213.jpg | A2581C, TAOS 2008 MASK WORK
image:iphone5s01_213_001.jpg | 질산으로 풀을 녹여 뜯어낸 후,
+
</gallery>
image:iphone5s01_213_002.jpg | 연마가루로 광을 낸 후(가장자리가 얇아서 쉽게 깨진다.)
+
<li>[[발연질산]]에 담궈 접착제를 제거하여 뜯어낸 후,
image:iphone5s01_213_003.jpg
+
<gallery>
image:iphone5s01_213_004.jpg
+
image:iphone5s01_213_001.jpg
 +
image:iphone5s01_213_002.jpg | 연마가루로 광을 낸 후(45도로 잘린 가장자리는 얇아 쉽게 깨진다.)
 +
</gallery>
 +
<li>패턴
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_213_003.jpg | 공정진행 마크
 +
image:iphone5s01_213_004.jpg | [[포토다이오드]] 패턴
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>적외선 [[근접]]센서(IR proximity sensors)
+
</ol>
 +
<li> [[핸드폰용 근접센서]]
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_214.jpg
 
image:iphone5s01_214.jpg
 
image:iphone5s01_215.jpg | 발광 수광부간 철저한 isolation을 위한 패키징 구조
 
image:iphone5s01_215.jpg | 발광 수광부간 철저한 isolation을 위한 패키징 구조
image:iphone5s01_216.jpg | 구형 렌즈가 금속 리드 프레임에 사출되어 붙어 있음.
+
image:iphone5s01_216.jpg | 볼록 [[광학렌즈]]가 금속 리드 프레임에 사출되어 붙어 있음.
image:iphone5s01_217.jpg
+
image:iphone5s01_217.jpg | [[광학렌즈]]를 제거하면
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>앞면, 화면 패널 아래쪽
+
<li>앞면, 화면 패널 아래쪽에 있는 Home Button Assembly
 
<ol>
 
<ol>
<li>Home Button Assembly - [[지문]]센서 및 [[택타일]] 스위치
+
<li>[[지문]]센서 및 지문센서를 누르면 동작하는 [[택타일]] 스위치가 있다.
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>지문센서 택타일 누름스위치
 
<li>지문센서 택타일 누름스위치
881번째 줄: 1,269번째 줄:
 
image:iphone5s01_221.jpg | 지문센서 모듈을 분리하면
 
image:iphone5s01_221.jpg | 지문센서 모듈을 분리하면
 
</gallery>
 
</gallery>
 +
</ol>
 
<li>붙어 있는 [[택타일]] 스위치를 뜯어 분해하면
 
<li>붙어 있는 [[택타일]] 스위치를 뜯어 분해하면
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_222.jpg | 레이저 용접. 지문센서 모듈 전체가 택타일 스위치를 누른다.
+
image:iphone5s01_222.jpg | [[레이저 용접]]. 지문센서 모듈 전체가 택타일 스위치를 누른다.
image:iphone5s01_223.jpg | 지문센서 전체를 움직이는 탄성을 가져야하므로 크게 만든듯. 백색인데, 은도금은 아닌듯.
+
image:iphone5s01_223.jpg | 지문센서 전체를 움직이는 탄성을 가져야하므로 크게 만든듯. [[황화은]] 문제를 일으키는 [[은]]도금은 아닌듯.
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>지문센서 금속 프레임
+
<li> [[정전식 지문센서]]
 +
<ol>
 +
<li>지문센서 프레임을 [[스테인리스 스틸]]로 만들었다.
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_224.jpg | 금속에 검정 코팅했다. 긁어도 벗겨지지 않는다.
 
image:iphone5s01_224.jpg | 금속에 검정 코팅했다. 긁어도 벗겨지지 않는다.
894번째 줄: 1,285번째 줄:
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_226.jpg | 레이저 용접 판을 뜯으면, F-PCB가 있다.
 
image:iphone5s01_226.jpg | 레이저 용접 판을 뜯으면, F-PCB가 있다.
image:iphone5s01_227.jpg | F-PCB를 뜯으면, 지문센서 IC가 나타난다. F-PCB에 IC를 다이본딩/와이어본딩한 후에 커버창을 붙였다.
+
image:iphone5s01_227.jpg | F-PCB를 뜯으면, 지문센서 IC가 나타난다. F-PCB에 IC를 다이본딩/와이어본딩한 후에 보호 커버창을 붙였다.
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>지문센서를 눌러도 문제가 없도록 한 고정 방법
 
<li>지문센서를 눌러도 문제가 없도록 한 고정 방법
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_228.jpg
+
image:iphone5s01_228.jpg | 파랑 원형이 [[사파이어]]이다.
image:iphone5s01_229.jpg
+
image:iphone5s01_229.jpg | 누르는 힘은 모두 [[사파이어]]가 받는다.
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>지문센서 측면
 
<li>지문센서 측면
 
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image:iphone5s01_230.jpg | 지문센서 IC는 두 번 다이싱으로 잘랐다.
+
image:iphone5s01_230.jpg | 지문센서 실리콘 IC는 두 번 [[다이싱]]으로 잘랐다.
 
image:iphone5s01_231.jpg | 지문센서 커버창은 레이저 [[다이싱]]. 센서IC와 커버창은 서로 약간 떠 있다.
 
image:iphone5s01_231.jpg | 지문센서 커버창은 레이저 [[다이싱]]. 센서IC와 커버창은 서로 약간 떠 있다.
image:iphone5s01_230_001.jpg
+
image:iphone5s01_230_001.jpg | 그림
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>보호창(protective window) Double Side Polished (DSP) [[사파이어]]에 IC는 풀로 붙였다.
+
<li>보호창(protective window)으로 [[사파이어]]를 IC에 풀로 붙였다.
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_231_001.jpg | 손가락이 닿는 앞면
 
image:iphone5s01_231_001.jpg | 손가락이 닿는 앞면
 
image:iphone5s01_231_002.jpg | 뒷면(센서 부착면)
 
image:iphone5s01_231_002.jpg | 뒷면(센서 부착면)
image:iphone5s01_231_002_001.jpg | 측면 및 뒷면을 긁어보니. [[사파이어]] 맞다.
+
image:iphone5s01_231_002_001.jpg | 측면 및 뒷면을 긁어보니, 잘 긁히지 않는 [[사파이어]] 맞다.
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>지문센서 다이
 
<li>지문센서 다이
 +
<ol>
 +
<li>전체
 
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image:iphone5s01_231_003.jpg | 88x88 = 7744 cells
 
image:iphone5s01_231_003.jpg | 88x88 = 7744 cells
 +
</gallery>
 +
<li>[[와이어본딩]] 후 와이어루프가 다이 표면 위로 올라오면 안되므로 실리콘 두께 일부를 에칭으로 깍아내고 [[와이어본딩 패드]]를 만들었다.
 +
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image:iphone5s01_231_004.jpg
 
image:iphone5s01_231_004.jpg
image:iphone5s01_231_005.jpg | 와이어본딩을 위한 MEMS 가공
+
image:iphone5s01_231_005.jpg
image:iphone5s01_231_006.jpg | TMDR92(AuthenTec 어센텍. 2012년 애플이 인수했다.)
+
</gallery>
 +
<li>정전용량을 측정하는 금속 전극
 +
<gallery>
 
image:iphone5s01_231_007.jpg
 
image:iphone5s01_231_007.jpg
 
image:iphone5s01_231_008.jpg | 피치 51um
 
image:iphone5s01_231_008.jpg | 피치 51um
 +
</gallery>
 +
<li> [[IC 표식]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_231_006.jpg | TMDR92(AuthenTec 어센텍. 2012년 애플이 356M달러에 인수했다.)
 
image:iphone5s01_231_009.jpg | [[Copyright]] 마크
 
image:iphone5s01_231_009.jpg | [[Copyright]] 마크
 
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</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
<li>앞면, 화면 패널
+
</ol>
 +
<li>강화유리가 붙어 있는 [[핸드폰 LCD]] 패널
 
<ol>
 
<ol>
<li>(안테나 성능을 높이기 위한) 전면 접지판 및 방열(AP, 백라이트 LED 등)을 위한 금속판
+
<li>강화유리, 터치스크린, LCD 디스플레이(백라이트 포함), 금속 방열판 이런 순서로 붙어 있다.
 +
<li>금속판
 
<ol>
 
<ol>
<li>접지
+
<li>(안테나 성능을 높이기 위한) 전면 접지판 및 [[방열]]([[모바일 AP]], [[BLU LED] 발열)을 위해 있다.
 +
<li>금속 메인 프레임과 접지하는 방법
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_232.jpg
 
image:iphone5s01_232.jpg
935번째 줄: 1,340번째 줄:
 
image:iphone5s01_234.jpg | 메인 보드 접지와 서로 연결되는 접지 스프링 단자
 
image:iphone5s01_234.jpg | 메인 보드 접지와 서로 연결되는 접지 스프링 단자
 
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</gallery>
<li>[[방열]]을 위한 그라파이트
+
<li> [[그라파이트 시트]]
 +
<ol>
 +
<li>반만 붙어 있다. 화면 백라이트와 붙어 있는 금속판(방열 및 실딩)뜯어내면, 메인보드와 맞붙는 영역에만 방열필름이 붙어 있다.
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_235.jpg
 +
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 +
<li>부착 방법
 
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image:iphone5s01_235.jpg | 화면 백라이트와 붙어 있는 금속판(방열 및 실딩)을 뜯어내면, 메인보드와 맞붙는 영역에만 방열필름이 붙어 있다.
 
 
image:iphone5s01_236.jpg | 잘 쪼개져 벌어지는 그라파이트를 고정하기 양쪽 보호 테이프
 
image:iphone5s01_236.jpg | 잘 쪼개져 벌어지는 그라파이트를 고정하기 양쪽 보호 테이프
image:iphone5s01_237.jpg | 전체(접착테이프+그라파이트+보호테이프) 두께 ~30um
+
image:iphone5s01_237.jpg | 전체([[양면 접착테이프]]+그라파이트+보호테이프) 두께 ~30um
 
image:iphone5s01_238.jpg | graphite heat spreader sheet
 
image:iphone5s01_238.jpg | graphite heat spreader sheet
 
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<li>그라파이트 필름을 뜯어
+
<li>[[그라파이트 시트]] 필름 전체를 뜯어
 
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image:iphone5s01_235.jpg
+
image:iphone5s01_235_001.jpg | 매우 얇아 상온에서는 쉽게 찢어져, 열을 가해서 뜯어낸 후
image:iphone5s01_235_001.jpg | 열을 가해서 뜯어낸 후
+
image:iphone5s01_235_002.jpg | 빨갛게 태운 후에도 그대로이다. 두께 20um. 그러면 양쪽 [[접착테이프]] 두께는 각각 ~5um.
image:iphone5s01_235_002.jpg | 빨갛게 태운 후에도 그대로이다. 두께 20um. 그러면 양쪽 테이프 두께는 각각 ~5um.
 
 
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<li>화면 패널 4변에서 플라스틱 부착물을 뜯어냄
 
<li>화면 패널 4변에서 플라스틱 부착물을 뜯어냄
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image:iphone5s01_240.jpg | 강화유리에 풀로 붙인 플라스틱 프레임(안테나 때문에 비금속 재료를 사용한다.)
 
image:iphone5s01_240.jpg | 강화유리에 풀로 붙인 플라스틱 프레임(안테나 때문에 비금속 재료를 사용한다.)
 
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<li>LCD 백라이트
+
<li> [[BLU LED]]
 
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image:iphone5s01_241.jpg | 사이드뷰(side-view ) [[LED-SMD]] 8개
+
image:iphone5s01_241.jpg | 사이드뷰(side-view ) 8개
 
image:iphone5s01_242.jpg | LCD 백라이트를 뜯으면
 
image:iphone5s01_242.jpg | LCD 백라이트를 뜯으면
 
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<li>LCD 패널
+
<li> [[핸드폰 LCD]]
 +
<ol>
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<li>안테나에 영향을 주지 않기 위해 EMI가 방줄되는(?) 곳에 [[실드 깡통]]
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image:iphone5s01_243.jpg | [[실드 깡통]]
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image:iphone5s01_244.jpg | [[실드 깡통]]을 뜯으니, LCD용 DDI를 위한 [[MLCC]]
 +
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<li> [[지연선]]
 
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image:iphone5s01_243.jpg
 
image:iphone5s01_244.jpg | LCD용 DDI를 위한 [[MLCC]]
 
 
image:iphone5s01_245.jpg
 
image:iphone5s01_245.jpg
 
image:iphone5s01_246.jpg | 전달 시간을 맞추기 위해 길이 조정(?)
 
image:iphone5s01_246.jpg | 전달 시간을 맞추기 위해 길이 조정(?)
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<li>유리에 코팅된 금속막에 [[레이저 마킹]]
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image:iphone5s01_247.jpg
 
image:iphone5s01_247.jpg
 
image:iphone5s01_248.jpg | 레이저로 마킹(이 때 발생하는 가루를 잘 제거해야 한다.)한 글씨와 카메라 인식 패턴
 
image:iphone5s01_248.jpg | 레이저로 마킹(이 때 발생하는 가루를 잘 제거해야 한다.)한 글씨와 카메라 인식 패턴
 
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2022년 12월 7일 (수) 10:19 기준 최신판

iPhone 5S

  1. 링크
    1. 전자부품
      1. 핸드폰
        1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰 - 이 페이지
  2. 기술자료
    1. 외부 링크
      1. 위키페이아 https://en.wikipedia.org/wiki/IPhone_5S
      2. 2013.10 한국출시
    2. 분해제품 모델: A1530, Asia Pacific 용
      1. LTE Bands
        1. 1: 2100
        2. 2: 1900
        3. 3: 1800
        4. 5: 850
        5. 7: 2600
        6. 8: 900
        7. 20: 800 DD
        8. 38: TD 2600
        9. 39: TD 1900
        10. 40: TD 2300
  3. 외관
  4. 위 아래에 위치한 셀룰라 안테나를 위해 금속 몸통을 분리했다.
  5. 디스플레이가 부착된 앞판을 뜯으면
    1. 앞판을 들어올리면
    2. 측면 - 접지 연결을 위한 금속 클립
    3. 상부, 후면 메인 카메라 부근
    4. 메인 보드 윗쪽 실드 깡통에서
    5. 메인 카메라 부근 여러 커넥터 및 히트 스프레더 및 절연용 필름
    6. 아랫쪽
    7. 아랫쪽, 마이크로 스피커 부근
    8. 이어폰, 통화용 MEMS마이크 부근
  6. 파우치 2차-리튬 배터리
    1. 배터리 분리
    2. 배터리 보호회로 분해
    3. 대전류 외부 단자를 (접촉저항을 낮추기 위한) PCB에 연결하는 방법
    4. SMD타입 전류검출용R, PCB에 Metal strip을 붙여서 만들었다.
      1. 외관 (아마 대만 Cyntec 회사 제품으로 추정)
      2. 저항온도계수 TCR 측정 엑셀 데이터
      3. 구조 - PCB에 금속판을 붙였다. 위쪽 더미 금속은 열팽창 때문에 휘는 것을 막기 위해(?)
      4. 레이저 트리밍
  7. 아랫쪽에 있는 (스피커, 마이크, 충전단자, 이어폰단자, 안테나 등) 영역에서
    1. 셀룰라 안테나. WiFi 안테나도 포함되어 있는데 구분하지 않고 설명한다.
      1. 마이크로 스피커 위로 지나가는 안테나
      2. 아래쪽 메인 안테나 와 연결되는 동축 케이블
      3. F-PCB와 함께 수직으로 떨어져 공간을 구성하는 기구물 안테나
      4. 안테나 기능을 수행하면서 부품을 연결하는 F-PCB
        1. 뜯어내면
        2. 특히 이어폰 전선은 FM 안테나 역할을 한다.
        3. A면
        4. B면
    2. 이어폰단자, 통화용 MEMS마이크 , 충전단자, 마이크로 스피커
    3. 애플 Lightning USB 케이블이 꼽히는 충전단자 - 먼지가 계속 눌려 쌓인다.
    4. 3.5mm 이어폰 커넥터
    5. 마이크로 스피커
      1. 위치
      2. 외관
      3. LCR-4284A 계측기로 임피던스 측정 엑셀 파일
        1. 임피던스 측정 그래프
        2. DC 바이어스 전류에 따른 임피던스
        3. 백볼륨 구멍을 내면
      4. 구조
      5. 그림
    6. 통화용 MEMS마이크, bottom 타입
  8. 위쪽 안테나 (GPS/WiFi 및 다이버시티) 부근
    1. F-PCB에서. 왼쪽 volume 상하 택타일 버튼 스위치, 왼쪽 ring/mute=silent 슬라이드 스위치, 진동모터 접촉단자, 마이크, 플래시LED, 상단 hold(=sleep/wake) 택타일 버튼 스위치용
      1. F-PCB 어셈블리
      2. 택타일 스위치
      3. ring 및 mute(=silent)용 슬라이드 스위치
    2. 바타입 ERM 진동모터
      1. 위치 및 고정방법
      2. 외형 관찰
      3. 브러시모터 내부
      4. 모터 전원과 직렬로 3개 연결된, 초크 인덕터로 이용하는 다층형 RF용 인덕터
        1. 동작(PWM)시키면 브러시모터는 EMI 잡음 방사되므로, 모터 근처에서 전선이 짧은 상태에서 잡음을 억제해야 한다.
        2. 측정 데이터
    3. 카메라 모듈, MEMS마이크 부근, GPS/WiFi 안테나
    4. 핸드폰 위 뒷면에 있는, 잡음 제거용 MEMS마이크, bottom 타입
    5. 메인 카메라용 듀얼톤 플래시LED
      1. 프레넬 광학렌즈
      2. 2.0x1.6mm LED 두 개
      3. LED 칩
      4. 25개 Au Stud 플립본딩 및 실리콘수지(?) 언더필
    6. 후면, 메인 핸드폰용 이미지센서 카메라 모듈
      1. 장착 위치
      2. 실드 깡통인 금속 케이스
      3. F-PCB와 연결. 내부에 ISP가 없기 때문에 카메라 원신호는 모두 AP로 연결해야 한다.(?)
      4. 프레임(창틀) 형태를 갖는 알루미나 기판 위에 뭘 붙이는 방법
      5. 판스프링 VCM AF
      6. Au Double Stacked-Bump 범프본딩 및 초음파 플립본딩
      7. IR 차단 광학필터
        1. 필터를 뜯어내면
        2. 유리를 잘라내는 다이싱 방법
      8. 알루미나 기판 형태
      9. 다이 대부분 면적은 센서가 차지한다.(ISP 영역이 거의 없다.)
      10. 실리콘 센서는 앞면에서 회전 블레이드로 두 번(?) 다이싱
    7. 카메라 렌즈가 긁히지 않도록 외부에 붙이는 보호 사파이어
      1. (안테나를 위해 금속을 사용하지 못하는 영역에 사용된) 유리판에 3개 구멍이 뚫려 있다.
      2. 유리판에 붙어 있는 금속프레임 속에 둥근 사파이어가 붙어 있다.
      3. 두께 250um 사파이어이다. (반사방지 AR;anti-reflection)광학코팅되어 있다.
        1. 접착제로 풀칠로 금속과 사파이어를 붙였다.
        2. 레이저다이싱
    8. 위쪽 다이버시티(?) 셀룰라 안테나
      1. 앞에서 볼 때, 우측은 GPS/WiFi 안테나 등이 있어, 좌측에 형성되어 있다.
      2. 진동모터 고정 브라켓도 안테나 역할인듯
      3. 다이버시티 셀룰라 안테나
      4. 셀룰라 안테나 패턴
      5. F-PCB에 형성된 CBCPW(conductor backed coplanar waveguide) 평면 전송라인
      6. 위쪽 누름 택타일 스위치 - 매우 튼튼하게 만들었다.
  9. 알루미늄 메탈 프레임 전체
  10. 메인보드
    1. 모바일AP 밑에서 기판 층수 파악
    2. 기판 측면 접지를 만들어 활용
    3. 뒷면, 전체를 감싼 실드 깡통 하나
    4. 터치스크린용 터치콘트롤러 cumulus chip and meson chip
      1. TI 343S0645 Digitizer Controller IC // Broadcom BCM5976 touch screen IC // TI 65739A0P ???
      2. 두 IC 패턴에 대한 의견 - 동일한 패턴이 IC에 있다. 인접한 두 전극사이 C를 실시간으로 측정하기 위해 개별 ADC가 있는 듯. C값이 비교적 크므로 측정시간이 늦어지는데 이 때 ADC 하나에 스위치를 사용하면 매우 늦어진다. 빠른 터치 반응속도를 위해서. 다른 터치 패널에 사용되는 하나의 IC보다도 더 큰 IC 두 개를 사용한다.
      3. Broadcom, Touchscreen Controller
      4. TI, Touchscreen Line Driver
    5. WiFi모듈, TDD 밴드
      1. RF모듈에서 실드 코팅되어 있다.
      2. TDD용, Triquint 듀얼 SMR 필터(Tx, Rx 신호가 시간적으로 스위칭되어 흐른다.) ????
        1. 외관, 1.8x1.4mm dual filter
        2. 분해
        3. 다이1
        4. 다이2
      3. Ag 페이스트로 스프레이 실드 코팅 + 스핀 코팅된 WiFi모듈
      4. 모자 형태로 두 번 다이싱
      5. 표면을 깍아보면
      6. PCB
      7. PCB 뜯어내고 밑면 윗면 관찰
      8. 1.6x1.2x0.3mm Xtal세라믹
      9. CSP SAW #1 SAW-핸드폰RF
      10. CSP SAW #2 SAW-핸드폰RF
      11. RF IC #1 - FEM
      12. RF IC #2 - PAM(?) - 발연질산에 오래 넣어두니 다이가 모두 녹아 없어졌다. 그러므로 GaAs 웨이퍼인듯
    6. 퀄컴 RF 송수신 칩이 있는, 앞면에서
      1. 전체
      2. SG마킹: RF스위치IC
      3. SAW-핸드폰RF 필터 두 개
        1. 사진
        2. Epcos, CSP, 9906마킹: 1.5x1.1mm dual SAW
        3. Murata, CSP, NAG마킹: 2.2x1.1mm triple SAW
      4. SAW-핸드폰RF 싱글 필터, FBAR 필터 뱅크
        1. 사진
        2. YA마킹: 1.4x1.1mm single SAW
        3. A(아바고)D3R마킹: triple FBAR 필터 뱅크
          1. 두 다이 측면
          2. 두 다이, 솔더링면. via를 통해 내부와 연결된다.
          3. 큰 다이
          4. 작은 다이
      5. 주변 매칭 RF용L
      6. SMR 필터
      7. BAW 필터를 위한 매칭 RF용L - 수직으로 세우는 무라타 0.4x0.2mm LQP02HQ 하이Q 시리즈와 수평장착 LQP02TN 표준(흰점마킹) 박막인덕터
    7. 퀄컴 RF 송수신 칩이 있는, 뒷면에서
      1. Avago A790720 // TriQuint TQM6M6224 // Skyworks 77355 // RFMD 1495 // SKY477 // Skyworks 77810-12 // Murata QE // Avago A7900
        1. 외관
        2. 몰딩 수지를 위에서부터 벗겨내
        3. 모듈을 모두 뜯어내, 메인보드에서 납땜면을 관찰함
      2. Skyworks 77810-12 (B 5/8 Dual PAMiD)?
        1. 모듈에서
        2. 1.8x1.4mm, Taiyo Yuden, CSP SAW-핸드폰DPX
        3. Murata WLP SAW DPX
      3. Murata QE, SAW-모듈, 스위치+SAW 모듈
        1. 보드에서
        2. 모듈에서
        3. LTCC
        4. LTCC 절단을 위한 롤러 스크라이버
        5. RF스위치IC, SoS, Peregrine C9958_1 802 SP4T
        6. WLP SAW 듀플렉서 B1(?)
        7. WLP SAW 듀얼 필터(TDD B38? 39? 40?)
        8. WLP SAW 싱글 필터(DCX Rx)(?)
      4. Avago A7900, dual PAM
      5. Skyworks 77355, dual PAM
      6. Avago A790720, Dual PAMiD
        1. 메인보드에서
        2. CSP SAW DPX 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다.
        3. Epcos 2.0x1.6mm 도금타입 CSP SAW-핸드폰DPX
        4. FBAR DPX에서 - RX(로 추정)
        5. FBAR DPX에서 - TX(로 추정)
      7. TriQuint TQM6M6224, Dual PAMiD
        1. 사진
        2. 유리 지붕
        3. 와이어본딩 타입 SMR 필터, 2밴드용 듀플렉서를 위해 칩을 4개 사용
      8. RFMD 1495 - ASM(antenna switch module) FEM
        1. IC는 내부 임피던스를 50오옴 맞출 수 있다. 그런데 LTCC 인터포저 동원하여 GSM PA와 연결되는 저주파 다이플렉서가 내장함.
        2. 외관
        3. 내부
        4. RF스위치IC
      9. RF스위치IC 두 개
        1. 전체
        2. 마킹 A02 RF스위치IC
        3. 마킹 SKY477 RF스위치IC
      10. SAW-핸드폰RF, XF 마킹 1.5x1.1mm 듀얼필터, 무라타 제조
        1. 보드에서
        2. 다이에서. 막두께가 다르다. 그러므로 금속 성막 공정을 두 번 진행한다.
    8. 다이버시티 Rx 스위치+SAW 모듈 무라타 제조
      1. 외관
      2. 표면부터 긁어 관찰
      3. RF스위치IC
        1. K SA 뒷면에 마킹품, SoI(slicon on Insulator) 제품
        2. Peregrine C9956_4 B02, SoS(slicon on sapphire) 제품
        3. Peregrine C9957_1 B02, SoS(slicon on sapphire) 제품
      4. WLP SAW 측면 관찰
      5. 싱글 WLP SAW-1
      6. 싱글 WLP SAW-2
      7. 듀얼 WLP SAW-1,2,3,4
    9. 모바일AP, Apple A7
      1. 패키지 위에 패키징된 DRAM이 올라가 있는 PoP(Package On Package) 형태임.
        1. 맨 위는 Elpida 8Gbit DDR3 DRAM 이다.
      2. 보드에서 실드 깡통을 벗기면
      3. 주변에 사용된 Low ESR, ESL MLCC
      4. 디솔더링 후, PoP된 층을 다시 디솔더링하면
      5. 순수한 모바일AP
        1. 임베디드PCB로 만든 인터포저
        2. AP 다이
      6. DRAM Elpida 8Gbit DDR3 이므로, 다이 하나가 4Gbit
    10. 전력관리IC
    11. 지자기센서라고 부르는 나침반, AKM AK8963 3-axis electronic compass IC
      1. 위치하는 곳
      2. 외관
      3. 디솔더링하여 각각 들어내면
      4. 센서 다이 다이싱 관찰
      5. 다이 - 핸드폰은 주로 수평면에 놓이면 X,Y축 지자기는 확실히 검출하나, Z축으로는 감도가 낮을 것이 확실함.
      6. 센싱 패턴이 8개(?)
    12. 주변 장치와 연결되는 커넥터에 사용된 CMF로 추정
    13. Flash Memory
      1. 외관, SK hynix H2JTFG8YD3MBR 64GB NAND Flash
      2. 디솔더링한 후
      3. 발연질산에 넣어두니, 가장자리부터 부풀어 올라 다이가 기다랗게 순서대로 깨짐
    14. 튜너블C. 다이버시티 안테나 부근에 있다.
      1. RFMD RF1112 Antenna Tuning, Programmable Array of Capacitors
      2. 폴리이미드 층이 있는 다이
      3. 폴리이미드 층을 불로 태워 제거한 후 다이
      4. IDT C 중요 치수
      5. 세라믹 부품(밸룬?) 양쪽으로 코일이 형성되었고,
    15. GPS LNA+SAW 모듈
      1. Skyworks 78614 ??? 3.0x2.5mm
        1. 다이버시티 안테나 부근(=GPS/WiFi 근처임)에 있다.
      2. RF모듈에서 실드 코팅이 윗면만 되어 있다. 측면은 코팅되어 있지 않다.
      3. 윗면 표면을 깍아보니, 구리 금속 펜스가 노출된다. 어떻게 구리 펜스를 붙였는지 분해 실패로 알 수 없음.
      4. 밑면
      5. 발연질산에 녹이면,
      6. 사용된 SAW-GPS 필터
      7. 발연질산에 녹은 LNA
    16. 3축 자이로 센서
    17. 3축 가속도 센서
  11. 앞면, 화면 패널 위쪽
    1. 리시버용 스피커
      1. 리시버 왼쪽에, 카메라 왼쪽 등 두 군데에 빛을 감지하는 창이 있다.
      2. 리시버 분해
      3. 영구자석 외곽에 field 코일 및 내부에 voice 코일 두 개가 있다. HAC(Hearing Aid Compatible;보청기 호환성) 법률을 위해.
    2. 위 앞면, 리시버 바로 옆에 있는, 보조 통화용(?) 세번째 MEMS마이크, bottom 타입
    3. 전면 카메라용 핸드폰용 이미지센서
      1. 뜯어내면
      2. 센서 방열을 위한 히트 스프레더용 동박
      3. 센서 뒷면
      4. IR 차단 광학필터
    4. 주변광 조도센서 Ambient Light Sensor
      1. 색균형을 위해 색온도를 알아내려면 컬러필터가 센서표면에 발라져 있어야 할 것이다.(?)
        1. 듀얼톤 플래시LED 동작은 먼저 사전 발광을 하여 장면 색온도와 일치하도록 계산을 한 다음 올바른 색온도로 캡쳐가 되도록 플래시가 본 발광을 한다.
        2. 카메라 이미지센서가 색온도를 계산을 하므로 주변광 색온도를 측정하는 센서는 없다.
      2. 전면 카메라 바로 옆에 있다.
      3. 중성색 회색을 내기 위한 뿌옇게(거품?) 처리한 창
      4. 다른 방향에서 들어오는 빛을 차단하는 검정 고무 프레임
      5. WLP
      6. 조도센서 다이
        1. 보호유리판(아니면 IR차단 광학필터)이 있는 상태에서
        2. 발연질산에 담궈 접착제를 제거하여 뜯어낸 후,
        3. 패턴
    5. 핸드폰용 근접센서
  12. 앞면, 화면 패널 아래쪽에 있는 Home Button Assembly
    1. 지문센서 및 지문센서를 누르면 동작하는 택타일 스위치가 있다.
      1. 지문센서 택타일 누름스위치
    2. 붙어 있는 택타일 스위치를 뜯어 분해하면
    3. 정전식 지문센서
      1. 지문센서 프레임을 스테인리스 스틸로 만들었다.
      2. 지문센서를 찾기 위해 계속 분해
      3. 지문센서를 눌러도 문제가 없도록 한 고정 방법
      4. 지문센서 측면
      5. 보호창(protective window)으로 사파이어를 IC에 풀로 붙였다.
      6. 지문센서 다이
        1. 전체
        2. 와이어본딩 후 와이어루프가 다이 표면 위로 올라오면 안되므로 실리콘 두께 일부를 에칭으로 깍아내고 와이어본딩 패드를 만들었다.
        3. 정전용량을 측정하는 금속 전극
        4. IC 표식
  13. 강화유리가 붙어 있는 핸드폰 LCD 패널
    1. 강화유리, 터치스크린, LCD 디스플레이(백라이트 포함), 금속 방열판 이런 순서로 붙어 있다.
    2. 금속판
      1. (안테나 성능을 높이기 위한) 전면 접지판 및 방열(모바일 AP, [[BLU LED] 발열)을 위해 있다.
      2. 금속 메인 프레임과 접지하는 방법
      3. 그라파이트 시트
        1. 반만 붙어 있다. 화면 백라이트와 붙어 있는 금속판(방열 및 실딩)을 뜯어내면, 메인보드와 맞붙는 영역에만 방열필름이 붙어 있다.
        2. 부착 방법
        3. 그라파이트 시트 필름 전체를 뜯어
    3. 화면 패널 4변에서 플라스틱 부착물을 뜯어냄
    4. BLU LED
    5. 핸드폰 LCD
      1. 안테나에 영향을 주지 않기 위해 EMI가 방줄되는(?) 곳에 실드 깡통
      2. 지연선
      3. 유리에 코팅된 금속막에 레이저 마킹